安森美onsemi发布直流超快充电桩方案
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安森美onsemi发布直流超快充电桩方案

　　安森美宣布推出九款全新EliteSiC功率集成模块 (PIM)，可为电动汽车(EV)直流超快速充电桩和储能系统(ESS)提供双向充电功能。　　基于碳化硅的解决方案将具备更高的效率和更简单的冷却机制，显著降低系统成本，与传统的硅基IGBT解决方案相比，尺寸最多可减小40%，重量最多可减轻52%。这更紧凑、更轻的充电平台，将为设计人员提供快速部署可靠、高效和可扩展的直流快充网络所需的所有关键构建模块，实现在短短15分钟内将电动汽车电池充电至80%。　　安森美提供全面的 PIM 产品组合用于市场上的关键拓扑，设计人员还可以通过安森美的 PLECS 模型自助生成工具生成分段线性电路仿真(PLECS)模型，并通过该产品组合的 Elite Power 仿真工具进行应用仿真。　　针对每个模块，安森美使用来自同一晶圆的芯片来确保更高的一致性和可靠性，因此设计人员不会因使用不同供应商的分立器件而导致不同的性能结果。　　除了可靠性之外，该模块产品组合还具有多项亮相，附官方介绍如下：　　采用第三代 M3S SiC MOSFET 技术，提供超低的开关损耗和超高的效率　　支持多电平 T 型中性点钳位(TNPC)、半桥和全桥等关键拓扑　　支持 25kW 至 100kW 的可扩展输出功率段，支持多个直流快速充电和储能系统平台，包括双向充电　　采用行业标准 F1 和 F2 封装，可选择预涂热界面材料(TIM)和压接引脚　　实现最佳热管理，避免因过热导致的系统故障　　全碳化硅模块最大限度地减少功率损耗，从而实现节能和降低成本　　提供更高的稳健性和可靠性，从而确保持续连贯工作。
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发布时间：2024-01-11 10:28 阅读量：1572 继续阅读>>
ROHM Semiconductor CSL1001xT低电流发射汽车LED
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ROHM Semiconductor CSL1001xT低电流发射汽车LED

　　ROHM Semiconductor CSL1001xT低电流发射汽车LED是表面贴装片式LED，非常适合用作显示单元光源。采用无色透明树脂封装的InGaN透镜可用作发光源。发射颜色选项包括蓝色和绿色。这些符合AEC-Q102标准的LED的工作温度范围为-40°C至+100°C。      特性　　*符合AEC-Q102标准　　*InGaN透镜，带透明无色树脂　　*迷你模具封装类型　　*湿度灵敏性等级 (MSL)：3级　　*正向电流：10mA，峰值：50mA　　*反向电压：5V　　*反向电流：10µA　　*工作温度范围：-40°C至+100°C　　*表面贴装　　*CSL1001BT1(C)　　。蓝色发射颜色　　。功率耗散：33mW　　。正向电压范围：2.3V至3.3V　　。发光强度范围：3.6mcd至7.1mcd　　。主波长范围：466nm至471nm　　*CSL1001ET1(C)　　。绿色发射颜色　　。功率耗散：35mW　　。正向电压范围：2.5V至3.5V　　。发光强度范围：110mcd至224mcd　　。主波长范围：519nm至537nm　　应用　　消费电子产品　　工业　　汽车
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发布时间：2023-10-24 16:10 阅读量：2815 继续阅读>>
安森美Onsemi推出Hyperlux LP图像传感器系列
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安森美Onsemi推出Hyperlux LP图像传感器系列

　　安森美(onsemi)宣布推出适用于工业和商业相机的Hyperlux LP图像传感器系列，场景覆盖智能门禁、安防摄像头、增强现实(AR)/虚拟现实(VR)/扩展现实(XR)头戴装置、机器视觉和视频会议等。此传感器系列基于1.4 µm 像素，提供业界领先的图像质量和低功耗，同时大幅提高图像性能，即使在恶劣的照明条件下也能捕获清晰、生动的图像。　　此产品系列还采用堆叠式架构设计，能最大限度地减少产品体积，最小型号小如一粒米，成为受尺寸限制困扰的紧凑型设备的理想选择。客户可以根据使用情况，选用500万分辨率的AR0544、800万分辨率的AR0830或2000万分辨率的AR2020。　　如今，越来越多的家庭和企业安装摄像头做监控，据Yole统计，预计到2030年底，此市场将增长两倍。因此，消费者需要有更优秀的图像质量、更可靠和更长电池寿命的设备，来提升整体使用体验。　　即使在恶劣的天气和照明条件下，使用此图像传感器的摄像头仍可以提供更清晰的图像和更准确的物体监测。此外，由于这些相机通常会被放置在难以更换电池或充电的位置，因此低功耗成为一个关键需求。　　Hyperlux LP系列具备可优化性能和提高分辨率的功能和专有技术，包括：　　• 运动唤醒功能 –传感器可以在超级低功耗模式下运行，仅消耗全功能模式时所需功率的一小部分。 一旦传感器检测到物体运动，即快速进入更高的性能状态，响应时间短。　　• Smart ROI –提供多个感兴趣区域 (ROI)，以更低的带宽提供场景多窗口视图，并能同时提供原始细节图像的窗口。　　• 近红外(NIR)表现 –凭借创新的硅工艺设计和像素架构，在近红外波段提供卓越的图像质量。　　• 低功耗 –可以减少热噪声带来的图像质量问题，也可以减少使用散热器，从而降低视觉系统的总体成本。　　除了智能家居设备之外，Hyperlux LP 系列还以更直观、无缝的视频会议解决方案，提升办公室会议体验。　　Hyperlux LP 图像传感器系列将于 2023 年第四季度上市。
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发布时间：2023-10-17 10:03 阅读量：1785 继续阅读>>
村田：搭载了Onsemi公司IoT设备专用IC的新Bluetooth® Low Energy模块开始量产
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村田：搭载了Onsemi公司IoT设备专用IC的新Bluetooth® Low Energy模块开始量产

　　近年来，所有远程监控、远程控制的用例均要求具备可无线连接的电池驱动IoT设备，而长寿命电池与安全的数据通信功能是其关键。为此，在IoT边缘设备的设计方面，最大的课题是要提高功率效率和安全性。　　Type 2EG由于无线与内置微处理器两方面的功率效率均很高，因此实现了Bluetooth LE模块市场具有高水平的低功耗。此外，支持RSL15芯片组的智能传感模式，能够以非常低的功耗监视传感器接口。此外，Type 2EG的设计还旨在通过Arm®TrustZone®技术确保设备的可靠性，通过Arm CryptoCellTM-312技术保护数据的机密性。　　此外，该产品还配备了Bluetooth LE SoC与RF前端等多个已经认证的功能模块，因此可以简单地设计IoT设备系统，也有助于缩短产品化的时间。　　主要特点　　通过搭载Onsemi公司的RSL15芯片组，实现低功耗与高安全性;　　7.0mm×7.4mm×1.0 mm的小型化;　　支持Bluetooth LE 5.2的高速通信，最多可同时连接10处;　　由于搭载了Bluetooth LE SoC、RF前端、高/低速动作时钟、睡眠模式、低功率模式用的大容量电感器、板载天线等，因此有助于设计的简单化。　　村田今后也将继续开发满足市场需求的产品，为各种IoT设备的高功能化和高附加值化做贡献。
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发布时间：2023-10-11 13:13 阅读量：1744 继续阅读>>
<span style='color:red'>SEMI</span>：今年晶圆厂设备支出下滑15% 将于2024年改善
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SEMI：今年晶圆厂设备支出下滑15% 将于2024年改善

　　受到芯片需求需求减弱以及消费和移动设备库存增加，SEMI国际半导体产业协会近日表示，预估全球晶圆厂设备支出总额将从2022年的历史高点995亿美元下滑15%，来到840亿美元。随后于2024年回升15%，达到970亿美元。　　SEMI 总裁兼首席执行官 Ajit Manocha 表示：" 事实证明，2023 年设备投资的下降幅度较小，2024 年的反弹力度将强于今年早些时候的预期。"" 这一趋势表明，半导体行业正在走出低迷，在健康芯片需求的推动下，走上恢复强劲增长的道路。"　　另外，受惠于产业对于先进和成熟制程节点的长期需求持续成长，晶圆代工产业2023年维持投资规模，微幅成长1%至490亿美元，持续引领半导体产业成长。而预计2024年产业回温，带动设备采购金额扩增至515亿美元，较2023年成长5%。　　区域分析，中国台湾2024年稳坐全球晶圆厂设备支出领先地位，年增4%到230亿美元。韩国居次，2024年达220亿美元，较2023年成长41%。中国大陆2024年总支出额以200亿美元排名全球第三，大陆代工业者和IDM厂商将持续以成熟制程投资布局　　美洲地区仍维持第四大支出地区，并创历年新高，支出总额将到140亿美元，年成长率达23%。欧洲和中东地区续创佳绩，支出总额增长41.5%达80亿美元。日本和东南亚地区2024年分别增长至70亿和30亿美元。　　从 2022 年到 2024 年，SEMI 世界晶圆厂预测报告显示，继 2022 年增长 8% 之后，今年全球半导体行业的产能将增长 5%。预计 2024 年产能将继续增长，增幅为 6%。
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发布时间：2023-09-15 09:33 阅读量：1570 继续阅读>>
安森美(onsemi)提供丰富的工具和软件，加速创新设计
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安森美(onsemi)提供丰富的工具和软件，加速创新设计

　　俗话说“工欲善其事必先利其器”，一名合格的工程设计师必然少不了能加快其设计流程的工具与软件。安森美(onsemi)提供丰富的工具和软件，设计流程全覆盖，从设计优化到测试分析，一站式服务只为一流设计，快来开始你的创新设计吧。　　Elite Power仿真工具和PLECS模型自助生成工具(SSPMG)是安森美(onsemi)针对EliteSiC碳化硅(SiC)产品系列及其应用全新推出的一款突破性的仿真工具，使工程师在开发周期的早期阶段，通过对复杂电力电子应用进行系统级仿真，获得有价值的参考信息。Elite Power仿真工具配以 PLECS，为客户提供一个便利的在线环境。　　Elite Power仿真工具准确呈现采用EliteSiC系列产品的电路如何工作，该工具提供尖端前沿的精准仿真数据，助您节省时间，同时还可根据您的应用定制选择合适的EliteSiC产品，无需昂贵、耗时的硬件制造和测试。PLECS 模型包含损耗查找表(基于制造商数据表)以及Cauer或Foster等效网络形式的热链。在仿真期间，PLECS使用损耗表进行插值和/或外推，以获得电路运行的偏置点导通和开关损耗。　　WebDesigner+ Power Supply是一款在线设计和仿真工具，含参数输入(INPUTS)、选择(SELECT)、设计(DESIGN)、物料单(BOM)、总结(SUMMARY)五步，可在简短的时间内提供完整的设计。　　该工具旨在解决电源设计的挑战，并成为电力电子专家值得信赖的伙伴，强大的设计引擎提供不同设计和拓扑之间的对比。您可以看到电路原理图上的各种运行值、字符和包含元件封装(footprint)及价格的BOM。其他显著特征包括：　　1、通过多样的拓扑结构、特性和封装等筛选条件，挑选最适用的IC、MOSFET、二极管产品；　　2、利用最先进的算法和丰富的元件库来设计您的电源；　　3、利用基于物理的预测数学模型，在用户友好的图表和运行值表中分析您的设计；　　4、保存您的设计，或者导出为PDF格式与同事分享。　　该工具目前支持降压、升压、反相降压-升压、电荷泵、固定频率反激、准谐振反激和LDO/线性转换器拓扑，未来将持续添加更多的功能以支持更多的产品和拓扑。　　让评估更快捷，让设计更简单。Strata Developer Studio是一个云端连接的开发软件，旨在为工程师提供一个无缝的、个性化、安全的开发环境，其能够测量、测试和控制各种设计参数，带来快捷、简单、定制化的评估体验，并提供完整的设计辅助资料，如电路图、布板图、框图、用户指南、测试报告、数据手册等等。它支持自动在线升级，保证您的Strata Developer Studio随时拥有最新的材料和功能，同时支持各种各样的筛选条件，方便用户一键搜索，找到适合自己的解决方案。运用安森美的技术，以及众多已发布的和即将发布的支持使用Strata的评估板、评估工具包以及参考设计，来评估、测试和设计在汽车、工业、云电源和物联网领域的各种应用。
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发布时间：2023-08-23 16:19 阅读量：1536 继续阅读>>
ROHM Semiconductor 650V GaN HEMT功率级IC
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ROHM Semiconductor 650V GaN HEMT功率级IC

　　ROHM Semiconductor 650V GaN HEMT功率级IC设计用于要求苛刻的电子设备系统。 ROHM Semiconductor IC巧妙地综合了大功率密度和效率。 该器件集成650V增强型GaN HEMT和硅驱动器。      特性　　*Nano CAP™集成输出可选5V LDO　　*为工业应用提供长期支持产品　　*V DD引脚电压工作范围宽　　*IN引脚压电的宽工作范围　　*低V DD静态和工作电流　　*低传播延迟　　*高dv/dt抗扰度　　*可调栅极驱动器强度　　*电源良好信号输出　　*VDD UVLO保护　　*热关断保护　　应用　　*工业设备　　*电源与大功率密度　　*高效需求　　*桥拓扑结构如图腾柱PFC　　*LLC电源　　*适配器　　典型应用电路
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发布时间：2023-08-10 15:12 阅读量：2131 继续阅读>>
onsemi 安森美推出的NCS35011 5S电池保护电路
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onsemi 安森美推出的NCS35011 5S电池保护电路

　　onsemi NCS35011 5S电池保护电路是一款超低功耗保护集成电路，可管理3至5节锂离子电池。该保护电路提供多达5个LED输出的准确的电池电压指示。电池组中的每个电池都受到过压和欠压条件的监控。当检测到过电压时，ODI引脚将发出指令，表明存在故障情况，并保持指令，直到故障被清除。　　在欠压状态下，UDI引脚也会发出指令，指示故障，但在保护电路中会有一个预先设定的脉冲宽度。过电压和欠电压检测在故障指示前有一个硬编码的预设延迟时间。特性　　过压(OV)和欠压(UV)检测　　对3、4和5个串联电池的保护　　用高耐压的LED驱动器指示充电状态(SoC)　　可配置故障输出(主动高位或低位推挽式或开漏式)　　±5mV的高准确度电压测量　　低功率耗Icc = 4A　　5V到28V的输入BAT电压范围，可耐受70V的电压，提高了对浪涌电流的抗扰度　　扩展结温范围至+125°C　　此器件不含铅，并符合RoHS标准。　　应用　　二次保护　　电动和园艺工具　　便携式/自主设备(清洁器、割草机、机动、医疗)　　简化框图　　标记示意图
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发布时间：2023-07-04 14:12 阅读量：1936 继续阅读>>
ROHM Semiconductor GNP1 EcoGaN™ 650V E模式GaN FET
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ROHM Semiconductor GNP1 EcoGaN™ 650V E模式GaN FET

　　ROHM Semiconductor GNP1 EcoGaN™650V E模式氮化镓(GaN)FET采用低导通电阻和高速开关来提高电源转换效率和减小尺寸。该款高度可靠的GNP1 FET具有内置ESD保护和出色的散热性能，方便安装。应用包括高开关频率和高密度转换器。　　特性　　》650V E模式GaN FET　　》低导通电阻　　》高速开关　　》内置ESD保护　　》高度可靠的设计　　》帮助减少电源转换效率和尺寸　　》出色的散热性能　　》符合RoHS标准　　应用　　》高开关频率转换器　　》高密度转换器　　规范　　》GNP1070TC-Z　　》DFN8080K封装类型　　》连续漏极电流范围：7.3A至20A　　》脉冲漏极电流范围：24A至66A　　》漏源电压：650V　　》瞬态漏源电压：750V　　》栅源电压范围：-10VDC 至+6VDC　　》瞬态栅源电压：8.5V　　》+25℃时功耗：56W　　》栅极输入电阻：0.86Ω(典型值)　　》输入电容：200pF(典型值)　　》输出电容：50pF(典型值)　　》输出电荷：44nC　　》总栅极电荷：5.2nC(典型值)　　》典型接通延迟时间：5.9ns　　》典型上升时间：6.9ns　　》典型关闭延迟时间：8.0ns　　》典型下降时间：8.7ns　　》GNP1150TCA-Z　　》DFN8080AK封装样式　　》连续漏极电流范围：5A至11A　　》脉冲漏极电流范围：17A至35A　　》漏源电压：650V　　》瞬态漏源电压：750V　　》栅源电压范围：-10VDC 至+6VDC　　》瞬态栅源电压：8.5V　　》+25℃时功耗：62.5W　　》栅极输入电阻：2.6Ω(典型值)　　》输入电容：112pF(典型值)　　》输出电容：19pF(典型值)　　》输出电荷：18.5nC　　》典型总栅极电荷：2.7nC　　》典型接通延迟时间：4.7ns　　》典型上升时间：5.3ns　　》典型关闭延迟时间：6.2ns　　》典型下降时间：8.3ns
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发布时间：2023-06-19 13:12 阅读量：2079 继续阅读>>
ROHM Semiconductor LTR大功率厚膜分流电阻器
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ROHM Semiconductor LTR大功率厚膜分流电阻器

　　ROHM Semiconductor LTR大功率厚膜分流电阻器是一款用于电流检测的10mΩ低阻值片式电阻器。 该电阻器的结构在两个终端之间具有较短的距离，有助于实现强焊接固定。LTR电阻器可在紧凑尺寸中实现功率和精度，改进的元件结构可确保出色的电阻温度系数(TCR)。 该LTR分流电阻器具有高接合可靠性和较高的抗硫化性能。LTR电阻器非常适用于LED前照灯、电机外设电路、通信基站、FA设备、AC、洗衣机和冰箱。　　特性　　10mΩ低阻值片式电阻，专为电流检测设计　　具有长边端接的高可靠性接头　　额定功率中的更小尺寸电阻器，节省空间　　改进的元件结构可确保出色的电阻温度系数(TCR)　　通过ISO9001/TS16949认证　　符合AEC-Q200要求　　以较小尺寸实现更高的功率和精度　　更高的抗硫化能力　　应用　　LED前照灯　　电机外设电路　　电信基站　　工厂自动化设备　　AC　　洗衣机　　冰箱
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发布时间：2023-06-16 17:01 阅读量：1707 继续阅读>>

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