上海贝岭直流充电桩电源模块<span style='color:red'>功率器件</span>解决方案
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上海贝岭直流充电桩电源模块功率器件解决方案

　　一、概述　　随着新能源汽车的深度普及，用户对公共充电设施的便利性、安全性、智能化程度等方面均提出了更高要求。公共直流充电桩向着更大功率、更高功率密度、更智能化等方向快速演进，作为直流充电桩的核心部件，充电桩电源模块的功率等级和功率密度亦不断提升，从20kW/30kW逐步提高至40kW/50kW及以上，为用户提供更安全、快速的充电服务。　　二、直流充电桩电源模块工作原理及拓扑结构　　直流充电桩的系统结构如图1所示：包括电源模块、控制系统、用户界面、充电线缆等部件。其中电源模块的主要功能是实现电能转换，将电网侧的交流电转换为适合用户需求的直流电，确保稳定、高效地输出。　　图1 直流充电桩系统组成框图　　直流充电桩电源模块典型结构如图2所示：主要由两级结构组成，包括前级的AC/DC环节，实现功率因数校正，降低谐波，提升电能质量;后级的DC/DC环节，实现宽范围的直流电压输出，满足不同类型电池的充电需求。　　三相维也纳PFC是直流充电桩电源模块中AC/DC变换器的常用拓扑，如图3所示。电路通过控制Sa、Sb、Sc的通断，来控制PFC电感的充放电。由于 PFC变换器的PF值接近1，可认为电感电流和输入电压同相，三相平衡，各相差120度。　　三相PFC变换器每相包括一个双向开关，双向开关由共源极的开关管相连接，两个开关管共用一个驱动信号，不存在桥臂直通问题，无需设置死区时间，降低了控制和驱动的难度，具有工作效率高、器件电压应力低的优点。　　三、贝岭BLG80T65FDK7产品介绍　　针对直流充电桩电源模块应用，上海贝岭推出80A /650V IGBT产品BLG80T65FDK7。80A/650V IGBT工艺平台采用第三代微沟槽多层场截止技术，优化了饱和压降和开关损耗，适用于50kHz及以上的高频应用，利于提升系统的功率密度和效率。其工艺特点如图4所示。　　图4 BLG80T65FDK7-F工艺特点　　BLG80T65FDK7合封全电流FRD，针对三相维也纳PFC电路的特点，通过优化合封二极管的VF值，降低二极管的通态损耗，提升变换器的工作效率。其实物图如图5所示。　　图5 BLG80T65FDK7-F实物图　　四、贝岭BLG80T65FDK7性能优势　　1、饱和压降Vce(sat)　　对三相维也纳PFC拓扑结构而言，功率器件的通态损耗是其总损耗中占比较大的一个损耗源，降低开关器件的通态损耗是提升变换器工作效率的一个有效手段。作为评估IGBT性能的一个重要指标， 在器件允许的工作温度范围内，BLG80T65FDK7拥有较低的饱和压降，可有效降低IGBT的通态损耗。其Vce(sat)-温度变化曲线如图6所示。　　图6 Vce(sat)随温度变换曲线　　2、开关损耗　　为减小磁性元器件的体积，提升变换器的功率密度，三相维也纳PFC应用中IGBT的开关频率一般高于50kHz。BLG80T65FDK7在全电流范围内均具备较低的开关损耗，在高频应用场景中，具备更优异的性能。开关损耗对比如图7所示，与竞品相比，BLG80T65FDK7的Eon/Eoff/Etotal值分别下降了约6.7%/6.8%/6.8%。　　3、反向恢复能力　　Qrr体现了二极管的反向恢复能力。Qrr值低，峰值电流更低，尖峰持续时间更短，因而振铃/谐振减少，利于减少EMI，同时，可进一步提高效率。如图8所示，与竞品相比，BLG80T65FDK7的Qrr值下降了约18%。　　4、产品竞争力　　基于直流充电桩电源模块的应用需求，BLG80T65FDK7综合考虑器件的各项参数，重点对IGBT的饱和压降、开关损耗及合封二极管的反向恢复能力和VF值进行优化。参数对比如图9所示，同比于竞品器件，重点参数具备优势，可以更好发挥器件性能，助力提升变换器的工作效率和系统的功率密度。　　五、贝岭功率器件选型方案　　上海贝岭功率器件产品线齐全，包含MOSFET、IGBT等系列产品，为直流充电桩电源模块设计提供助力，欢迎垂询!具体型号参考表1。　　表1 功率器件选型列表　　贝岭拥有完善的电源管理、信号链等系列产品可供选择，助力更完全、可靠的充电桩设计和应用。具体型号参考表2。
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发布时间：2024-09-09 13:08 阅读量：542 继续阅读>>
威兆半导体：PD快充<span style='color:red'>功率器件</span>选型难，不如看看小米、三星都在用的<span style='color:red'>功率器件</span>
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威兆半导体：PD快充功率器件选型难，不如看看小米、三星都在用的功率器件

　　目前，手机已经成为人们上网的主要工具，手机满足人们在支付、购物、医疗、娱乐等方面需求，因此对手机电量需求也与日俱增，而快充是人们解决续航焦虑的最优解，所以手机快充成为消费者购机的重要考量。　　早在2014年快充技术便成为了各大手机品牌厂商竞相研发的焦点，OPPO率先推出5V4A快充，率先拉开高功率快充序幕。到了2019年前后，有线快充技术更是迈入了全新的发展阶段，高通QC、USB-IF PD通用协议以及小米、OPPO、vivo等私有快充协议层出不穷，手机快充功率一路飙升至100W甚至达到240W超高功率，只需短短几分钟便可轻松“回血”。　　到2024年有线快充技术已经趋于成熟，各大手机品牌在市场上占据了主导地位。据充电头网了解，摩托罗拉、小米、OPPO、vivo、魅族等多个知名手机品牌均已推出了支持大功率快充的产品，整个快充市场呈现出百家争鸣的繁荣景象，推动相关供应链升级，带动整体行业高速发展。　　威兆推出多款适配高功率PD快充MOSFET　　威兆作为一家本土的电子元器件厂商，自成立以来，威兆始终聚焦功率器件研发与应用技术研究，凭借多年的科研攻关已成为少数同时具备低压、中压、高压全系列功率MOSFET / IGBT单管和模块，以及特殊半导体制程设计能力的先进半导体设计公司。其产品广泛应用于PC/服务器、消费电子、通讯电源、工业控制、汽车电子及新能源产业等领域。　　在消费类电子行业，频频可以看到威兆MOSFET的身影进入世界知名品牌供应链，OPPO、小米、vivo、三星、努比亚、飞利浦、公牛等都是它的客户，威兆MOS以过硬的产品品质，获得了市场的高度认可。　　威兆针对大功率PD快充推出的100V系列同步整流管(如VSP004N10MS-G/VSP003N10HS-G等)和30V系列VBUS开关管(如VS3698AE/3618BE/3610AE等)，可以满足各大智能手机品牌PD快充以及其他高压大电流的私有快充输出需求。　　威兆VSP004N10MS-G　　威兆VSP004N10MS-G是一颗耐压100V，导阻为3.8mΩ的NMOS，采用PDFN5060X封装。该器件同样采用VitoMOSⅡ技术制造，具有更低的导通损耗和开关损耗以及优越的开关性能。　　威兆VSP003N10HS-G　　威兆VSP003N10HS-G是一颗采用10V逻辑电平控制，耐压100V，导阻为3.8mΩ的NMOS，采用PDFN5*6封装。该器件同样采用VitoMOSⅡ技术制造，具有更低的导通损耗和开关损耗以及优越的开关性能。　　威兆VS3698AE　　威兆VS3698AE是一颗采用Trench工艺制造的NMOS，导阻及损耗更低，耐压30V，导阻3mΩ，提供PDFN3333封装。　　威兆VS3618BE　　威兆VS3618BE是一颗耐压30V，导阻为5.2mΩ的NMOS，采用PDFN3333封装。该器件在用Trench工艺制造导阻及损耗更低。　　威兆VS3610AE　　威兆VS3610AE是一颗耐压30V，导阻4mΩ的NMOS，支持5V逻辑电压控制，采用PDFN3333封装。该器件用Trench工艺，导阻及损耗更低。　　威兆MOSFET获多家知名手机品牌PD快充采用　　充电头网通过拆解了解到，自2023年至2024年5月初已有来自摩托罗拉、魅族、iQOO、三星、小米、红米、vivo品牌的12款PD快充适配器内置威兆MOSFET，产品性能获得业界知名手机品牌的一致认可，累计出货量超亿颗。　　摩托罗拉68W USB-C氮化镓充电器　　摩托罗拉这款68W氮化镓充电器采用直板造型设计，侧面印有功率标识。本次拆解的充电器为美版，没有印刷标识，根据外壳得知输出功率为68W。充电器采用固定插脚，单USB-C接口设计，其中USB-C接口采用红色表示支持快充。　　摩托罗拉68W快充内置内置的同步整流管为威兆VSP004N10MS-G，另一颗VBUS开关管为威兆VS3610AE。　　摩托罗拉125W氮化镓充电器　　摩托罗拉这款氮化镓充电器为固定插脚设计，黑色磨砂外壳，亮面字体表示支持125W输出功率。充电器具备100W通用快充输出和5A PPS输出，对主流安卓手机快充兼容性都很好，可为笔记本电脑充电。　　其内置的同步整流管采用威兆VSP003N10HS-G，输出VBUS开关管采用威兆VS3698AE。　　魅族20 Pro原装80W快充充电器　　魅族这款80W充电器为手机原装配机充电器，其采用经典白色机身设计，固定插脚，配有单USB-C接口。充电器输出支持65W PD快充和80W魅族私有快充协议，不仅支持魅族20手机80W快充，还能为笔记本电脑和其他品牌手机进行快充，快充兼容性不错。　　魅族这款快充内置的同步整流管是威兆VSP004N10MS-G，另一个输出VBUS开关管同样威兆VS3610AE。　　魅族PANDAER 80W氮化镓快充充电器　　魅族PANDAER氮化镓充电器具备月白和定胜青两张清新配色，表面为磨砂质感，清凉而舒适。充电器配有折叠插脚，单USB-C输出。输出支持80W魅族私有快充和65W PD快充，满足为魅族20系列手机快充，并且还能满足其他安卓手机及笔记本电脑充电，美观实用。　　魅族PANDAER这款快充内置的同步整流管同样为威兆VSP004N10MS-G。　　iQOO手机原装120W超快迷你闪充　　iQOO手机配备的这款120W超快闪充迷你充电器采用经典的白色直板机身设计，充电器为固定插脚设计，体积小巧。充电器配备单USB-C接口，并具备65W PD快充输出，满足手机大功率充电的同时，也能为笔记本电脑充电。　　其内置的输出VBUS开关管同样为威兆VS3698AE。　　三星35W 1A1C双口快充充电器　　三星推出的这款双口充电器为黑色外壳，固定插脚设计，充电器具备1A1C双接口，其中USB-C口单独输出时具备35W输出功率，USB-C和USB-A口同时输出时，支持20W和15W功率分配，满足两台设备同时充电需求，具备很好的快充兼容性。　　三星这款快充内置的同步整流管采用威兆VSP004N10MS-G。　　小米13 Ultra原装90W氮化镓充电器　　小米13 Ultra氮化镓充电器为国标固定插脚，外观仍然为小米家族风格。充电器采用USB-A接口，支持最大90W小米私有快充，满足小米13 Ultra手机快充。搭配小米专用的USB-A转USB-C线，可以实现65W PD输出功率，兼顾笔记本电脑和其他安卓手机充电使用，对于经常出差的商务人士来说出门带一个就够了。　　小米这款快充内置的同步整流管采用威兆VSP004N10MS-G，另一个VBUS开关管采用威兆VS3618BE。　　小米120W氮化镓小布丁充电器　　小米120W小布丁充电器延续上一代67W小布丁的外壳设计，采用条形柱状造型，风格独特。充电器采用固定国标插脚，支持小米手机120W快充，还支持65W PD快充和33W UFCS快充，支持为笔记本电脑和其他品牌安卓手机快充，整体兼容性不错。　　小米这款小布丁快充内置同步整流管采用威兆VSP003N10HS-G。　　小米海外版120W快充充电器MDY-13-EE　　小米这款欧版120W充电器采用PC阻燃材质白色外壳，主体为亮面设计，整体光滑简洁。这款充电器为USB-A接口，支持小米私有的20V6A快充档位，还支持QC2.0/3.0快充，搭配小米专用USB-A转USB-C线缆可以进行PD 65W快充，满足手机、笔记本等设备充电需求。　　其内置的输出VBUS开关管采用威兆VS3698AE。　　小米140W 2C1A氮化镓充电器　　小米这款140W氮化镓充电器采用家族式白色外壳设计，在侧面标注有输出功率，方便辨认。充电器配有折叠插脚，便于日常携带与收纳。充电器具备2C1A接口，任意接口均支持120W快充，且可以实现笔记本100W恒功率输出，满足笔电长时间充电需求。同时还具备65+65W或100+33W功率自动分配，适配两台笔记本电脑或笔记本电脑与手机同时充电需求，十分实用。　　其内置一颗威兆VSP003N10HS-G同步整流管，另一颗同步降压开关管为威兆VS3618BE。　　红米K60 Pro原装120W氮化镓充电器　　红米K60手机自带的120W充电器延续了小米手机原装充电器的家族风格，采用固定插脚设计，并采用USB-A接口，支持20V6A输出规格。搭配小米专用的USB-A转USB-C线，可以实现USB-PD快充，具备65W输出功率，兼顾笔记本电脑和其他安卓手机充电使用。　　产品内置的同步整流管为威兆VSP003N10H。　　vivo 45W 1A1C双口氮化镓充电器　　vivo这款氮化镓充电器采用白色外壳，配有折叠插脚，小巧精致，便于日常携带与收纳。充电器输出功率为45W，具备1A1C接口，两个接口均支持44W UFCS融合快充和vivo闪充，并且USB-C接口还支持45W PD快充，快充兼容性非常全面，是一款战未来的充电器。　　产品内置的同步整流管采用威兆VSP003N10HS-G。　　充电头网总结　　从当前的市场格局来看，大功率快充技术已经成为各大手机品牌厂商竞相追逐的焦点。各大手机品牌厂商凭借其在技术研发、生产制造和品牌建设方面的优势，主导着大功率快充技术的市场方向，建立各自的快充生态。　　这种市场格局的建立为原装配件带来了巨大的市场需求，用户也更倾向于选择品质可靠、性能卓越的原装快充配件，促进了原装配件市场的快速增长，同时也对原装配件的性能和质量提出了更高的要求，厂商必须确保每一款快充配件都达到高质量标准。　　威兆作为功率器件领域的佼佼者，在大功率快充市场占据了显著的地位。凭借其卓越的产品质量和全面的服务，威兆MOSFET产品赢得了摩托罗拉、小米、三星、魅族、vivo等众多知名手机品牌的青睐，成为消费类电源领域功率器件的重要供应商。
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发布时间：2024-07-18 09:34 阅读量：480 继续阅读>>
安森美：EliteSiC M3S <span style='color:red'>功率器件</span>，破解电动汽车直流超快速双向充电难题
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安森美：EliteSiC M3S 功率器件，破解电动汽车直流超快速双向充电难题

　　大部分消费者不买电动汽车，主要是担心充电的便利性以及快速充电的能力，不能确保驾乘体验与传统内燃机(ICE)车辆一样简易流畅。电动汽车充电桩的数量需要大量部署才能满足需求，并确保公共充电站资源能够更加公平合理地分配给驾驶员。　　此外，电力需求的快速增长也相应给当前的电网带来巨大压力，可能导致电网超载。为了应对这一挑战，双向充电已成为实现车辆到电网(V2G技术，Vehicle-to-Grid)供电的关键解决方案，它既支持常规的电池充电，又能将电动汽车作为储能系统为家庭供电。　　安森美(onsemi)的EliteSiC M3S功率器件，为电动汽车直流超快速双向充电桩提供了新选择。基于碳化硅的解决方案将具备更高的效率和更简单的冷却机制，显著降低系统成本，与传统的硅基IGBT解决方案相比，尺寸最多可减小40%，重量最多可减轻52%。更紧凑、更轻的充电平台，将为设计人员提供快速部署可靠、高效和可扩展的直流快充网络所需的所有关键构建模块，实现在短短15分钟内将电动汽车电池充电至80%。　　EliteSiC M3S模块有助于实现直流快速充电网络和车辆到电网(V2G)电力传输系统的建成，通过解决接入和速度问题，与其他需要数小时甚至数天的充电方法相比，能更快地为车辆充电。针对每个模块，安森美使用来自同一晶圆的芯片来确保更高的一致性和可靠性，因此设计人员不会因使用不同供应商的分立器件而导致不同的性能结果。为了加速设计周期，设计人员还可以通过安森美的PLECS模型自助生成工具生成先进的分段线性电路仿真(PLECS)模型，并通过该产品组合的Elite Power仿真工具进行应用仿真。　　凭借强悍的性能，EliteSiC M3S功率器件成功入围由盖世汽车主办的2024第六届金辑奖中国汽车新供应链百强及最佳技术实践应用奖，期待您的投票。
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发布时间：2024-07-09 09:45 阅读量：317 继续阅读>>
安森美：高压<span style='color:red'>功率器件</span>设计挑战如何破？
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安森美：高压功率器件设计挑战如何破？

　　不断提升能效的需求影响着汽车和可再生能源等多个领域的电子应用设计。对于电动汽车 (EV) 而言，更高效率意味着更远的续航里程;而在可再生能源领域，发电效率更高代表着能够更充分地将太阳能或风能转换为电能。　　这两大领域都广泛采用开关电子器件，因而又催生了更高电压器件的需求。电压和效率之间的关系遵循欧姆定律，也就是说电路中产生的功耗或损耗与电流的平方成正比。同理，当电压加倍时，电路中的电流会减半，因而损耗会降到四分之一。根据这个原理，为了减少传输损耗，电力公司通常使用超高电压来输送电力，比如英国的电网电压常为275,000伏或400,000伏。　　电力公司依赖重型变压器等设备来处理高传输电压，而汽车和可再生能源领域的情况要更复杂一些，因为相关应用中通常涉及大量电子设备。　　半导体设计面临高电压挑战　　基于开关电力电子器件的转换器和逆变器是可再生能源发电厂和电动汽车的关键组件。虽然MOSFET和IGBT都可以用在相关系统中，但前者的栅极驱动功率较低、开关速度更佳且在低电压下效率更高，所以MOSFET占据了市场主导地位，并广泛用于各类电力电子应用。　　功率MOSFET主要有三个作用，即阻断、开关和导通(如图2所示)，因此该器件必须满足每个阶段的要求。　　在阻断阶段，MOSFET要能完全承受应用的额定电压;而在导通和开关阶段，又必须满足对电路损耗和开关频率的要求。导通损耗和开关损耗都会影响整体效率，更高的开关频率有利于搭建更小更轻的系统，而尺寸和重量恰好是电动汽车和工业应用的关键属性。　　追求更高电压的趋势正在挑战传统硅MOSFET的极限，并且实现低导通损耗和快速开关时间所需的低RDS(on)和高栅极电荷值也越来越困难，同时成本也在不断攀升。因此，电力电子设计人员转而借助碳化硅(SiC)来实现更高的效率。SiC是一种宽禁带材料，与硅相比具有多项优势，包括热导率高、热膨胀系数低和最大电流密度更高等，因此在导电性能方面表现更加优异。此外，SiC的临界击穿场强更高，也就是说较薄的器件就能够满足额定电压的需求，从而能够大幅缩小器件尺寸。　　目前SiC MOSFET能够承受近10kV的超高电压阈值，而硅MOSFET能够承受的电压阈值仅为1.5kV。此外，SiC器件的开关损耗较低、工作频率较高，因此能够实现更优异的效率，尤其适合用于工作温度较高、热导率要求高的大电流、高功率应用。　　安森美 (onsemi) 能够满足对更高电压的需求　　为了满足对高击穿电压器件日益增长的市场需求，安森美构建了内部端到端SiC制造能力，能够制造SiC二极管、SiC MOSFET和SiC模块等一系列产品。　　相关产品系列包括NTBG028N170M1，这是一款击穿电压较高的SiC MOSFET，如图3所示。这款N沟道平面器件针对高电压下的快速开关应用进行了优化，VDSS为1700V，扩展VGS为-15/+25V。　　NTBG028N170M1支持高达71A的连续漏极电流(ID)和高达195A的脉冲漏极电流，且其 RDS(ON) 典型值仅为28mΩ，有助于减少导通损耗。另外，该器件的栅极电荷 (QG(tot)) 非常低，仅为222nC，可确保进一步降低高频工作期间的损耗，此外器件采用D2PAK–7L表面贴装，可以减小工作期间的寄生效应。　　安森美EliteSiC系列还包括一系列额定电压为1700V的SiC肖特基二极管，这些二极管可在整流器等电力电子系统中与MOSFET搭配使用。这些二极管具有较高的最大反向重复峰值电压 (VRRM)、较低的正向峰值电压 (VFM) 和出色的反向漏电流，使设计工程师能够在高温环境下实现稳定的高电压运行。　　EliteSiC助力打造高效的电力电子设计　　在依赖电力电子设备的应用中，对更高效率的探索从未停歇。随着系统电压的不断提高，传统的Si-MOSFET无法适应未来需求。SiC器件为相关设计人员指明了新方向，使其能够在提高效率的同时，缩小器件尺寸，满足更严格的应用要求。安森美的1700V NTBG028N170M1能够帮助工程师在关键电力电子系统中实现更高电压的设计。
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发布时间：2024-03-01 11:07 阅读量：2234 继续阅读>>
士兰微49.6亿元定增完成，拟用于SiC<span style='color:red'>功率器件</span>生产线等项目
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士兰微49.6亿元定增完成，拟用于SiC功率器件生产线等项目

　　近日，士兰微49.6亿元定增完成，定增募集资金将用于年产36万片12英寸芯片生产线项目、SiC功率器件生产线建设项目、汽车半导体封装项目（一期）和补充流动资金。　 11月24日消息，近日，士兰微发布的向特定对象发行股票发行情况报告书显示，公司完成发行2.48亿股公司股份，发行价为20元/股，募集资金总额49.60亿元，募集资金净额约49.13亿元。　　定增募集资金将用于年产36万片12英寸芯片生产线项目、SiC功率器件生产线建设项目、汽车半导体封装项目（一期）和补充流动资金。　　8月29日，士兰微公告称，为加快“SiC功率器件生产线建设项目”的推进，拟与国家大基金二期、厦门海创发展基金共同出资12亿元，认缴厦门士兰明镓化合物半导体有限公司（以下简称“士兰明镓”）新增注册资本。　　天眼查APP显示，士兰明镓11月7日发生工商变更，注册资本由约12.7亿元增至约24.6亿元，国家大基金二期完成入股，士兰微获得士兰明镓控制权。而此次公司定增募资投入的“SiC功率器件生产线建设项目”的建设主体，正是士兰明镓。　　借助本次募投项目的建设，士兰微将进一步提升汽车级功率模块等新兴产品的产能规模和销售占比，推进产品结构升级转型，形成功率半导体领域的先发优势、规模优势和成本优势。　　值得一提的是，士兰微已经连续受到国家大基金二期的青睐。今年5月22日，士兰微公告称，公司与国家大基金二期将共同出资21亿元认缴成都士兰半导体制造有限公司新增注册资本，其中国家大基金二期以自有资金出资10亿元。　　在本次认购中，国家大基金二期出手认购的股数也是此次投资者中最多的，达6197.50万股，共斥资12.40亿元，占到士兰微本次总募资的25%。
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发布时间：2023-11-27 09:55 阅读量：1532 继续阅读>>
<span style='color:red'>功率器件</span>的主要用途是什么 <span style='color:red'>功率器件</span>的应用场景有哪些
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功率器件的主要用途是什么 功率器件的应用场景有哪些

　　功率器件是电子设备中的重要组成部分，它们能够控制电流和电压，实现电能的转换和控制。功率器件广泛应用于各种电子设备中，如电源、电动机驱动、照明、通信、医疗、 工业自动化等领域。下面将由AMEYA360电子元器件采购网介绍功率器件在不同应用场景中的应用。　　1.电源　　功率器件在电源中的应用非常广泛,如开关电源、逆变器、稳压器等。开关电源是一种高效率、小体积、轻重量的电源，它采用功率器件进行开关控制，实现电能的转换和控制。逆变器是将直流电转换为交流电的装置，它也需要功率器件进行控制稳压器是一种能够稳定输出电压的电源，它也需要功率器件进行控制。　　2.电动机驱动　　功率器件在电动机驱动中的应用也非常广泛，如直流电机驱动、交流电机驱动等。直流电机驱动需要使用功率晶体管、IGBT等功率器件进行控制，实现电机的正反转和调速。交流电机驱动需要使用三相桥式整流器、逆变器等功率器件进行控制，实现电机的正反转和调速。　　3.照明　　功率器件在照明中的应用也非常广泛，如LED驱动、氙气灯驱动等。LED驱动需要使用功率MOS管、功率MOSFET等功率器件进行控制，实现LED的亮度调节和闪烁控制。氙气灯驱动需要使用功率晶体管、IGBT等功率器件进行控制，实现氙气灯的点亮和调光。　　4.通信　　功率器件在通信中的应用也非常广泛,如射频功率放大器、光电器件等。射频功率放大器是一种能够将低功率信号放大到高功率信号的装置，它需要使用功率晶体管、功率MOSFET等功率器件进行控制。光电器件是一种能够将光信 号转换为电信号的装置，它需要使用光电晶体管 、光电二极管等功率器件进行控制。　　5.医疗　　功率器件在医疗中的应用也非常广泛，如医用电源、医用电刀等。医用电源是一种能够提供稳定电压和电流的电源，它需要使用功率晶体管、IGBT等功率器件进行控制。医用电刀是一种能够将高频电流转换为热能的装置，它需要使用功率晶体管、功率MOSFET等功率器件进行控制。　　6.工业自动化　　功率器件在工业自动化中的应用也非常广泛，如PLC、变频器等。PLC是一 种能够实现逻辑控制和运动控制的装置，它需要使用功率晶体管、IGBT等功率器件进行控制。变频器是一种能够实现电机调速的装置，它需要使用功率晶体管、功率MOSFET等功率器件进行控制。　　7.电动汽车　　功率器件在电动汽车中广泛应用，例如电池充电器、电机驱动器、DC-DC转换器等。这些器件可以提高汽车性能，延长电池寿命，降低运行成本。　　8.交流调光　　在家庭照明设备中，交流调光技术可以控制灯光的亮度和颜色，提高居住舒适度。功率器件在这-应用场景中起到了关键作用。　　9.风电和太阳能发电　　风电和太阳能发电是可再生能源的代表，功率器件在其中的应用越来越广泛，例如功率器件可以实现太阳能电池板的最大功率点跟踪，提高电池板的发电...　　功率器件在各种电子设备中的应用非常广泛，它们能够实现电能的转换和控制，为各种电子设备的正常运行提供了重要的支持。
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发布时间：2023-09-04 10:13 阅读量：2301 继续阅读>>
可控硅:功率电子器件有哪些 <span style='color:red'>功率器件</span>包括哪些产品
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可控硅:功率电子器件有哪些 功率器件包括哪些产品

　　现代工业和电子设备中，可控硅作为一种重要的功率电子器件，扮演着不可替代的角色。作为可控硅厂家，我们深知可控硅的重要性，AMEYA360电子元器件采购网在本文中向您介绍可控硅的基本原理、应用领域。　　一、可控硅的基本原理　　可控硅，又称为晶闸管，是一种半导体器件，具有电流控制特性。它的基本构造包括一个P型半导体阳极、一个N型半导体阴极和一个PN结控制区。在正向偏置下，当控制极施加一个触发脉冲时，可控硅将导通电流，并保持导通状态，直到电流降为零或逆向电压超过其耐受能力。　　二、可控硅的应用领域　　1、交流电控制：可控硅广泛应用于交流电控制领域，例如交流调光、交流电压调节以及交流电流控制。其可靠性和快速开关速度使得可控硅成为家用电器、照明系统和工业设备中的理想选择。　　2、高功率电子：在高功率电子领域，可控硅在电力传输、电机驱动、电网稳定和能源转换方面发挥着重要作用。它们可以用于实现电力因素修正、电流逆变和谐波抑制等功率控制功能。　　3、变频驱动：可控硅被广泛用于变频驱动系统中，如交流电机控制、电力调速和变频空调。通过调节可控硅的触发角度和脉冲宽度，可以实现对电机速度和输出功率的精确控制。　　4、电能质量改善：可控硅器件在电能质量改善方面也发挥着重要作用。通过在电网中引入可控硅，可以有效抑制谐波、消除电压浪涌和实现电能因素修正，从而提高电网的稳定性和可靠性。
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发布时间：2023-07-06 13:12 阅读量：1697 继续阅读>>
<span style='color:red'>功率器件</span>的定义和分类
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功率器件的定义和分类

　　作为电子系统中的最基本单元，半导体功率器件在包括汽车电子、消费电子、网络通信、电子设备、航空航天、武器装备、仪器仪表、工业自动化、医疗电子等各行业都起着至关重要的作用。今天AMEYA360电子元器件采购网将给大家进行介绍！　　01功率半导体分立器件怎么定义　　功率半导体分立器件(Power Electronic Device)又称为电力电子器件和功率电子器件，是指可直接用于处理电能的主电路中，实现电能的变换或控制的电子器件，其作用主要分为功率转换、功率放大、功率开关、线路保护和整流等。　　功率半导体分立器件大致可分为功率半导体器件(Power Discrete，包括功率模块)和功率半导体集成电路(Power IC)两大类，其中，功率半导体分立器件是指被规定完成某种基本功能，并且本身在功能上不能再细分的半导体器件。　　1957年美国通用电气公司(GE)研制出世界上第一只工业用普通晶闸管(Thyristor)，标志了半导体功率分立器件的诞生。半导体功率分立器件的发展经历了以晶闸管为核心的第一阶段、以MOSFET和IGBT为代表的第二阶段，现在正在进入以宽禁带半导体器件为核心的新发展阶段。　　02功率半导体分立器件怎么分类　　按照器件结构 ，分为二极管、功率晶体管、晶闸管等，其中功率晶体管分为双极性结型晶体管(BJT)、结型场效应晶体管(JFET)、金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极晶体管(IGBT)等。　　按照功率处理能力，分为低压小功率半导体分立器件、中功率半导体分立器件、大功率半导体分立器件和高压特大功率半导体分立器件。　　按照驱动电路加在器件控制端和公共端之间信号的性质， (除功率二极管外)可分为电流驱动型与电压驱动型。　　电流驱动型：通过从控制端注入或抽出电流实现其关断的功率半导体分立器件。　　电压驱动型：通过在控制端和公共端之间施加一定的电压信号实现导通或关断的功率半导体器件。　　按照控制电路信号对器件的控制程度，可分为不可控型、半控型和全控型。　　不可控器件：不能通过控制信号来控制其通断的功率半导体分立器件，代表器件为功率二极管;　　半控器件：通过控制信号能够控制其导通而不能控制其关断的功率器件，代表器件为晶闸管及其大部分派生器件;　　全控器件：通过控制信号既能够控制其导通，又能够控制其关断的功率半导体分立器件，代表器件有绝缘栅双极晶体管、功率场效应晶体管、门极可关断晶闸管等;　　按照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，可分为单极型器件、双极型器件和复合型器件。　　单极型器件：有一种载流子(电子或空穴)参与导电的功率半导体分立器件;　　双极型器件：由电子和空穴两种载流子参与导电的功率半导体分立器件;　　复合型器件：由单极型器件和双极型器件集成混合而成的功率半导体分立器件;　　按照功率半导体器件衬底材料的不同，现有的功率半导体分立器件的材料可分为三代：　　第一代半导体材料主要是以锗(早期产品，现已不常见)和硅为代表。　　第二代半导体材料主要是以砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)为代表的化合物半导体材料。　　第三代半导体材料主要是以即碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的宽禁带半导体材料。半导体产业升级。
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发布时间：2023-05-15 10:03 阅读量：2236 继续阅读>>
如何在电机应用中区分使用<span style='color:red'>功率器件</span>
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如何在电机应用中区分使用功率器件

　　每种功率元器件都有其各自的特点，通常需要根据目标应用和所需特性和性能等来区分使用。本文AMEYA360将谈一下如何在电机应用中正确地区分使用IGBT、Si MOSFET和SiC MOSFET。　　在电机应用中区分使用功率器件　　下图与“IGBT的适用范围”一文中使用的图相同，图中根据不同功率器件的特点列出了不同工作频率和输出容量（VA）下的适用范围。对IGBT、Si MOSFET和SiC MOSFET的分立器件覆盖的面积进行比较后，可以汇总如下。当然，由于每种功率元器件都是多样化的，所以这里是基于通常的概括性特点进行汇总的。　　在IGBT与Si MOSFET的比较中，IGBT覆盖输出容量大的低频区域，Si MOSFET覆盖输出容量小的高频区域。　　在IGBT与SiC MOSFET的比较中，SiC MOSFET覆盖输出容量大的高频区域。　　Si MOSFET与SiC MOSFET覆盖的频率范围相同，但Si MOSFET覆盖低输出容量区域，而SiC MOSFET则覆盖高输出容量区域。　　更具体地列出了这些特点，并给出了在电机应用中区分使用它们时的要点。从正确区分使用的角度来看，不同条件下的损耗差异是非常重要的。损耗分导通损耗和开关损耗来考虑。下图中的IGBT、SiC MOSFET、Si MOSFET都是分立器件，“+SBD”和“+FRD”表示外置对应的分立二极管。　　在导通损耗方面，如果流过的电流约在5A以下的范围，Si MOSFET优于IGBT，但在5A以上时IGBT表现更出色。该电流区域未被SiC MOSFET覆盖，因此通常考虑采用IGBT或Si MOSFET。Si MOSFET在以小电流运行的系统中占优势，比如家用空调的室外机等在轻负载时正常稳定运行占比多的应用。这也与上述①中的IGBT和Si MOSFET的覆盖范围比较结果一致。　　关于开关损耗，随着PWM频率（开关频率）变快，在IGBT＋FRD（快速恢复二极管）和SiC MOSFET＋SBD（肖特基势垒二极管）之间的比较中，SiC MOSFET＋SBD更具优势，与上述②中的比较结果一致。这是由于受IGBT+FRD的特点——导通时的反向恢复电流和关断时的尾电流的影响。SiC MOSFET＋SBD因其不会流过尾电流而使开关损耗得以显著改善。　　但是，对于电机应用而言，普通的电机多在20kHz以下的较低频率下使用，加上SiC MOSFET在成本方面不占优势，所以目前SiC MOSFET多在特殊应用中使用。在当今的电机应用中，考虑到性能、损耗和成本之间的平衡，IGBT是主流。　　综上所述，我们探讨了每种功率器件的特点以及包括成本在内的考量，最终需要根据应用的需求选择合适的产品。在包括逆变器在内的电机驱动应用中，除了上述的“IGBT分立器件+FRD”示例外，被广泛使用的还有面向电机应用的FRD内置型IGBT分立器件和IGBT IPM（智能功率模块）。
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发布时间：2023-05-10 10:39 阅读量：1557 继续阅读>>
瑞萨电子推出一款全新汽车级智能<span style='color:red'>功率器件</span>
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瑞萨电子推出一款全新汽车级智能功率器件

　　瑞萨电子宣布，推出一款全新汽车级智能功率器件（IPD），该器件可安全、灵活地控制车辆内的配电，满足新一代E/E（电气/电子）架构的要求。新型RAJ2810024H12HPD采用小型TO-252-7封装，与传统的TO-263封装产品相比，安装面积减少约40%。此外，新器件的先进电流检测功能可实现对过流等异常电流的高精度检测。由于全新IPD即使在低负载时也能检测异常电流，因而允许工程师设计高度安全和精确的电源控制系统，甚至可以检测到最细微的异常情况。　　瑞萨电子汽车模拟应用特定业务部副总裁大道昭表示：“推出采用瑞萨全新功率MOSFET工艺的新一代汽车IPD，我们感到非常兴奋。瑞萨将继续致力于IPD的开发，提升电源系统的安全性和可靠性，并与我们的微控制器一起构建系统级解决方案，推动用户的系统开发。”　　随着E/E架构不断发展，全新IPD的推出满足了日益增长的市场需求。在传统的分布式E/E架构中，来自电池的电能通过机械继电器和熔断器组成的电箱，经由长而粗的线束分配给各个电子控制单元（ECU）。与机械继电器相比，IPD的寿命更长且免于维护，因而可放置在车辆的任何位置。随着汽车行业向集中式或分区式E/E架构演进，IPD由于采用更短、更细的线束，正成为构建高效、灵活电源网络的理想选择。因此，瑞萨的IPD器件特别为配电控制打造了一款更有效、更安全、更小巧的解决方案。　　全新IPD（RAJ2810024H12HPD）的关键特性　　单通道高端IPD　　小型TO-252-7封装（6.10mm x 6.50mm：不包括引脚）　　25°C时低导通电阻（Ron）为2.3mΩ（典型值）　　在低负载情况下实现高精度电流检测　　内置电荷泵　　负载电流感测的自诊断反馈　　负载短路、过热检测、感测电流输出，和GND开路保护等保护功能　　支持3.3V/5V逻辑接口　　低待机电流　　具有自启动功能的电池反接保护　　符合AEC-Q100和RoHS汽车标准
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发布时间：2023-01-30 11:58 阅读量：1993 继续阅读>>

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