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中国工程院院士吴汉明：<span style='color:red'>摩尔定律</span>预计将走到2025年

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中国工程院院士吴汉明：摩尔定律预计将走到2025年

10 月 14 日，由中国半导体行业协会、中国电子信息产业发展研究院主办的第三届全球 IC 企业家大会暨第十八届中国国际半导体博览会(IC China2020)在上海开幕。中国工程院院士、浙江大学微纳电子学院院长吴汉明发表了题为《集成电路产业发展的趋势》的开幕演讲。吴汉明表示，目前市场上 20 纳米以上的工艺节点占 82%的产能，在这些工艺节点上，我国有巨大的创新空间和市场空间，因此国内企业需要加大对这些工艺节点的研发力度。吴汉明指出，我国集成电脑产业发展注定艰难，尤其是芯片制造工艺，挑战极为严峻。产业发展除了需要巨大资金投入和人才缺口以外，还面临着战略性壁垒和产业性壁垒。前者主要是巴统和瓦森纳协议对中国半导体产业的限制，后者主要是世界半导体领域的龙头企业早期布置的知识产权，对中国半导体这样的后来者形成专利护城河。今天，摩尔定律仍然在支撑着 5G、人工智能等新技术的发展，但是其中的关键技术遇到了材料、器件物理性能局限、光刻等瓶颈。工艺面临的三大挑战包括，制造基础的光刻技术、核心的新材料和新工艺以及良率提升这个终极挑战。以光刻技术为例，193nm 光刻支撑了过去时代工艺的发展，进入 7nm 以后，EUV 光刻开始成为关键，但它目前仍面临光源、光刻胶和掩膜版等方面的难题需要解决。比如掩膜版，过去掩膜的整体产率约 94.8%，但 EUV 仅 64.3%左右，而且比复杂光学掩膜还贵 3 到 8 倍。尽管业界已经在研究纳米压印、X 光光刻、电子束直写等先进光刻技术，但是距离投入使用，吴汉明估计还要 3 年以上。“随着工艺节点演进，摩尔定律越来越难以持续，预计将走到 2025 年。”吴汉明预测，“在这些挑战下，新材料、新工艺将是未来成套工艺研发的主旋律。” 吴汉明表示，从 22nm 开始可以就被视为后摩尔时代，基础研究将支撑后摩尔持续发展，可以划分以下为四类技术方向。逻辑器件技术发展则呈现出三个趋势：　　一是结构方面。目标是增加栅控能力，以实现更低的漏电流，降低器件功能功耗。实现手段包括由平面结构转为立体，三维晶体管技术（如 FinFET 等）成为主流器件技术；二是材料方面。目标是增加沟通的迁移率，以实现更高的导通电流和性能。实现手段包括沟道构建材料由硅变为非硅并成为主流，如 Ge、三五族高迁移率沟通材料、GeSi 源 / 漏应变材料等；三是集成方面。类似平面 Nand 转向 3D NAND 闪存，未来的逻辑器件也会从二维集成技术走向三维堆栈工艺。　　此外，后摩尔时代将呈现出市场碎片化的特点，中小企业商机大，创新空间巨大。“在 20 纳米以下节点，先进产能仅占 12%，20 纳米以上节点还有巨大的市场和空间可以创新。”但是需要重视的是，从各国研发经费分配来看，我国与世界先进国家的差距仍然很大，尤其在基础研究领域，大部分研发停留在试验阶段，难以产生革命性的创新。吴汉明强调，当前还有很多核心领域的国产芯片占有率均为 0，国产替代趋势下将迎来历史性机遇。与此同时，产业链各环节全球化不可逆转，国产化将得到广泛认可。吴汉明表示，目前 20 纳米以上的技术节点占据了市场上 82%的产能。尤其是成熟工艺，在这些工艺节点上我国有巨大的创新空间和市场空间，因此这些工艺节点是国内企业需要大力发展的。在这方面，去年国内的占有率达到 30%，今年的数据会好于去年。吴汉明认为，芯片产业是全球化的，从材料的提供，芯片的制造、封装，到最后的应用，每一个环节都不是孤立的。“材料主要在日本，制造和封装主要在中国台湾和中国大陆，因此，集成电路要脱离全球化发展是不可能的。”吴汉明说。吴汉明强调，我国集成电路产业发展注定艰难, 尤其是芯片制造工艺，面临的挑战极为严峻。为此，他提出五点建议：一是，加强应用基础研究，鼓励原始创新，突出颠覆性技术创新。增加在新材料、新结构、新原理器件等基础问题上的研发投入。二是，加强集成电路关键共性技术研发工作，聚焦围栅纳米线等新器件、极紫外光刻等新工艺研发，打通 nm 级集成电路生产关键工艺，为制造企业提供支撑。三是，从国家层面进行产业生态建设。系统、科学地规划和布局，遵循“一代设备、一代工艺、一代产品”的发展规律，加大材料、装备、关键工艺支持力度。四是，积极推进微电子学科教育建设。坚持产教融合，针对集成电路制造技术多学科高度融合这一特点，加强集成电路人才培养。五是，产业发展依循内循环结合外循环发展，坚持全球化发展。

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发布时间：2020-10-15 00:00 阅读量：1753 继续阅读>>

<span style='color:red'>摩尔定律</span>之外的突破

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摩尔定律之外的突破

在人类所有的发明创造中，20 世纪中期晶体管和集成电路的发明，是人类创造史上最富传奇的一个篇章，也是改变人类历史进程和认知活动的一个重要里程碑。如今，集成电路已与我们的生活高度融合，几乎所有的机电一体化设备和装置都离不开芯片。在集成电路工业领域，有一个神奇的定律归纳了其发展规律，即集成电路上可容纳的晶体管数目，每隔 18-24 个月便会增加一倍，性能也将提升一倍，这就是广为熟知的“摩尔定律”。集成电路孵化的摩尔定律摩尔定律第一次出现是在 1965 年。当时，英特尔公司创始人戈登摩尔博士应《电子》期刊 35 周年纪念的邀请，发表了《把更多元件塞进集成电路里》的文章，预测半导体未来十年的发展。文中做出了对半导体芯片上能够承载多少电子元器件数目的预言，大意是，在一个芯片上所能放置元件数目每年要翻一番。十年后的 1975 年，英特尔公司正在生产集成度约为 65000 个晶体管的内存，摩尔博士的预言惊人地实现了！在这一年，摩尔博士在 IEEE 期刊《国际电子器件会议技术摘要》上发表文章《数字电子的进展》，再一次预言，“这条斜率大致接近每两年翻一番。" 90 年代开始由于制造工艺和技术的飞速发展，晶体管的尺寸越来越小，接近纳米尺度范围，一些学者发出“由于热噪声的因素，摩尔定律将终结”的言论。但事实证明，摩尔定律并没有终结，并一直延续至今，且影响深远。但事情总有结束的时候，摩尔定律作为过去三四十年引领产业发展的强推动力，已经很接近其物理极限，虽然半导体仍会继续创新，但不会像以往这么快。先进封装驱动的摩尔定律与保持一定速度发展的集成电路工艺相对的是，系统设计在过去四五十年内并没有太大的革新，电路板和封装技术的发展比芯片工艺落后很多——如今晶圆上金属导线的密度在二维空间超过电路板 100 万倍以上。从这一惊人的数据差上不难看出，封装和电路板的设计便是未来系统技术发展的瓶颈。此前，我们依靠不断缩小器件尺寸而增大晶圆的相对面积，实现了集成电路产品性能按照“摩尔定律”不断提升，但受到尺度缩小及物理定律的限制，其增长的速度逐步减慢。于是，被寄予厚望的先进封装应运而生，有望打破现阶段的发展瓶颈，集成电路技术的演进有一个金科玉律，那就是将电路越做越小、集成度越做越高。但是现在有了先进封装技术之后，这个观念就被打破了。我们能在集成电路之上的层面去实现整体系统的集成，让不同芯片之间连接的紧密度和整体系统性能类似于单一芯片，从而使最终产品的成本降低，效能增加。依据不同系统，针对各单元的特殊需求，选择合适的单元经由先进封装和电路板技术重新整合称之为集成系统，这将是后摩尔时代的发展趋势。因此，我们眼光不应局限在芯片层面，要放远至整体系统层面“整个生态环境要重新建立，这中间就有很多事情可以做。” 新的生态环境建设，从系统公司到设计公司、设计服务；从 EDA 到集成电路技术、封装技术、设备、材料，整个产业界需要重新建立新的合作模式。人工智能时代下的摩尔定律人工智能时代的到来极大地促进了集成电路产业的发展，市场不断扩大，技术不断创新，所有的一切让摩尔定律足足持续了 50 多年。摩尔定律还会走多远，是否会有新定律诞生呢？摩尔定律的背后，是一辈集成电路人共同的奋斗，而新的时代自然也需要年轻一辈的工程师携手共创。因此，建议年轻的工程师，不要被较少的行业经验所局限，而是勇敢地尝试未来的无限可能。一个有价值的创造，并非是在对相关基础知识完全深入精通的情况下诞生的，比如造桥，古代的桥梁工程师，并不了解结构力学、材料力学、应用力学、土壤力学等，但他们依然用自己的经验和创新设计出各种鬼斧神工的桥梁，这就是工程师的典范。在未尽知之前就进行创造，对工程师提出了更高的要求，不仅需要具备扎实的基础知识，包括数学、物理、化学、材料学等等，更重要的是不断创新。虽然摩尔定律已经慢慢达到它的物理极限，但绝对不表示创新可以就此停下来，发展了 100 多年的汽车工业尚在不断创新、变革，集成电路的未来更将拥有 “摩尔定律”之外的突破。

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半导体摩尔定律

发布时间：2020-04-14 00:00 阅读量：1662 继续阅读>>

<span style='color:red'>摩尔定律</span>终有尽头,IBM欲用碳纳米管取代硅?

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摩尔定律终有尽头,IBM欲用碳纳米管取代硅?

随着计算机全面进入纳米时代，工程师们发现想要遵循摩尔定律变得越来越难了。 1965 年，Intel创始人戈登·摩尔提出了提出了“摩尔定律”，即集成电路上可容纳的晶体管数量大约每隔 1-2 年便会增加一倍，性能也随之翻倍。五十多年来，摩尔定律一直有效，但目前业界的预测是，未来 10-15 年，在进行三次技术升级后，芯片制造工艺将达到 5 纳米，这意味着单个晶体管栅极的长度将仅为10个原子大小。在此基础上继续突破几乎是不可能的——从技术上讲，你不可能造出单个原子大小的晶体管。另外，因为考虑到生产成本，制造商们将不再有意愿继续改进制程工艺，因为目前的芯片计算能力基本可以满足需求。这一趋势其实在模拟芯片市场早就出现了，很多模拟芯片厂商还在使用五年前的工艺来生产产品。而且，像移动设备中使用的 WiFi 芯片，28纳米的制程工艺已经足够好了，完全没必要花费大笔研发经费去升级到 10 纳米 CMOS（互补金属氧化物半导体）工艺。正因为上述这些原因，让近来关于摩尔定律即将失效的言论越来越盛行。使用了五十多年的硅基 CMOS 晶体管制造工艺，如果在未来无法找到可行的替代方案，我们或许真的会遭遇计算力瓶颈。不过，好在科学界和产业界也都预计到了瓶颈期的临近，也试图寻找各种各样的办法，让摩尔定律继续有效。这次，来自IBM的研究人员们找到了一种全新的芯片制造工艺，而且制造晶体管所使用的材料不再是硅，而是碳纳米管！研究成果一经公布，《Science》杂志官网甚至发文表示：IBM的科学家基于碳纳米管打造世界最小晶体管，难道“硅谷”终将变成“碳谷”？文归正题！来自 IBM 的研究人员刚刚公布了一种全新的晶体管制造方法：使用碳纳米管来替代传统的硅基 CMOS 工艺，题目为“Carbon nanotube transistors scaled to a 40-nanometer footprint”的研究报告也已发表于今天出版的《Science》杂志上。其实，科学家们一直在对碳纳米管晶体管进行持续的探索——这是一种直径仅为 1 纳米，或十亿分之一米的管状纳米级石墨晶体。但是，使用碳纳米管来替代传统硅基晶体管最大的难度在于，如果要达到理想的性能，碳纳米管截面直径要达到 100 纳米左右，这比目前的硅晶体管要大得多。为了减少这个数字，来自 IBM 托马斯J.沃森研究中心的研究团队使用了一种全新的技术来构建电流流入、流出的碳纳米管触点——使用钼金属来直接接驳碳纳米管端部，从而减小了体积。同时，他们还添加了钴，使得这种连接在较低温度下也能生效。原理非常简单，由于热胀冷缩，低温能减小触点间的间隙。研究中还解决了一个重要问题，那就是如何在触点间传输足够的电流。研究人员通过在相邻晶体管之间平行放置由数根碳纳米管组成的纳米线解决了该问题。最终，整个晶体管的接脚面积被压缩到了40平方纳米。这个数字成为了“国际半导体技术发展路线图”（International Technology Roadmap for Semiconductors, ITRS）近十年来的新标杆。而且在随后的测试表明，IBM研究团队开发碳纳米管晶体管比目前的硅晶体管速度更快、效率更高！ ITRS是由世界上五个主要的半导体制造国家和地区的相关协会所资助的组织，其最新研究报告指出，晶体管将在2021年开始停止继续缩小。图中蓝色曲线为2013年的预测，红色曲线为2015年最新预测。晶体管能够缩小到如此小的尺寸，要归功于用碳纳米管代替硅作为晶体管间的通道。碳纳米管的厚度只有1纳米，这样的厚度在静电场上有着显著的优势，可以让器件的栅极长度降低到10纳米，且不会造成短沟道效应给器件性能带来的不利影响。另外，纳米管的另一个好处就是拥有更快的电子传输速度，这对于提升器件性能无疑是至关重要的。此外，晶体管微型化的另一个关键在于采用“端点连接技术”。通常来讲，晶体管中的金属部分是沿着晶体管中主体半导体材料纵向粘接，导致粘接的部分很长。而IBM展示的这种端点连接技术可以使得晶体管的粘接部位长度大大缩小：从 300 纳米缩小到仅 10 纳米，而且不会增加电阻。为了保证器件的可靠性，IBM的研究人员还对碳纳米管中的金属部件进行了热稳定性和碳反应性测试。然后，还要保证端点在足够低的温度下仍然可以进行连接，以维持器件的几何形状。然而，保证低温状态下的稳定连接也是一个难题，研究人员在反复试验后发现，钴钼合金在碳纳米管粘接上有着出乎意料的优势：一方面，钼能保证合金的热稳定性；另一方面，钴则起到了在相对较低温度下进行连接的催化剂作用。将两种金属的特征相结合，可以避免碳纳米管粘合金属时所需的650摄氏度高温。这次 IBM 发表于《Science》杂志的论文联合作者、IBM沃森研究中心研究员，同时也是 2016 年《麻省理工科技评论》“年度35岁以下创新35人”（MIT TR35）获得者曹庆（Qing Cao）表示：“使用低功函数金属实现纳米管的端部接触是非常困难的。然而，我们已经开发了一些工艺来有效地掺杂纳米管通道，所以即便是在在高功函数金属端部接触的情况下，也可以实现n沟道（n-channel）器件的操作。” 虽然，通过掺杂实现 n 沟道器件操作还有很多需要改进的地方，但顶栅结构的器件确实具有令人意想不到的优势。与底栅结构相比，目前硅晶体管中使用的顶栅器件结构更容易实现器件之间的复杂连接，同时也能实现更高的器件集成密度。所以，除了与钴钼合金触点端接的纳米管通道之外，纳米管的顶部也覆盖有一层超薄的高介电氧化物，作为具有金属顶栅的栅极介电层。当然，作为一项全新技术，曹庆也承认，在高性能纳米管逻辑晶体管真正成为商业化技术之前，还有一些制程方面的问题需要解决。曹庆表示，目前阶段的主要挑战是器件的稳定性，但最终团队希望能将数十亿纳米管晶体管集成到功能电路中。为了做到这一点，团队需要保证晶体管之间良好的一致性，从而实现在相同电压下，所有晶体管都能正常工作。尽管在过去几年中，半导体纳米管的纯度已得到显著改善，经过通电检测，其纯度已经升到了99.999％以上，但制造过程需要更稳定和更加标准化，从而能够保证将来大批量生产时的可靠性。

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摩尔定律,IBM,碳纳米管,硅

发布时间：2017-07-03 00:00 阅读量：1713 继续阅读>>

<span style='color:red'>摩尔定律</span>极限锁死了半导体,或许根本没有通用处理器

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摩尔定律极限锁死了半导体,或许根本没有通用处理器

　　业界所预期的“摩尔定律”(Moore’s Law)极限，将是推动半导体与计算机产业转型的开始。这是日前在庆祝“图灵奖”(Alan Turing award)50周年纪念活动上的一场专题讨论中业界专家们发表的看法。　　摩尔定律极限锁死了半导体，或许根本没有通用处理尽管摩尔定律无法再以相同的步调前进，但芯片、系统和软件技术仍将持续进展。与会的专家们补充说，如果没有明确的CMOS缩缩替代方案，半导体产业和系统产业可能会形成封闭的孤岛。　　史丹佛大学(Stanford University)第10任校长John Hennessy说：“摩尔定律是指晶体管的密度每18个月增加一倍，这已经持续了25年，但是从2000-2005年间开始逐渐放缓到间隔两三年，最近更演变为每隔四年倍增一次，因此，业界正逐渐走向我们所预期的半导体技术尽头。”　　CMOS微缩“并未结束，只是暂缓”？　　另一种相关的观点——Dennard Scaling，强调的是对于能量的需求将随着芯片微缩而减少。Hennessy指出，Dennard Scaling定律“已经发展10-15年了，开启了快速转向多核心处理器的暗硅(dark silicon)时代。”　　事实上，摩尔定律是有关经济学的观察，而不是实体定律。普林斯顿大学(Princeton University)系统专家Margaret Martonosi认为，问题在于是否能找到另一种像CMOS一样带来投资报酬率的实体面。　　在微软(Microsoft) Azure云端服务部门负责FPGA加速器的工程师Doug Burger表示，“摩尔定律是有关密度微缩的速率，但我们正以一种可预测的速度走向尽头，再经过几个世代就会达到实体极限了。”　　Google TPU加速器研发团队主管Norm Jouppi说，“我认为CMOS微缩还有几年的时间。在未来十年内还将持续看到一些相关应用的性能提升，但其他的应用可能趋缓。”　　Jouppi讽刺地说，业界仍在否认有关摩尔定律极限的事实，就像英国喜剧团体Monty Python知名喜剧“死掉的鹦鹉”(Dead Parrot)中的店家所说一样——鹦鹉“并没死掉，它只是在休息”。　　DRAM最先发展到极限？　　Hennessy指出，DRAM可能是最先发展到极限的主要组件。而其结果“将导致整个生态系不均衡，”Burger认为。　　为了克服DRAM形成内存缺口的挑战，Jouppi认为“垂直NAND是最有力的解决方案”，但还必须进行多方面的投资。　　闪存(Flash)一开始是以数字相机的储存应用之姿出现。微软(Microsoft)杰出工程师暨麻省理工学院(MIT)兼任教授Butler Lampson指出，如今，接口技术已大幅改善了，但“仍然缺少最佳的闪存运算接口”。　　不管接下来还会出现什么，Burger认为：“后摩尔定律(post-Moore’s law)时代的新典范将大幅改变…从现在起的20年，产业将发生前所未有的转变。”　　20170628-MOER-3　　微软工程师Doug Burger在德州大学奥斯汀分校首创图形运算（来源：ACM）　　尽管晶圆厂的成本上涨导致芯片制造商间发生前所未见的整并，“只要我们有三、四家稳定的厂商，就能存在良性的竞争，”Jouppi强调，“就像iPhone的需求带来许多市场压力。”　　Burger和Jouppi都预测“特定领域的架构”将会增加，从而为特定市场带来最佳表现。Burger认为这一趋势将带来‘Franken-systems’，“……但业界已经发展得够强大，足以适应这个趋势。”　　Hennessy问道，如果计算机产业回到从芯片到应用都由同一家公司来做的垂直整合时代呢？就像苹果(Apple)正朝这个方向前进，而Google似乎也会遵循同样的道路发展。　　尽管如此，Jouppi说：“还有一些其他架构正快速成长，有些是由芯片供货商以及一些由云端供货商实现的。”　　不过，在统一几种指令集后，是否会有一些新的处理器公司出现？专题讨论成员之间的看法纷歧。Hennessy说：“芯片设计需要极其复杂专业的技术，因此，几家公司之间的处理器设计人员连手极具价值。”　　新的界面和量子应用需求　　摩尔定律缓步走向尽头，也破坏了软件开发人员在芯片(指令集架构)中隔离的策略抽象层。现在需要新的电路板接口，或许是为了较大的垂直市场，但实际上应该是什么目前还不得而知。　　利用指令集架构(ISA)，软件开发人员可以“进行相对较小的更动，”但是，Martonosi说：“目前在智能手机处理器上已经有大约6个ISA了，一半的SoC面积则是不带ISA的加速器。”　　她表示，新的架构和工具库有助于填补这一差距，但是他们创造的系统“难以验证和确保可靠性…这将会使情况变得更糟糕”。她补充说，如果特定市场的系统开始定义自己的接口，将会需要新的设计流程以及能开发堆栈芯片的工程师。　　Burger说，云端运算的工作负载仍然多样化。云端供货商也拥有数百万家的客户，“即使是大型公司运用了我们1-2%的服务器资源，也可以每周或每月更新——但这对FPGA来说还是太快了。”他强调，所谓的可编程芯片“仍然太难以编程”。　　专题讨论的专家们认为，摩尔定律的式微，造成业界对于更高效软件和通用处理器的迫切需求。　　Jouppi说：“我希望未来能进一步改善软件和硬件，业界过去在这两方面的态度不够积极，而且还有空间以及足够的时间提升效率。”　　“或许无法再像摩尔定律时那么好了，但是在应用程序、算法和硬件方面都还有改进的空间，”Alto投资公司之一的Lampson指出。　　Margaret Martonosi写了两本有关计算机电源效应的教科书*　　多年来深入这一领域研究的Martonosi表示，长期以来，没有任何可取代摩尔定律的有力解决方案，但量子计算机看来颇具发展前景。　　Martonosi说：“从实体的观点来看，好消息是‘量子系统’非常接近现实。在最近的一、两年内就能实现一个50-100量子位(Qbit)的机器，而且还有人能为其编写程序，使其为经典系统提高速度。”　　截至目前为止，坏消息仅止于几种已知系统的较小应用。她补充说：“如今在广泛应用中所需的量子位数以及我们能打造可靠的系统数量之间存在着巨大差距……而未来谁将会购买这些数千量子位的系统以及针对哪些应用，目前仍不明朗。”　　“我们将着手打造量子计算机，但应用于解决哪些重大的问题——这都还有待观察，”不过，Burger指出，他已经注意到未来将有更多基于蛋白质途径的可编程生物学研究了。

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摩尔定律,半导体,通用处理器

发布时间：2017-06-29 00:00 阅读量：1710 继续阅读>>

给<span style='color:red'>摩尔定律</span>续命,台积电张忠谋:还得看封装技术

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给摩尔定律续命,台积电张忠谋:还得看封装技术

台积电董事长张忠谋8日在股东会中表示，台积电营运犹如今日艳阳高照的天气，象征营运是蓬勃有朝气，2016年是营运创新高纪录的一年，2017年也是不错的一年。今年台积电的股东会后，张忠谋并没有开记者会畅所欲言，但在股东会中，他仍是勉励同仁表示，要开心地迎接各种挑战，当今产业有很多很强的竞争者，我们不容轻视竞争者们，大家齐心协力，站在各自岗位上做努力。众所皆知，台积电这几年营运突飞猛进的秘诀，是持续投资高端制程技术，甩开竞争对手，虽然有英特尔(Intel)、三星电子(Samsung Electronics)这类的强劲对手持续投资在晶圆代工市场，但台积电不退怯、不轻敌，持续专注的投资本业，强化自身竞争力，在全球晶圆代工领域市占率达到60%，距离全球半导体龙头一步之遥。张忠谋分析，半导体产业距离物理极限还有8~10年，而延续摩尔定律的另一条路是朝封装技术努力，现在逻辑技术已经开始向上堆叠，用封装的方式克服，该技术在存储器上已经证明可行，因此，半导体产业的未来一点都不悲观。张忠谋也指出，1987年左右产业成长率享有40~50%幅度，到了1990年代全球半导体产业的成长率高达15~16%，但到了2000年后，全球半导体产业成长率只有4~5%，台积电仍是每年都做到打败全球半导体成长率动能，每年成长5~10%，台积电这几年成长的动能是受惠智能手机市场的推动，未来5年，预计至少到2020年，台积电年营运都可以成长5~10%。因此，他强调，半导体产业没有如外面讲的是成熟产业，至少台积电还在高度成长的轨道上。他也分享台积电三大成长的原因，第一是技术领先，处于产业领导地位；第二是制造能力比同业好；第三是保持诚信和客户做生意。台积电这几年布局先进制程有很大的进展，2016年16纳米的营收贡献相较前1年成长超过5倍，占营收20%以上，同时10纳米也进入量产，7纳米在2017年初完成技术验证，5纳米会导入极紫外光(EUV)微影技术。再者，台积电也配合整合型扇出(InFO)封装技术，已经被苹果(Apple)采用，更成功开发出新一代的InFO解决方案技术，预计今年开始量产。另外，台积电也扩展中介层CoWoS技术到16纳米制程，且整合多个第二代高频宽存储器(HBM2)和绘图处理器的高端加速器，目的是支持人工智能(AI)和深度学习需要的高效能运算。台积电看好16纳米FinFET制程除了用在移动装置外，也可以运用在手机基频芯片、游戏绘图处理芯片、扩增实境(AR)、虚拟实境(VR)、AI，同时也会进入12纳米制程，16纳米和12纳米可以满足低功耗市场需求包括中低阶手机、消费性电子、物联网(IoT)、车用电子、数位电视等。在28纳米制程上，今年迈入量产第七年，也计划再扩充15%的28纳米制程产能。另外，台积电在8日股东会中成功增选两名董事，共同执行长魏哲家和刘德音进入董事会。刘德音是台大电机系学士，美国加州大学柏克莱分校电机暨电脑资讯硕士暨博士，曾担任世大积体电路的总经理、台积电先进技术事业资深副总、营运资深副总；再者，魏哲家为交大电机工程学士暨硕士、美国耶鲁大学电机工程博士，曾担任新加坡特许半导体的资深副总、台积电主流技术事业资深副总、业务开发资深副总。

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发布时间：2017-06-12 00:00 阅读量：1615 继续阅读>>

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