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茂睿芯MD18011获国内首个磁隔离技术<span style='color:red'>驱动</span>器VDE证书

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茂睿芯MD18011获国内首个磁隔离技术驱动器VDE证书

　　2024年10月22日，VDE测试认证院在深圳为茂睿芯颁发了国内首个磁隔离技术驱动器VDE证书。　　茂睿芯总经理易俊先生、副总裁&CTO盛琳女士、副总裁高克宁先生，VDE环球服务中国区总经理吴仲铉先生、环球服务销售总监Andreas Loof，21世纪电源网、充电头网等一行人员及媒体出席了此次颁证活动。 VDE 即德国电气电子及信息技术协会，全称 Verband der Elektrotechnik Elektronik Informationstechnik e.V.，创立于1893年，作为全球电气、电子及其零部件安全测试及认证的权威检测认证机构与标准制定者。VDE认证有着严格的测试标准和规范，涉及电气安全、机械安全、防火性能、电磁兼容性、可靠性、环境适应性等诸多方面的测试，能通过并获得VDE认证的产品不仅意味着意味着这款产品在质量和安全性上达到了较高的水平，也标志着其符合国际和各国的相关标准和法规要求，能够顺利通过各国的市场准入审核，避免因认证问题而导致的贸易障碍。　　此次茂睿芯通过VDE认证的产品是一款光耦兼容的单通道隔离型栅极驱动器——MD18011，这是国内首个磁隔离技术一次性通过验证并获得VDE认证证书的驱动器产品。MD18011所使用的磁隔离技术，是以可靠的封装形式大幅提高安规耐压能力，芯片内部绝缘距离可到100um以上乃至更高，由于晶圆工艺原因目前容隔类产品的内部绝缘距离普遍在20~30um之间。经实测，MD18011隔离栅在14kVRMS条件下持续耐受60s也不会损坏，可保证在VIORM(最大重复峰值隔离电压)条件下的工作寿命达40年以上，同时也避免了片上高压电容隔离带来的潜在风险(片上高压隔离电容会随着芯片意外烧坏而同步损坏，从而造成隔离等级下降)。作为国内首个一次性通过得 VDE 认证的磁隔离技术驱动器，MD18011在电气安全、性能稳定性以及可靠性方面表现出色，可以广泛应用到工业自动化、新能源领域及其他对电气隔离有严格要求的应用场景中，为客户提供更加高效、安全的使用体验。　　MD18011凭借特色的磁隔离技术和稳定的产品功能通过了VDE认证，这既是对茂睿芯在磁隔离技术领域深耕的肯定，也是茂睿芯对客户负责的体现。相信在 VDE 认证的加持下，以MD18011为代表的茂睿芯磁隔离产品将为国内外客户提供更多高品质的产品和解决方案，为行业发展贡献自己的力量!

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茂睿芯

发布时间：2024-11-06 14:24 阅读量：201 继续阅读>>

解决方案 | 瑞萨三合一<span style='color:red'>驱动</span>单元方案，助力电动车轻盈启航

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解决方案 | 瑞萨三合一驱动单元方案，助力电动车轻盈启航

　　如今，电动汽车驱动器正在从传统的分布式系统过渡到集中式架构。　　在传统的电动汽车设计中，逆变器、车载充电器、DC/DC转换器等关键部件往往采用分布式布局，各自独立工作，通过复杂的线束相互连接。这种设计方式不仅繁杂笨重，且维护起来也异常复杂。在这种情况下，X-in-1技术应用而生。X-in-1技术是一种动力传动系统的集成技术，‌旨在将多个动力传动组件集成到单一的系统中，‌以提高整体性能、‌减少体积和重量。‌　　基于X-in-1技术，瑞萨推出三合一电动汽车单元解决方案，该方案将多个分布式系统集成到一个实体中，包括车载充电器，牵引电机控制，以及DC/DC转换器。这种集成极大简化了车辆组装难度，同时也降低了系统成本。　　该方案采用适用于HEV/EV电机控制的高端车载微控制器RH850/C1M作为核心控制。RH850/C1M的内部旋转变压器/数字转换器(RDC2)和增强电机控制单元(EMU2)可降低CPU负载，只需与CPU进行少量交互即可有效控制电机。在MCU供电方面，方案采用RAA270000KFT电源管理IC。其包含两个集成的电流模式DC/DC转换器、四个低压差线性稳压器和两个线性跟踪器，实现了稳压器的过压、欠压检测等多种检测和诊断功能。　　在负载电源转换的设计中，本方案采用PFC+LLC架构，并搭载TP65H035G4WS 650V 35mΩ氮化镓FET、RBA250N10CHPF-4UA02 MOSFET、ISL28214运算放大器以及ISL81802双通道同步降压控制器。　　其中，ISL81802是一款双通道同步降压控制器，采用峰值电流模式控制，两个输出具有相位交错功能。每个输出都有配备了电压调节器、电流监视器和平均电流调节器，以提供独立的平均电压和电流控制。内部锁相环(PLL)振荡器可确保100kHz至1MHz的精确频率设置，并且振荡器可与外部时钟信号同步，以实现频率同步和相位交错并联应用。　　在牵引逆变器的设计上，本方案采用RBA250N10CHPF-4UA02 MOSFET和ISL78434半桥NMOS FET驱动器。ISL78434半桥NMOS FET驱动器具有双独立输入，可分别用于控制高侧和低侧驱动器，能够为每个栅极驱动器提供独立的拉电流和灌电流引脚。　　随着电动汽车市场竞争的加剧，X-in-1技术的应用将变得更加广泛。在这一背景下，瑞萨将继续凭借其在微控制器(MCU)、电源管理IC、模拟与混合信号IC以及连接等领域的深厚积累，积极应对市场挑战，为电动汽车制造商提供全面的技术支持与产品服务。

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瑞萨电子

发布时间：2024-09-27 13:52 阅读量：750 继续阅读>>

芯进电子 | 超宽体，超高耐压，光耦兼容，单通道隔离<span style='color:red'>驱动</span>CCi8335系列芯片

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芯进电子 | 超宽体，超高耐压，光耦兼容，单通道隔离驱动CCi8335系列芯片

　　针对1.5kV光伏逆变器应用系统，芯进电子专门研发并推出了超高耐压的光耦兼容单通道隔离驱动CCi8335系列芯片。为了适应1.5kV及以上的系统工作电压需要，CCi8335在耐压方面进行了全方位优化，采用了体宽为15mm的超宽体SOP8WW封装，同时采用了公司最新一代专利的超高耐压隔离膜技术，AC, BV, SURGE峰值都超过了24KV，VISO=8KVrms;VIOWM至少可达到2000Vrms和2828Vpk, 动态CMTI>150V/ns; 隔离耐压达到了国际领先水平。可以pin2pin替换ACNT-H3X3等隔离驱动芯片。　　产品优势与主要特性　　1、实现光兼容单通道隔离式栅极驱动器　　2、超高耐压 & 高可靠性专利隔离膜技术，远超增强型隔离标准　　VIOWM ≥ 2000VRMS　　隔离等级高达 8000VRMS　　浪涌能力高达 24kVPK　　3、共模瞬态抑制：典型值大于±150V/ns　　4、输出驱动侧 VCC的最大工作电压 33V　　5、UVLO 四档可选(A-5V, B-8V, C-10V, D-12V)　　6、具有 6A 峰值拉电流和 8A 峰值灌电流　　7、60ns 典型传播延迟　　8、25ns 最大脉宽失真　　9、输入级具有 24V 反向电压处理，反向击穿电压 26V　　10、多项国家发明专利，超高耐压&可靠性的隔离膜和封装技术。　　应用场景　　太阳能逆变器、储能　　变频器、直流充电桩　　UPS 和电池充电器　　隔离 IGBT、功率 MOSFET 栅极驱动　　▲ 典型应用图　　实测数据　　CCi8335系列芯片因超高压耐压需求而生，实测数据显示: AC BV和SURGE峰值都超过了24KV, VISO=8KVrms; VIOWM至少可达到2000Vrms和2828Vpk，动态CMTI>150V/ns, 达到了目前国际领先的隔离耐压水平。　　1、超高耐压、超强可靠性高可靠性，远超增强型隔离标准，国际领先　　VIOWM ≥ 2000VRMS　　隔离等级高达 8000VRMS;　　浪涌能力高达 24kV;AC BV ≥ 24kV　　在整个隔离栅具有±8kV IEC 61000-4-2 接触放电保护　　2、优秀的CMTI性能和抗干扰能力　　动态CMTI超过150V/ns;

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芯进电子

发布时间：2024-09-26 09:48 阅读量：1182 继续阅读>>

纳芯微电子：窄脉宽信号对<span style='color:red'>驱动</span>芯片的影响及解决方案

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纳芯微电子：窄脉宽信号对驱动芯片的影响及解决方案

　　01、窄脉宽的来源　　驱动芯片在各种电力电子系统中有着广泛的应用，例如整流器、DC-DC变换器、逆变器和变频器等，其工作频率和占空比范围在不同系统中各不相同。　　在常规整流器的PFC部分，根据输入电压的范围不同，其下管的占空比可以在0%到100%之间变化;　　在常见的DC-DC变换器中，开机时通常会有缓启功能，其输出脉宽会从零开始逐步增大;另外，当输出负载或输入电压发生瞬态跳变时，输出会出现瞬态变化，系统环路会根据输出电压的变化来调整驱动器的输入脉宽，在调整过程中，可能出现极大或极小的输出脉宽;　　在桥式逆变器中，当输出电压达到最大或最小峰值时，也可能出现极大和极小的输出脉宽。　　图1 正负向窄脉宽　　如果这些极大或极小脉宽没有得到有效限制，可能会影响驱动器的稳定工作;严重情况下甚至会导致驱动器或系统失效。　　02、正负窄脉宽对驱动芯片的影响　　下图2所示，是一种常见的MOSFET驱动电路，虚线框内为一个输出通道的结构示意图，其输出采用PMOS+NMOS结构。驱动器在控制功率管MOSFET M1开通和关断时，会对功率MOSFET M1的栅极拉出和灌入电流。在窄脉宽开通情况下，驱动器收到关断指令会将MOSFET M1关断，此时MOSFET M1的开通过程还没有完成，驱动器的输出仍然维持在较高的电流，当该电流突然变化，在PCB走线寄生电感和驱动器内部寄生电感的共同作用下，会在驱动器的输出引脚产生很大的电压应力，该应力可能导致芯片失效。　　为了分析和验证，将MOSFET的门极输入电容采用电容C1来代替，如下图3所示。　　考虑到PCB和芯片内部的寄生电感，其等效电路如下图4所示，其中L1、L4和L5为芯片内部寄生电感(Lbonding)，L2和L3为PCB上的寄生电感(LPCB)。　　➱下面将对不同脉宽下驱动器的应力产生和影响进行简要介绍。　　1)正向窄脉宽的状态分析　　t0~t1期间，驱动芯片内部的NMOS M3导通，PMOS M2关断，OUT输出为低，此时驱动回路中的Isrc和Isnk电流均为零;　　t1时刻，NMOS M3关断，PMOS M2导通，OUT输出拉高，给负载电容C1充电，Isnk电流为零;　　t2时刻，PMOS M2关断，NMOS M3导通，OUT输出被拉低，此时驱动电流Isrc不为零。该电流在芯片内部寄生电感和PCB走线寄生电感的共同作用下，对PMOS M2和NMOS M3的寄生输出电容进行充放电，从而导致OUT出现负向过冲电压。驱动器内部输出Pad的电压应力可以用如下公式(1)进行估算。　　其中各参数的定义如下：　　VGate: MOSFET的栅极电压　　Lbonding：IC内部的键合线产生的寄生电感，通常约为5nH　　LPCB：驱动器输出引脚到栅极PCB引线的寄生电感　　RG：MOSFET的栅极驱动电阻　　2)正常脉宽的状态分析　　t0~t1期间，驱动芯片内部NMOS M3导通，PMOS M2关断，OUT输出为低，驱动回路中Isrc和Isnk电流为零;　　t1时刻，NMOS M3关断后，PMOS M2导通，OUT输出拉高，负载电容C1充电，当电容C1充满电后，Isrc恢复到0，Isnk电流保持为零;　　t2时刻，PMOS M2关断后，NMOS M3开通，OUT输出被拉低，负载电容C1放电，当电容C1放电结束后，Isnk电流恢复到零;　　OUT输出转换过程中，lsrc或Isnk都是由零上升或下降到峰值，然后恢复到零，OUT输出没有明显的正向或负向过冲电压。　　3)负向窄脉宽的状态分析　　t0~t1期间，驱动芯片内部PMOS M2导通，NMOS M3关断，OUT输出为高，驱动回路中Isrc和Isnk电流为零;　　t1时刻，NMOS M3导通，OUT输出拉低，负载电容C1放电;　　t2时刻，NMOS M3关断，PMOS3开通，OUT输出被拉高，此时驱动回路中电流Isnk不为零，该电流在芯片内部的寄生电感和PCB走线的寄生电感的共同作用下，对PMOS M2和NMOS M3的寄生输出电容进行充放电，导致OUT输出出现显著的正向过冲电压。　　实际电路验证　　为了验证窄脉宽的影响，本实验选择了一款最大额定电压为20V的驱动芯片，并按照上图3所示的实验电路进行测试。　　实验中，芯片供电电压设置为15V，负载电容C1为27nF，输入信号频率为100kHz，脉冲宽度分别为20ns、2μs和9.98μs(对应20ns负向窄脉宽)。　　在相同脉宽下，通过调整驱动电阻R1的大小，来改变开通和关断时的驱动电流和电流变化率，得到实验结果如下所示，图中黄色线条表示输入信号，绿色线条表示输出信号。　　表2 实际电路验证结果　　如上结果所示，当驱动电阻为1Ω时，20ns的正向窄脉宽会导致-9V的负向过冲;同样，20ns的负向脉宽会导致27.4V的正向过冲，超过了芯片的额定值，会存在失效风险。正常脉宽下，OUT输出没有正负过冲现象。此外，还可以看出，在相同脉宽输入时，驱动电流越大，输出脚的正向或负向电压应力越高;因此减小驱动电流可以有效减小窄脉宽产生的正负过冲电压。　　03、解决方案和建议　　通过上面的分析和验证可以看出窄脉宽下过大的驱动电流会对输出应力产生严重影响。系统应用中为了避免驱动器输出应力超标，建议客户从以下几个方面进行优化和解决。　　PCB布局时尽量将驱动器与功率管就近放置，减小驱动器输出引脚到功率管门极之间的走线电感。　　驱动器的供电电容尽可能靠近芯片的电源引脚，且同层放置，减小因过孔和走线产生的寄生电感。　　在系统应用中，对最大和最小驱动输出脉宽进行限制，确保开通和关断前一刻驱动输出电流已降为零，避免输出出现过大的正向或负向过冲电压。　　适当调整驱动电阻，减小窄脉宽驱动回路中的电流和电流变化率。

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纳芯微电子

发布时间：2024-09-18 17:04 阅读量：476 继续阅读>>

上海贝岭800V车载PTC加热器<span style='color:red'>驱动</span>解决方案

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上海贝岭800V车载PTC加热器驱动解决方案

　　一、概述　　随着新能源汽车对800V平台技术的大量应用，汽车各高压部件就随之提出了由400V向800V切换的需求。高压PTC (Positive Temperature Coefficient)加热器作为汽车热管理系统中重要的一环，对电池、电机、电控等部件进行温度控制和管理，从而确保其能适应多样化的外部条件，使各部件能工作在最佳温度区间，提高新能源汽车的性能与安全性。　　二、车载PTC工作原理及拓扑结构　　PTC热敏电阻是一种基于正温度系数的特殊半导体陶瓷材料的电阻，其温度-阻值曲线如图1所示：在室温下，器件电阻值相对较低;当电流流经PTC电阻时，其产生的能量会使PTC电阻升温;当器件温度超过居里温度时，PTC阻值会迅速增大，回路电流会相应减小。从而可实现PTC温度维持在一定范围内。　　图1 PTC 电阻值-温度曲线　　图片来源：汽车热管理研发　　高压PTC模块的常用典型拓扑如图2所示：输入高压电由电池包取电，通过滤波后为PTC组件供电，低压部分由反激电路实现高低压隔离，功率回路通常采用并联分离驱动的方案。以图2为例，4路PTC组件代表四种工作模式，根据不同的功率需求选择开启通道数。霍尔电流传感器检测母线电流，水温传感器用以检测换热液温度以调节PTC加热器占空比实现恒温控制。　　三、贝岭BLG40T120FDL5产品介绍　　针对高压PTC应用，上海贝岭推出1200V 40A IGBT产品BLG40T120FDL5-F。采用第二代微沟槽多层场截止技术，优化了导通压降和开关损耗，实现了更好的输出特性。　　图3工艺特点　　BLG40T120FDL5合封全电流FRD，减少了电路设计时的元器件数量，提高了整体可靠性。　　图4 封装内部示意图　　为高压PTC应用提供更优的散热性能与绝缘性能，上海贝岭BLG40T120FDL5采用TO247封装。　　图5 BLG40T120FDL5-F封装外观　　四、贝岭BLG40T120FDL5性能优势　　1、通态压降Vce(sat)　　对于PTC应用而言，其较低的频率导致了器件的通态损耗在总损耗中的占比提高，为了降低损耗带来的温升，确保器件可工作在安全的温度范围，低通态压降Vce(sat)是评估IGBT器件的一个重要指标。上海贝岭BLG40T120FDL5拥有较低的导通压降，在该类应用中展现出更出色的性能。　　2、漏电流 Ices　　PTC应用中IGBT工作环境会高达125℃左右，上海贝岭BLG40T120FDL5有助于在高温环境中降低漏电流，在PTC复杂的应用场景下，在阻断状态具更低的自热，更低的结温，因而可靠性更高。　　3、向偏置安全工作区RBSOA　　RBSOA反映了IGBT器件在关断过程中CE在承受反向电压时能够安全关断的安全工作区域。在实际应用中，由于PTC的温度特性，会在居里温度附近开启时产生较大的电流，为保证PTC加热器的可靠运行，需要器件有3~4倍额定电流的安全工作区域。　　图8中CH1通道为栅极波形，CH2为CE间电压波形，CH4为Ic电流波形，室温下BLG40T120FDL5关断电流可达236.6A。　　图8 BLG40T120FDL5室温下的最大关断电流波形　　4、短路时间SCWT　　在车载高压PTC应用中，设置短路保护时同样需要考虑PTC的温度特性，为避免居里温度开启时低电阻导致的大电流触发保护机制，因此保护电流设定会偏大，并且短路保护时间达到6us以上。　　图9为BLG40T120FDL5在800V高压下的短路波形，CH1通道为栅极波形，CH2为CE间电压波形，CH4为Ic电流波形。在800V母线电压下，BLG40T120FDL5短路耐受时间达12us。　　图9 BLG40T120FDL5在800V高压下的短路波形　　五、贝岭器件选型方案　　表1 功率器件选型列表　　贝岭功率器件产品线齐全，包含MOSFET、IGBT等系列产品，为高压PTC加热器设计提供助力!

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上海贝岭

发布时间：2024-09-09 13:25 阅读量：503 继续阅读>>

广和通端侧AI解决方案<span style='color:red'>驱动</span>性能密集型场景商用型场景商用

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广和通端侧AI解决方案驱动性能密集型场景商用型场景商用

　　2024世界机器人大会期间，广和通宣布：基于高通QCS8550平台的广和通端侧AI解决方案高效使能性能密集型场景。该端侧AI解决方案整合强大AI算力、边缘侧AI数据分析及Wi-Fi 7连接方式，可为自主移动机器人、工业无人机、云服务器和AI边缘计算盒子等物联网应用提供端侧AI部署能力。　　该解决方案采用先进工艺制程和低功耗设计，具备出色的能效表现，使移动机器人保持高效性能的同时延长工作时间。其先进的AI处理能力支持复杂的视觉识别和自主决策，搭载该解决方案的机器人能够进行智能环境感知和精准操作。在智能制造产业，移动机器人利用该解决方案的图像处理能力进行精准的产品缺陷检测和自动调整操作，提升生产效率和产品质量。同时，高通QCS8550的高效计算支持路径规划和动态避障，使机器人在复杂环境中流畅安全地工作。　　面向矿业、建筑和农业等领域的低空勘测与监控需求，广和通基于高通QCS8550的解决方案具备卓越的图形和视频处理能力，使得工业无人机可实时传输并处理高分辨率图像和视频，及时监控环境并识别潜在风险，提升矿业建筑、地理勘探、农业监控的安全性。解决方案的低功耗设计确保无人机在长时间飞行中保持稳定性能，其优化的AI架构增强数据分析和智能决策能力，提高无人机任务执行效率。　　在数据处理上，该解决方案拥有快速、低时延处理大量数据的优势，可应用于复杂的AI场景。部署了该解决方案的云服务器可以实时分析来自各地的视频数据，优化城市管理和公共安全。基于QCS8550的端侧AI解决方案支持Wi-Fi 7连接能力，确保高效的数据传输和低延迟的网络连接，提升系统性能和可靠性。　　搭载了基于高通8550端侧AI解决方案的边缘计算盒子能够在本地进行高效的数据存储、计算和响应处理，减少对云端计算的依赖，广泛应用于智慧零售、智慧安防、智能制造、智慧交通等领域。边缘计算盒子可实时分析人员行为数据，提供个性化信息推荐及提醒。同时，解决方案在图形和视频处理能力支持高清视频监控和实时图像分析，增强了应用场景的灵活性和智能化水平。　　边缘侧AI处理和推理将加速物联网终端智能化，增强个性化的用户体验并优化终端成本，提升新质生产力。广和通将持续加大对端侧AI的研发与市场投入，携手产业伙伴共同构建完善端侧AI生态系统，助推科技创新和应用发展。

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发布时间：2024-08-23 11:13 阅读量：442 继续阅读>>

士兰微：新一代分体空调核心外机<span style='color:red'>驱动</span>系统硬件平台

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士兰微：新一代分体空调核心外机驱动系统硬件平台

　　围绕多元创新产品，士兰微电子为客户提供一站式的系统解决方案。以家用分体空调核心外机驱动系统为例，士兰微电子设计的“新一代分体空调核心外机驱动系统硬件平台”具有高集成度、高可靠性、小型化、高频化等特点。整体板面尺寸较上一代平台减小23%。基于新一代硬件平台更新的同时，我们还为客户提供先进且灵活的软件变频驱动算法设计服务，以及高效且全面的自动化系统测试评价服务。　　新一代68160系列 / MCU　　芯片整体全新升级芯片引脚兼容国外友商产品;　　使用自主研发全新双核ARM Mstar处理器架构，支持浮点及三角函数运算;　　对比上一代58128系列产品，运算能力提升80%以上，为多电机和高载频控制提供充足的运算资源;　　更高的集成度与扩展性芯片提供更高的集成度，集成多路运放及比较器，充分简化外围电路;　　提供更高的扩展性，68160最多可同时控制三台三相电机和一个通道的两相交错PFC。　　新一代SDH8326BS / AC-DC　　全新的大功率Buck电源设计满足稳态450mA，峰值750mA输出;　　可适用于电子膨胀阀方案;　　小型化贴片SOP16封装设计，提升散热能力，满足自动化贴片生产需求。　　DIP26系列/DIP-2V系列 / IPM　　压机驱动——DIP26系列IPM模块有带DBC和全塑封两种方案可供选择，以便于设计优化。　　风机驱动——2V系列IPM模块提供3A/4A/6A等多种电流规格可选，封装外型有插件或贴片可供选择;　　模块内置欠压，过流，过温，温度输出等功能;　　对比上一代25系列模块外形尺寸减小30%;　　VB端子和VS端子在芯片同侧使电路版图设计更方便，实现小型化。　　PFC系统 / PFC　　PFC系统载波频率的高频化，有效降低PFC电感值50%，成套器件最高可以支持75KHz载波频率应用。　　全新IGBT——SGTP30V60FD2PU使用士兰第五代工艺制作，具有更低的导通损耗和开关损耗。　　最新高速栅极驱动电路——SDH21695内部集成了欠压、过流、使能等功能，保护响应传输时间从500ns缩减至200ns。

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发布时间：2024-08-21 10:12 阅读量：444 继续阅读>>

英飞凌推出可直接<span style='color:red'>驱动</span>的单端反激式辅助电源用 1700V CoolSiC™ MOSFET

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英飞凌推出可直接驱动的单端反激式辅助电源用 1700V CoolSiC™ MOSFET

　　新品可直接驱动的单端反激式辅助电源用　　1700V CoolSiC™ MOSFET　　CoolSiC™ MOSFET 1700V G1 450mΩ、650mΩ和1000mΩ，采用TO247-3-HCC封装，适用于单端反激式辅助电源，主要应用如太阳能逆变器、电动汽车充电器、UPS和通用电机驱动器。主要特点包括：可由反激式控制器直接驱动，无需栅极驱动器IC、高耐压且损耗小、.XT互连技术可实现出色的散热性能，大爬电距离和电气间隙封装可提高可靠性。　　产品型号：　　 ·IMWH170R1K0M1　　 ·IMWH170R650M1　　 ·IMWH170R450M1　　产品特点：　　·针对反激式拓扑结构进行了优化　　·开关损耗极低　　·12V/0V驱动电压　　·与反激式控制器兼容　　·栅极阈值电压，VGS(th)=4.5V　　·.XT互联技术　　应用价值：　　·为辅助电源开发的产品　　·效率高　　·更好的热性能和耐热性　　·TO247封装，便于绝缘设计　　·无需栅极驱动器　　·更高的功率密度　　竞争优势：　　·与D2PAK-7L相比，TO247-3-HCC封装更具优势：　　·更低的热阻确保了更大的输出功率　　·TO247封装实现轻松绝缘设计　　·大爬电距离适应环境污染　　应用领域：　　·组串逆变器　　·电动汽车充电　　·通用电机驱动　　·工业电机驱动和控制

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发布时间：2024-08-07 11:07 阅读量：485 继续阅读>>

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英飞凌：650V高速半桥栅极驱动器2ED2388S06F

　　新品：650V高速半桥栅极驱动器 2ED2388S06F　　650V高速半桥栅极驱动器，具有典型的0.29A源电流和0.7A灌电流，采用DSO-8封装，用于驱动功率MOSFET和IGBT。　　产品型号：2ED2388S06F　　产品特点：　　·工作电压(相对于VS)高达+650V　　·负VS瞬态抗扰度为100V　　·集成超快、低电阻自举二极管　　·90ns传播延迟　　·最大电源电压为25V　　应用价值：　　·集成自举二极管--节省空间，降低BOM成本，更小的PCB，更简单的设计，更低的成本　　·电平转移损耗降低50%　　·出色的坚固性和抗噪性，可抵御VS引脚上的瞬态负电压　　应用领域：　　·物联网互联智能照明　　·家用电器　　·LED照明系统设计　　·电机控制和驱动器　　·智能建筑

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英飞凌

发布时间：2024-08-07 10:41 阅读量：466 继续阅读>>

瑞萨全“芯”<span style='color:red'>驱动</span>，为中国工业发展注入新质生产力

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瑞萨全“芯”驱动，为中国工业发展注入新质生产力

　　作为老牌的嵌入式产品领导者，瑞萨拥有众多的嵌入式MCU/MPU产品阵列组合。针对当前热门应用，可否为我们介绍下，瑞萨的嵌入式产品路线图以及相关的明星产品?　　瑞萨为客户提供丰富的嵌入式产品，包括MCU和MPU的产品组合。我们有RL78/RX/RA MCU产品家族，RZ MPU产品家族。　　MCU产品中，瑞萨提供私有内核和ARM内核两种产品系列供客户选择。ARM内核产品主要采用ARM Cortex-M内核。其中于去年年底推出的RA8 MCU，是业界第一款基于ARM V8.1M架构的Cortex-M85内核的MCU产品。它集成的Helium技术提供4倍于Cortex-M7的机器学习性能。集成大容量嵌入式闪存和RAM对于通用、HMI/图形、电机控制等领域有相应匹配的产品提供。　　简单介绍一下MCU产品阵容中，每个产品系列的侧重点：　　- RL78：　　主打低功耗，宽电压，支持超低管脚封装。工作主频20~32MHz　　- RX：　　主打高功效，搭载高性能内核，大容量闪存。工作主频32~240MHz　　- RA：　　主打高性能，数据加密安全，灵活软件包。工作主频32~480MHz　　再来介绍一下MPU产品阵容。瑞萨的MPU产品，是片上不带flash的处理芯片。产品阵容可以分为5大类。RZ/T，RZ/N，RZ/G，RZ/V，RZ/A，各自有各自的侧重点：　　- RZ/T：　　采用ARM实时内核，Cortex-R是侧重于电机控制+以太网通信的高集成度芯片。单芯片实现实时电机控制和多协议工业以太网通信，充分考虑到客户，尤其是伺服驱动客户的实际应用需求，给客户提供最优解决方案。后续有计划推出支持驱控一体的芯片以及解决方案，最高驱动9轴，通信协议支持也将从从站协议，拓广到对主站协议栈的支持，适用于机器人和PLC领域。　　- RZ/N：　　采用ARM实时内核，Cortex-R与RZ/T拉通平台，减少客户重复开发的工作。侧重于工业以太网通信。单芯片支持多协议工业网络通信，适用于远程IO、工业网关、通信卡等应用场景。　　- RZ/G：　　多核异构。集成ARM Cortex-A内核，适用于HMI，PLC等应用领域。支持Linux和3D图像。　　- RZ/V：　　多核异构。集成Cortex-A内核，以及AI加速器，支持Linux，适用于视觉AI领域。　　- RZ/A：　　支持2D图形，支持RTOS。　　越来越多工业应用开始数字化转型，使用自动化技术进行升级换代。在这个过程中，是否给瑞萨带来了一些机会?　　随着工业应用的数字化转型，瑞萨在工业自动化领域的产品布局也在更新换代，不断丰富完善，以适配工业自动化应用的各个层级。包括控制层的PLC、运动控制器、工业机器人、协作机器人等。以及现场层的伺服驱动器、变频器、IO、传感器等。　　对瑞萨在工业自动化中的核心技术做个归类。大致我们为工业自动化转型提供以下核心技术：　　- 工业网络：　　提供支持多种主流的工业以太网协议的芯片及解决方案。　　- 电机驱动：　　瑞萨的传统强项，继续给客户带来绿色高效高实时性的解决方案。　　- 传感器：　　通过数字模拟的完美组合，为传感器市场提供带模拟前端，支持24bit ADC的高精度的解决方案。同时，也提供IO-LINK的从站解决方案，和包含IO-Link主站与各种工业以太网从站转换的网关解决方案。　　- 功能安全：　　基于各种嵌入式产品的硬件平台，提供丰富的符合IEC61508 SIL3安全等级的功能安全解决方案。　　瑞萨与客户持续沟通合作，深入探索市场趋势和新需求，致力于不断开发新产品和新方案。　　数字化工业中，通信网络与功能安全变得十分重要，针对这两个方面，瑞萨是如何部署相关产品的?　　近几年，我们确实看到工业市场的飞速发展，其中，对工业以太网通信及功能安全的需求也越来越多，越来越迫切。刚才也提到，瑞萨在这两方面有非常多年的经验积累。顺应中国市场的需求，我们也把这些方案，以及我们多年来积累的经验，带给国内客户，助力中国工业自动化市场的发展。　　- 通信网络：　　瑞萨对工业以太网芯片的支持已有十多年历史。对近几年日益增长的市场需求，可谓做好了充分的准备。我们的方案包括单协议方案，以及多协议方案。其中，每种协议的实现方式虽各有不同，有些会采用集成硬件IP，有些则会采用软件协议栈的移植。但是，对多种协议的支持，我们采用同样的硬件来实现，客户无需针对不同协议，选取不同的芯片型号，大大降低了开发的繁复性，为客户统一平台助力。所支持的协议涵盖了市场上的主流协议，包括Profinet(RTIRT)，EtherCAT，Ethernet/IP，Modbus TCP这些工业以太网协议，以及一些总线协议，如Profibus、Powerlink、Devicenet等。　　在新的产品平台上，我们还将支持TSN标准，以及OPC-UA，支持模式上也比较灵活，客户可以选择采用瑞萨提供的免费版本，或者由我们第三方合作伙伴提供的商用版本。各种协议的兼容性产品已经得到市场的充分验证，满足工业市场对可靠性，稳定性的强烈要求。　　- 功能安全：　　瑞萨在功能安全解决方案上也经验丰富。从汽车电子的功能安全，到工业自动化领域的功能安全。瑞萨提供完整的解决方案。瑞萨的功能安全解决方案，是基于双MCU/MPU架构的方案，HFT=1，符合IEC61508 SIL3安全等级。瑞萨的这套方案，可实施于不同的嵌入式硬件平台上，比如RX MCU，RZ MPU软件交付方面，除了用于诊断MCU内部的CPU、ROM、RAM永久故障的自检测软件，还提供适用于双MCU系统，具有MCU诊断功能、调度程序和分区功能的SIL3系统软件套件。　　随着工业自动化发展，机器都要通过工业以太网进行连接，包括在传感器、PLC、驱动器之间。由于每个系统都要通过网络进行控制和监控，因此系统安全和网络协议本身都必须具有安全控制。瑞萨也提供了各种工业以太网的功能安全软件库，包括EtherCAT的FSoE，Profinet的Profisafe以及Ethernet/IP的CIP。整套功能安全软件的完整程度，在业内目前也是罕有的。这也依托于瑞萨对工业以太网的丰富经验与积累。除了软件方案，我们也同步提供可硬件评估板，认证机构要求提交的示例文档、指导书、准备指南，以及符合IEC61508认证的安全编译器。软件部分的评估版本在与瑞萨签署授权协议后即可免费获得，量产版本授权则需要购买。　　在工业以及楼宇自动化、智能家居等应用中，对电机的实时控制要求越来越高，早在很多年前，瑞萨就推出了专为电机控制设计的MCU。现在，瑞萨有哪些新的、先进的电机控制解决方案?　　瑞萨基于丰富的MCU产品线，为客户带来多种电机控制解决方案。以下是一些最新的方案的分享：　　- 基于RX26T的新一代变频空调方案　　包括压缩机驱动、直流风机FOC驱动、高频PFC、温度采集、系统控制等功能。　　- 冰箱压缩机变频驱动方案　　- 变频洗衣机驱动方案　　- 三相感应电机驱动解决方案　　瑞萨的三相感应电机驱动解决方案，采用RX13T或RX66T MCU和先进变频控制算法，简单易用。　　- 大功率全速范围FOC电机方案　　- 位置控制解决方案　　在机器人等应用场合，对于位置传感器的需求在日益增长。瑞萨支持多种类型的位置传感器电机控制应用笔记和方案。　　- 磁编码器电机控制方案　　- 旋转变压器高精度位置控制解决方案　　- 电磁感应传感器解决方案　　- RA6T2 48V-1KW逆变器解决方案　　该方案采用单极性SPWM控制方法，PID闭环算法实现了48V DC到220V AC的1KW逆变，整机效率大于95%，主要目标市场有不间断电源，家庭储能/便携式储能。　　- 双向数字电源解决方案　　瑞萨为客户提供各种相对应的评估板，解决方案套件，电机控制软件及应用手册，电机控制开发工具，网页版仿真工具，使客户能快速熟悉我们的产品，缩短自有产品开发及投放市场的时间。　　与前面说的工业等传统的行业不同，AI应用最近几年才开始火爆起来，对于嵌入式产品来说，是否可以在AI中发挥一部分的作用?　　确实是这样。AI应用是近几年来市场的一个热点。对嵌入式产品来说，瑞萨为客户提供从云端到终端的综合解决方案。瑞萨AI部署可分为两类。　　- 实时分析：　　提供Reality AI工具及解决方案。Reality AI是一个基于瑞萨MCU/MPU的工业物联网边缘AI平台。它通过进行机器学习模型开发，进行可解释性+硬件分析，为客户提供解决方案+参考设计。在边缘节点上融合了先进信号处理和机器学习。广泛用于新能源、家电以及工业物联网应用。　　Reality AI使用强大的云计算能力生成用于嵌入式传感器的机器学习代码。整个流程也非常简洁。从客户应用现场能采集到的数据，包括震动/音频信号，电信号，射频/雷达信号等，导入到我们的RAI工具软件中，在云端进行自动机器学习及数据分析，生成多种模型。根据生成的模型，我们的工程师会同客户一起选择最适合的模型，最佳的传感器，并选取最低规格符合的硬件平台。最后把所选取的最佳模型部署到我们的嵌入式系统中。　　- 机器视觉：　　依托专用AI加速硬件(DRP-AI，Helium矢量加速器)，提供e-AI模型转换工具。搭载于瑞萨RZ/V2系列MPU，为客户提供一个MPU平台可以覆盖AI性能要求。通过搭载瑞萨自有的DRP-AI，一种低功耗AI硬件加速引擎，完成端到端AI推断，无需CPU介入处理。　　在AI应用中，瑞萨又是如何部署的?有没有相关的产品或案例可以分享一下。　　以刚刚提到的电机领域为例，我们提供的一些解决方案分享。　　- REALITY CHECK MOTOR嵌入式AI电机预测性维护方案：　　这是一个实际应用RAI技术的例子。预测性维护的概念已经存在很长一段时间了。构建整体解决方案是长期以来的挑战——选择正确的传感器，收集适当的数据，并选择最有效的模型成为关键。RAI AutoML工作流帮助用户在从传感器选择、放置，甚至完全消除传感器，到数据收集的每一步自动构建最有效的模型，以解决客户手中的问题。如果客户没有很好的数据集，这里有一个完整的硬件-软件框架专门用于数据收集。　　该工具具有自动特征发现功能，这是理解正确使用建模技术的关键步骤。该工具还推荐正确的位置放置传感器，这可以带来显著的系统成本优化。在这个特定的例子中，AI仅仅使用电子和电机信号信息，没有任何传感器辅助条件下，可以预测一个不平衡负载状况。该解决方案在广泛的频率和速度范围内运行，并且速度非常快，约3.5ms的推理时间，仅占用20KB的Flash和仅9KB的RAM，在M33 core上留下了足够的空间来完成核心电机控制功能和其他任务。　　- 暖通设备：HVAC风机状态监控　　基于初始数据集，完成了对鼓风机故障的PoC检测。　　• 使用多个加速度计、温度和湿度传感器，协助客户收集压缩机单元的数据。　　• 使用Reality AI工具，实现BoM优化(BoM Optimization)确定了最具成本效益的传感器配置。　　• 轻量级模型(15KB RAM，2KB Flash)，能够在Renesas电机控制平台上运行。

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瑞萨电子

发布时间：2024-08-05 10:07 阅读量：611 继续阅读>>

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TL431ACLPR	Texas Instruments
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
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