纳芯微PrimeDrive隔离栅极<span style='color:red'>驱动</span>发布小封装版本，助力紧凑型设计
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纳芯微PrimeDrive隔离栅极驱动发布小封装版本，助力紧凑型设计

　　隔离栅极驱动，首选纳芯微PrimeDrive　　PrimeDrive是纳芯微打造的隔离栅极驱动产品家族，提供高可靠、全品类的隔离栅极驱动解决方案。　　针对高压、高dv/dt及复杂电磁环境，PrimeDrive隔离栅极驱动在驱动能力、智能保护功能、长期可靠性及系统鲁棒性等方面持续领先，助力客户降低设计与验证风险。　　产品覆盖隔离半桥栅极驱动、隔离单管栅极驱动、智能隔离栅极驱动、功能安全栅极驱动等多种品类，广泛适用于汽车、工业控制、可再生能源与电源、消费电子等应用领域，为多样化的系统设计提供稳定、可信的驱动解决方案。　　智能隔离栅极驱动NSI67xx-Q1推出SSOW20小封装版本　　在高功率密度电驱系统中，布板空间愈发成为关键约束。纳芯微PrimeDrive隔离栅极驱动NSI67xx-Q1全新推出SSOW20小封装版本，在保持原有性能与可靠性的基础上，封装尺寸较SOW16减小约40%，更适配对PCB面积要求严苛的应用场景，尤其适用于搭配紧凑型功率模组设计。　　助力电驱系统实现ASIL C功能安全目标　　基于NSI67xx-Q1的电驱系统方案，已通过德凯(DEKRA)权威评估，可支持系统实现ASIL C功能安全目标。　　方案在满足功能安全等级要求的前提下，通过合理的硬件冗余设计与系统架构优化，减少主功率回路改动，缩短开发周期，覆盖400V/800V高压平台，全面兼容SiC与IGBT功率架构，成为电驱系统实现功能安全等级的高性价比路径之一。
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发布时间：2026-03-19 09:20 阅读量：303 继续阅读>>
3D 打印“狂飙”背后：兆易创新GD32 MCU多元方案<span style='color:red'>驱动</span>性能升级
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3D 打印“狂飙”背后：兆易创新GD32 MCU多元方案驱动性能升级

　　从一张设计图纸到指尖触手可及的精巧玩具，3D打印正在化身为创客空间与家庭中的全能助手。以全球约12亿个家庭为基数计算，目前消费级3D打印机的整体渗透率尚不足1%，却已展现出高达28.8%的年复合增长率。今年行业预估全球销量有望冲击千万台级别，这意味着3D打印正在从小众爱好迈向规模化普及。　　在需求爆发与制造能力成熟的双重驱动下，3D打印已成为消费电子领域成长显著的细分赛道之一。而在这场浪潮背后，真正决定用户体验与性能边界的，是不断迭代的硬件架构与核心控制能力。在此过程中，兆易创新多元3D打印方案，凭借GD32 MCU以及与模拟、存储等多条产品线优势组合，正成为驱动行业突破性能瓶颈的关键力量。　　在行业加速升级之际，2026 TCT亚洲展于3月17日至19日在上海国家会展中心启幕。作为业界领先的半导体解决方案提供商，兆易创新在8.1馆8E130展位，以GD32 MCU多轴步进电机方案为核心展出重磅产品，彰显面向增材制造的底层驱动实力，为3D打印设备注入强劲“芯”动力。诚邀您莅临展位，共话智造新未来!　　以高性能算法重塑控制架构　　3D打印机的爆火并非一蹴而就，而是生态成熟、性能突破、价格下探与体验优化共同作用的结果，如：　　使用门槛降低：成熟的社区平台提供百万级模型资源，用户无需掌握复杂设计技能即可下载并直接打印。　　打印时间缩短：主流设备的打印速度从最开始的50mm/s突破至1000mm/s，将等待时间从数小时缩短至分钟级。　　性价比提升：入门级产品降至1000美元以内，3D 打印机已成为可入户的家用设备。　　在高速打印成为核心的背景下，电机转速不断提升的同时对震动抑制、噪音控制与温升管理提出更高要求。整机系统对主控算力、接口资源与实时控制能力的需求明显提高。　　在这一背景下，传统的MCU+多颗专用驱动IC的电机控制模式逐渐显现出成本与灵活性方面的局限。多电机结构意味着多颗驱动芯片叠加，造成BOM成本上升，同时硬件架构固定，难以支持差异化功能扩展。因此，行业开始加速推广高性能MCU+H桥电路的控制架构，通过整合驱动功能，以软件算法替代部分专用硬件，实现控制能力的集中与系统结构的简化。　　兆易创新的GD32 MCU产品系列在这一过程中展现出非常高的匹配性，其产品覆盖不同算力等级与接口资源需求，能够适配从入门级到旗舰级机型的多样化设计。　　针对Cortex®-M33/M4档位的产品，公司通过产品迭代实现性能升级，例如GD32F503系列承接GD32F303的市场定位，在保持丰富资源的同时提升性能;　　在高性能领域，则通过GD32H77D/779系列作为GD32H737/757系列的升级，为高速、高精控制提供更充裕的算力空间。这种分层规划，使客户能够在统一技术体系下完成产品升级。　　在具体方案层面，以GD32H737为代表的Cortex®-M7内核高性能MCU主频可达600MHz，拥有丰富的定时器资源与多路ADC通道，ADC精度可达14bit，能够同时驱动四轴甚至更多路步进电机。依托高性能MCU的算力优势，兆易创新的方案可实现更高阶的控制算法，提升高低速控制性能：　　在高速表现上，最高实测可达到1000mm/s速度(2000rpm以上)，20000mm/s(2)的加速度。　　在低速表现上，可实现低速共振抑制功能，主动抑制步进电机谐波干扰转矩产生的低速共振，降低低速运行的低频共振噪音和振纹，提高模型表面打印质量。　　此外，自研堵转检测算法可在归零阶段实现无物理限位开关定位，减少结构复杂度;自研的自适应降电流算法则在非运动轴静止时降低驱动电流，有效控制温升与功耗。多个算法模块在同一MCU平台内协同运行，使系统控制更加集中高效。　　实测结果印证了该方案的优异表现。在小船模型快速打印测试中，包含加热等待，总耗时15分钟打印完成;在薄壁模型高速打印测试中，最大速度600mm/s，最大加速度达到11000mm/s(2);在50×50×50mm立方体模型打印测试中，最大速度500mm/s，最大加速度12000mm/s(2)，打印精度±0.1mm。　　总体而言，兆易创新的高性能MCU + H桥架构，不仅精准契合了3D打印智能化、多色化与高速化的趋势，也在极致性能与成本控制之间找到了理想的平衡点。　　从单一芯片到全栈解决方案　　在这场3D打印的普及浪潮中，设备对硬件性能的要求正变得越来越苛刻，一台性能出色的3D打印机不仅需要强大的主控算力，还需要大容量存储、精准的模拟器件和传感器的支撑。　　兆易创新的多产品线布局与3D打印需求深度契合。在产品原型机架构中，GD32 MCU承担核心控制与驱动功能，配合SPI NOR/NAND Flash，为复杂系统运行及多传感器融合提供高带宽的数据支撑。GD30DR30系列的H桥为电机提供了澎湃动力，GD30AP系列运放为信号精确采集提供有力支持。　　过去，兆易创新多以芯片供应商的身份参与产业链，而现在通过预集成自研电机算法与控制框架，开始向客户输出成熟的整体解决方案。这种转变不仅显著缩短客户的开发周期，降低研发门槛，还实现了算法与硬件的一体化服务。　　未来，随着AI与多传感器融合技术的演进，3D打印将向着更智能、更高速、更安静的方向迭代。在这一趋势下，拥有高算力平台与核心算法能力的企业将占据技术主动权。兆易创新正凭借其综合解决方案商的定位，在这一高成长赛道中构建起独特的竞争优势。
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发布时间：2026-03-18 10:01 阅读量：252 继续阅读>>
兆易创新GD32M531 MCU全新登场 硬核<span style='color:red'>驱动</span>电机控制技术创新
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兆易创新GD32M531 MCU全新登场 硬核驱动电机控制技术创新

　　3月11日，兆易创新(GigaDevice)宣布正式推出专为电机控制场景量身打造的GD32M531系列32位微控制器，以Arm® Cortex®-M33为核心，集成电机控制专属硬件加速器与高集成度外设资源，凭借优异的运算性能、精准的控制能力与工业级高可靠性，实现双电机+PFC精准调控，为空调外机、空气源热泵、洗衣机/干衣机、洗碗机、多头电磁灶等多种电机控制应用场景提供高能效、高性价比的解决方案。GD32M531系列MCU现已开放样品及开发板申请，将于4月起正式量产供货。　　核心技术突破：电机控制专属硬件加速，精度与效率双飞跃　　GD32M531系列的核心优势在于专为电机控制优化的硬件架构，从算力、控制精度到保护机制实现全维度升级：　　内置三角函数及矢量空间SVPWM硬件加速器，专为FOC算法设计，大幅降低CPU运算负荷，使无感FOC算法执行效率大幅提升，实现出色的电机转速控制精度，显著降低运行噪音并提升能效;　　搭载2路增强型AD-Timers，支持两组FOC独立驱动，配合硬件相移ADC联动触发功能，实现电流、电压信号的同步精准采集，解决传统软件触发带来的延迟问题;　　创新集成POC>OC端口输出控制器，无需CPU干预即可实现滤波过流保护，响应时间低至微秒级，为电机运行提供全天候安全防护。　　关键特性解析：兼具高性能与高可靠性　　超强算力支撑复杂控制算法　　采用Arm® Cortex®-M33内核，主频高达180MHz，集成DSP扩展指令集与浮点运算单元Coremark®跑分可达705，DMIPS达267，轻松应对复杂FOC控制算法及多任务处理需求。存储配置方面，配备256KB Flash、64KB Data-Flash及32KB SRAM，满足电机控制程序存储与实时数据处理需求，全区支持ECC纠错功能，保障数据传输完整性。　　宽压宽温适应严苛环境　　支持2.7V~5.5V宽电压供电范围，适配家电产品多样化电源设计;工作温度覆盖-40℃~105℃，结温可达-40℃~125℃;具备优异的静电放电(ESD)防护性能，通过严苛的可靠性测试认证，其中人体模型(HBM)防护等级达±4KV，充电器件模型(CDM)防护等级达±1KV，并可在125℃高温环境下抵御±200mA的闩锁电流(Latch-up)，为系统在复杂电磁环境下的稳定运行提供了坚实保障，能够稳定运行于厨房、户外等极端复杂环境，满足家电产品全生命周期可靠性要求。　　高集成外设简化系统设计　　数字接口资源丰富，包含4路UART、1路I2C、1路SPI及1路CAN2.0B接口;3路专用CP-Timers与4路GP-Timers可满足交错式PFC控制需求，One-line单线调试功能简化开发与量产测试流程。　　模拟外设性能出色，2个ADC模块支持同步/异步双模采样，三通道独立采样保持电路可同时采集5个ADC通道数据，每个ADC模块可分配4个嵌套转换序列，为多参数协同控制提供灵活支持;DAC模块可作为比较器反相输入，进一步提升模拟信号处理精度。　　工业级安全认证保障合规　　GD32M531系列STL获得UL/IEC 60730 Class B功能安全认证，全面支持家电行业安全标准，为用户提供包含测试报告、证书、STL软件库在内的全量资源，协助客户加速终端设备的认证及上市进程。该系列还集成32位CRC循环冗余校验模块、UID唯一标识符及代码保护功能，Flash与SRAM全区支持ECC纠错，有效防止数据错误与非法访问，全面满足家电产品安全合规要求。　　赋能多元电机场景，加速产品创新落地　　GD32M531系列提供LQFP64/48两种封装选项，凭借其精准的电机控制能力与高集成度设计，可广泛应用于各类电机控制场景。同时，其高集成度设计可减少外部元器件数量，帮助客户优化BOM成本，缩短产品研发周期。　　双电机+PFC控制：空调外机、空气源热泵、洗衣机/干衣机、洗碗机、多头电磁灶等;　　变频控制：工业逆变器、工业水泵、工业风机、工业机器人关节等;　　多路PWM控制：光伏逆变器MPPT、户储双向DCDC、充电桩快充等。　　为加速客户产品落地，GD32M531系列提供完善的开发资源支持。官网已上线全套技术文档，包括数据手册、用户手册、软硬件设计指南及电机控制应用笔记;配套完整的SDK固件库;支持GD32 Embedded Builder IDE、Keil、IAR等主流开发工具;兼容FreeRTOS、RT-Thread、Zephyr等主流操作系统平台;同时提供开发板与丰富的方案参考设计，覆盖从底层驱动到上层应用的全流程解决方案，助力客户快速实现“从原型到量产”的开发目标。
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发布时间：2026-03-13 10:05 阅读量：322 继续阅读>>
ST意法半导体推出宇航级高速<span style='color:red'>驱动</span>器，支持高速数据传输与低电压逻辑
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ST意法半导体推出宇航级高速驱动器，支持高速数据传输与低电压逻辑

　　意法半导体的RHFLVDS41低电压差分信号驱动器为宇航应用提供更高的数据速率，在QML-V认证器件中树立了高达600Mbps数据传输速率的新性能标杆。该驱动器具备2.3V至3.6V的宽工作电压范围，兼容最新的低电压逻辑与低供电电压标准(如TIA/EIA-644和Jedec)，同时支持传统的CMOS器件。　　RHFLVDS41不仅提升了性能与灵活性，还通过4.8V绝对最大额定电压、300krad总电离剂量耐受度和8kV静电放电防护能力，增强了系统的鲁棒性与可靠性。其抗重离子能力包括：在125MeV·cm²/mg条件下无单粒子闩锁，在62.5MeV·cm²/mg条件下无单粒子瞬态。该器件采用经过宇航验证超过10年的高端130nm纯CMOS工艺。　　通过优化的直通式引脚布局，RHFLVDS41有助于优化PCB空间利用率并均衡信号走线长度，从而减轻宇航级高速接口和振荡器模块的重量与布线复杂度。　　RHFLVDS41符合EAR99出口管制条例，可轻松融入全球(包括美国和亚洲)供应链体系。该器件在欧洲设计，并在意法半导体法国雷恩的宇航级工厂制造。　　RHFLVDS41采用通用的Flat-16金属接地封装，也可提供裸片版本，以满足对空间和重量要求严苛的应用。工程模型和飞行模型现已供货。
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发布时间：2026-02-26 13:58 阅读量：338 继续阅读>>
极海电机产品线再扩容：首款GHP500N05智能功率模块与GHD1620T电机专用栅极<span style='color:red'>驱动</span>器双箭齐发
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极海电机产品线再扩容：首款GHP500N05智能功率模块与GHD1620T电机专用栅极驱动器双箭齐发

　　电机控制器作为动力调节和运动控制的核心模块，广泛应用在工业自动化、新能源汽车、机器人、无人机等领域。在科技持续革新的推动下，电机驱动与控制技术正经历多维突破，其核心器件电机驱动IC正加速向高效率、高集成、智能化方向演进。　　面向电机市场用户需求，极海持续拓展电机专用芯片产品阵容，致力于为用户提供多元化产品选择。为满足用户在系统设计上的多样化需求，极海正式推出 GHD1620T 600V电机专用栅极驱动器及首款GHP500N05智能功率模块IPM新品。　　GHD1620T：600V双N沟道单相电机专用栅极驱动器　　GHD1620T内部集成低压差自举二极管，可为高侧电路提供足够的电压驱动开关;同时内置温度传感器输出，实现温度补偿和自适应控制，优化电机控制能效;支持宽电压范围10V~20V，提供3.3V/5V逻辑输入兼容，悬浮偏移电压+600V，适用于各种直流无刷/有刷电机应用方案。GHD1620T芯片框图　　该系列产品内置多重保护功能，如VCC/VBS欠压保护、过温保护、直通防止功能以及内置400ns死区时间，可有效保护功率器件稳定运行。　　内嵌输入/输出下拉电阻，提供稳定的驱动能力;具备高低侧通道匹配和输出/输入同相，简化控制逻辑，有效提升电机效率;峰值输出电流45mA@15V，1nF负载上升时间550ns;峰值输入电流230mA@15V，1nF负载下降时间70ns，有效降低功率器件开关损耗。　　GHP500N05：500V/5A高性能MOSFET半桥电机IPM　　极海推出的首款智能功率模块GHP500N05，集成600V耐压栅极驱动器及500V /5A高性能快恢复MOSFET，内置自举二极管、温度传感器输出以及具备多重保护功能，实现驱动+MOSFET一体化，简化外围电路设计，提升系统效率。GHP500N05芯片框图　　GHP500N05支持电源电压工作范围10V~20V，3.3V/5V逻辑输入兼容，实现与不同逻辑电平电路工作;内置直通防止功能和400ns死区时间，防止直通触发短路，提升电路安全性与稳定性;具备50V/ns的dvs/dt抗干扰度，VS引脚逻辑运行电压-11V，逻辑输入负电压容差-11V，确保模块在电压快速变化时仍能正常工作。　　应用场景　　产品均可应用于：高压吊扇、高速风筒、油烟机、高压水泵等场景。　　极海具备完善的电机生态系统，配备工具链、多场景DEMO以及快速响应的技术支持服务，为客户提供一站式开发体验，助力客户缩短产品上市周期。极海还将持续为电机应用市场推出高效率、低功耗、小型化、集成化的产品及解决方案，以满足客户在工业控制、新能源汽车、智能机器人、智能家电等领域深度开发需求。　　●GHD1620T芯片工作温度范围为-40℃~105℃，提供SOP8封装　　●GHP500N05芯片工作温度范围为-40℃~105℃，提供ESOP9封装
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发布时间：2026-02-06 16:32 阅读量：488 继续阅读>>
纳芯微多通道LED<span style='color:red'>驱动</span>正式通过ASIL B功能安全认证，助力提升汽车照明系统可靠性与开发效率
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纳芯微多通道LED驱动正式通过ASIL B功能安全认证，助力提升汽车照明系统可靠性与开发效率

　　近日，纳芯微汽车级 NSL21912/16/24FS 系列线性 LED 驱动产品正式通过第三方检测认证机构DEKRA的功能安全评估，获得ISO 26262:2018 ASIL B功能安全认证。该评估结果表明，NSL21912/16/24FS系列产品在设计、验证及测试等关键环节满足 ISO 26262 功能安全标准中 ASIL B 等级的相关要求，能够适配对功能安全与可靠性要求较高的汽车照明应用。　　权威认证，助力提升汽车照明系统：可靠性与开发效率　　当下，车灯已成为汽车品牌设计的重要载体，其应用场景众多，且部分车灯应用会直接与驾驶安全挂钩，例如制动灯、转向灯的控制。以往，车灯应用的功能安全等级往往集中于QM(Quality Management)到ASIL B之间，而由于车灯厂商的平台化设计需求，以及全球日益严苛的汽车安全法规与供应链准入要求，ASIL B已成为LED驱动芯片功能安全设计的重要目标等级。　　纳芯微此次通过认证的NSL21912/16/24FS系列产品可驱动多达12/16/24串LED，搭配高速通信接口，广泛应用于贯穿式流水尾灯，转向灯，制动灯，格栅灯以及ISD交互等场景。获得功能安全产品认证标志着该系列芯片在系统性失效以及随机硬件失效的应对能力上达到了汽车功能安全ASIL B等级要求，可有效保障车灯安全功能。　　同时，NSL21912/16/24FS系列芯片集成了多项安全措施，可以有效检测芯片自身以及外部组件的异常情况，并通过额外的Fail Safe控制功能，确保系统在检测到异常时能够进入预期的安全状态，从而提升行车安全性，保障驾乘人员及其他道路使用者的安全。　　在此基础上，纳芯微还将为汽车主机厂和Tier 1零部件供应商提供完善的功能安全文档以及技术支持，帮助客户以更低的验证成本、更快的开发速度，打造满足更高功能安全等级的汽车照明系统。　　从体系建设到产品落地：持续输出功能安全成果　　作为汽车模拟芯片行业的头部企业，纳芯微始终重视功能安全体系和产品开发能力建设。NSL21912/16/24FS系列芯片通过 ASIL B 功能安全认证，体现了纳芯微功能安全产品的落地能力。纳芯微的功能安全产品开发流程遵循 ISO 26262 V-Model，专职的功能安全团队在项目初期就深度参与芯片 SEooC(Safety Element out of Context) 制定，在主导芯片安全架构定义的同时，持续运用多种安全分析方法优化设计合理性。ISO 26262 V-Model开发流程　　目前，纳芯微具备功能安全特性的产品已覆盖多个关键领域，包括ABS 轮速传感器 NSM41xx、超声雷达探头芯片 NSUC1800、隔离式栅极驱动 NSI6911 以及磁编码器 MT6511/6521 等。此外，纳芯微还与包括欧摩威(原大陆集团汽车子集团)在内的行业头部客户合作，联合开发功能安全的压力传感器产品。在功能安全团队及内部协同能力支撑下，纳芯微不断深化功能安全项目在多个领域的布局，为全球汽车客户提供涵盖传感器、信号链、电源管理等领域的更高功能安全等级的芯片选择。
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发布时间：2026-01-29 09:39 阅读量：490 继续阅读>>
从隔离技术到功能安全，纳芯微栅极<span style='color:red'>驱动</span>构筑全场景应用护城河
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从隔离技术到功能安全，纳芯微栅极驱动构筑全场景应用护城河

　　导读　　从2020年初推出首款驱动芯片，短短数年时间，纳芯微在驱动芯片领域已实现了跨越式发展，核心依托自身在技术、产品、市场布局等多方面的核心竞争力。　　在最近一次对外交流中，纳芯微技术市场经理庞家华就栅极驱动相关问题展开深度解读，既展现出纳芯微在产品端的创新实力，也清晰诠释了企业快速成长的底层逻辑。　　锚定核心市场，打造核心优势　　栅极驱动芯片是一种用于控制半导体功率器件(如 MOSFET、IGBT、SiC MOSFET、 GaN HEMT 等)开关速度和时间的集成电路。栅极驱动芯片可以放大控制器件的开关控制信号，提供足够的电流来对半导体功率器件的栅极进行快速充放电，从而实现高速开关，减少开关过程中的能量损失，并保护控制器件不受到过高电压或电流的损害。　　庞家华表示，栅极驱动的核心应用市场高度集中，汽车电子、电源领域(含服务器电源、各类电源模块)、光伏领域、工业自动化领域(如变频器、伺服系统)四大场景，占据了整个市场份额的百分之七八十。这四大市场，恰好也是纳芯微深耕最多年的主力赛道。　　他指出，这些核心应用场景的共性需求，是对产品可靠性的极致追求。无论是汽车电驱系统还是光伏逆变器，驱动芯片一旦出现故障，都可能引发终端应用的灾难性后果，因此客户往往将可靠性放在首位。特别是相较于马达驱动，栅极驱动往往都是大功率的应用，对于可靠性的需求不言而喻。在这一关键维度上，纳芯微的产品失效率小于1ppm(百万分之一失效率)。更重要的是，经过前几年的市场验证，纳芯微栅极驱动产品性能更稳定、不良率更低。　　纳芯微作为专业的驱动及电源芯片供应商，持续投入核心资源打磨产品性能，同时立足客户多元化的功率器件应用需求，打造出可适配不同需求的栅极驱动产品，充分贴合实际应用中的器件搭配需求。　　理解全场景，围绕应用构建一站式产品树　　纳芯微始终以 “一站式产品树” 为核心布局逻辑，针对核心领域覆盖全应用场景，并对每个场景做深度技术耕耘，核心思路是精准把握场景痛点、实现全物料配套覆盖。　　在栅极驱动核心应用领域，如电驱系统、车载充电机(OBC)、光伏逆变器、服务器电源等，纳芯微不仅提供驱动芯片，还配套采样芯片、电源芯片及各类传感器，实现不同功率等级应用场景的全覆盖。　　庞家华表示，栅极驱动尽管在应用场景中作用大体相同，但由于应用本身也在不断发展演变并产生新的需求，纳芯微会将这些新需求列为解决的目标，并根据客户的产品规划来构建产品树，与客户共同成长。“我们会持续关注重点应用的发展趋势，紧跟客户的产品迭代节奏，从而不断完善产品树，这一逻辑不仅适用于栅极驱动产品，也适用于公司所有产品方向。”庞家华强调道。　　纳芯微采用了“量产一代、研发一代、预研一代”的研发节奏，基本上每年都会有新产品推出。“前几年需要先完善产品种类，所以迭代节奏相对慢，后续我们希望能够保持一年一代的迭代路线图，未来当产品迭代到一定阶段后，会进入创新突破期，届时迭代周期可能会调整为2-3年一代，中间的间隔期主要用于研发创新型产品。”对于产品迭代节奏，庞家华如是说道。　　目前，纳芯微已形成多系列核心产品矩阵：NSI6602 系列(半桥驱动)、NSI6801 系列(光耦替代型驱动)、NSI6611/6651 系列(智能保护功能驱动)构成核心老产品体系。　　2024 年，多款迭代产品与全新产品陆续推出：　　NSI6801 系列迭代至第三代 NSI6801E，在成本、售价及综合性能上实现全面提升;　　NSI6602 系列升级至第三代 NSI6602ME，作为全球首款带米勒钳位功能的半桥驱动，有效抑制碳化硅(SiC)应用中的米勒震荡，在 OBC 及 SiC 应用客户中反响热烈;　　NSI6611/6651 系列迭代至第二代 NSI67xx 系列，集成模拟信号采样或 ASC 保护功能，功能更丰富。　　另外，纳芯微也推出了全新功能安全驱动 NSI6911F，作为国内首款应用于电驱系统的功能安全驱动芯片。　　栅极驱动选型指南　　栅极驱动的选型主要分为以下几个步骤：　　第一步，先确定选择隔离驱动还是非隔离驱动。如需为了极致控制成本，且对性能、耐压要求不高，会选择非隔离驱动;如果应用场景对隔离、耐压有要求，则需要选择不同等级的隔离驱动。　　第二步，根据驱动对象和功率等级选择合适的驱动电流和驱动电压，不同的功率器件(如氮化镓GaN、碳化硅SiC、绝缘栅双极型晶体管IGBT等)对驱动电流和电压的要求不同，需要根据具体的功率器件类型和功率等级来匹配。　　第三步，选择额外的功能模块，包括保护功能，普通保护只有欠压保护、死区时间保护等;而智能栅极驱动集成了米勒钳位、退饱和保护、软关断电流、电源告警上报等复杂的保护功能。另外还有ADC采样、功能安全等等不同的需求。　　另外，还可以根据拓扑结构进行选型，比如选择单管驱动(仅驱动一个功率管)或半桥驱动(驱动两个功率管)。　　根据隔离、驱动种类、功能模块的区别，纳芯微有一系列独到的技术组合。庞家华特别强调，从隔离到驱动再到保护、采样和电源等功能，纳芯微多年的产品研发过程中积累了大量的成熟IP，可以支持驱动类产品的不断创新演进。　　适配第三代半导体，栅极驱动定制化解决方案　　随着第三代半导体的流行，纳芯微在栅极驱动方面做了非常多的工作，以适配不同的第三代半导体。　　首先对于SiC而言，性能与IGBT相比差异不大，但SiC的开关速度更快，这要求驱动芯片具备更高的共模瞬变抗扰度(CMTI)，以避免噪声导致器件误操作。　　对于GaN而言，驱动则相对复杂，核心难点在于高频场景下的震荡抑制，需要优化驱动电流输出，同时GaN的栅极-源极(GS)电压耐受能力较弱，过压容易导致器件损坏，所以需要确保输出电压稳定。“这些技术难点无法通过一句话概括，核心还是“实践出真知”，需要不断测试、优化，才能让产品性能达到最优。因此，纳芯微选择与头部功率器件厂商联合开发，是我们做好GaN驱动的关键，也是我们的核心优势之一。”庞家华介绍道。　　按照栅极特性差异，GaN分为常开的耗尽型(D-mode)和常关的增强型(E-mode)两种类型;按照应用场景差异，GaN需要隔离或非隔离、低边或自举、零伏或负压关断等多种驱动方式。针对不同类型的GaN和各种应用场景，纳芯微推出了一系列驱动IC解决方案，充分发挥GaN器件的性能优势。　　其中耗尽型GaN内部集成了一个小的MOSFET，和传统的MOSFET驱动差异不大，因此使用常规驱动芯片就能够驱动。　　去年9月，纳芯微、联合电子与英诺赛科共同签署战略合作协议，三方将聚焦新能源汽车功率电子系统，联合研发智能集成GaN相关产品。全新开发的智能GaN产品将依托三方技术积淀，提供更可靠的驱动及GaN保护集成方案，进一步提升系统功率密度。“GaN作为第三代半导体，目前仍处于技术探索阶段，无论是驱动芯片还是功率器件本身，都存在不少技术难点，要做好GaN驱动，需要进行联合开发，这将是一个不断摸索的过程。”庞家华强调道。　　高功率场景 栅极驱动双核心保护技术解析　　随着功率等级越来越高，保护电路越来越重要，选择一款合适的驱动器，可以显著提高系统的可靠性，简化系统设计，缩短研发成本。对于功率越来越大的器件，都可能因为误导通或dv/dt变化太快从而烧毁器件，因此目前保护功能中，退饱和保护(DESAT)和米勒钳位是值得注意的两项技术。　　退饱和保护主要是短路保护功能，它通过集成恒流源和比较器，监测功率器件的VCE电压，当检测到短路时，会触发软关断功能，缓慢关断功率器件，避免器件因短路烧毁。关断过程不会瞬间完成，而是缓慢进行，防止关断过快导致过压损坏。　　米勒钳位技术则主要是为了抑制米勒效应。米勒效应是在功率管开关过程中，功率管的集电极(C极)和栅极(G极)之间存在寄生电容CGD，在开关过程中会产生dv/dt变化，dv/dt与CGD的乘积会形成米勒电流，该电流会流向栅极，而栅极存在电阻Rg，电流通过电阻会产生电压，导致栅极-源极之间出现压差，从而使功率管被误打开，这就是米勒效应。　　米勒钳位技术就是通过增加一条低阻抗的泄放路径，将米勒电流释放到地，避免栅极-源极电压被抬高，防止功率管误导通。　　ASIL-D 功能安全驱动 构筑电驱系统安全核心　　功能安全指的是，栅极驱动芯片可以通过对驱动芯片自身、功率模块以及驱动系统中的失效模式进行识别，结合内在安全机制和系统级安全控制逻辑，在故障容忍时间间隔(FTTI)内使系统进入安全状态，避免因故障导致严重的危害人身安全的事件发生。　　采用满足功能安全标准的芯片来进行功能安全零部件的开发，可以大大简化系统开发流程，减少软硬件设计难度，降低失效风险，提高可靠性和鲁棒性。纳芯微的功能安全栅极驱动芯片集成了系统功能需求模块和诊断需求模块，可以有效降低系统成本。同时支持软件智能配置，可针对不同应用场景及功率模块的产品，实现差异化配置开发。“功能安全本质上是系统级的概念，即使不使用功能安全驱动芯片，也可以通过增加冗余设计、额外的保护电路等方式，实现较高的系统功能安全等级，只是这样会增加设计复杂度和成本。”庞家华介绍道。　　庞家华表示，尽管目前行业内并没有强制功能安全的驱动，但中高端车型越来越注重性能和安全，通常会选择更高安全标准的产品，随着未来行业标准的不断演进，有可能推动功能安全驱动的强制性要求。　　展望未来　　庞家华表示，除功能安全，压摆率调节将成为栅极驱动的另外一个重要发展方向，该技术通过在轻载、重载等不同工况下动态调节驱动电流，优化 dv/dt 和功率损耗之间的权衡，从而实现全场景效率最大化，既契合绿色能源发展的行业共识，又能有效帮助客户降低电池、体积等核心成本，具备显著的技术价值与市场潜力。　　实际上，在不久前出版的《节能与新能源汽车技术路线图3.0》上，纳芯微技术专家方舟介绍了栅极驱动的关键技术发展趋势，产品将向高性能、集成化、高可靠性与高安全性演进。比如，栅极驱动的关键技术趋势包括提升驱动电流能力，提供智能驱动电流调节和共模瞬变抗干扰度。此外，在工艺上还将攻关垂直MOS工艺、垂直BCD工艺及车规耐高压工艺等，预计到2040年通过设计与工艺优化实现桥驱与高边导通内阻进一步降低，全面支持48V系统。　　另外值得一提的是未来的服务器市场，特别是AI算力中心的发展，对于功率的需求越来越大，给电源驱动带来了新的机会。庞家华认为，服务器电源追求极致的功率密度，要求体积越来越小，GaN能够充分发挥高频特性，是目前高功率密度的最优选择，纳芯微也将积极拓展该领域的布局。　　“对于栅极驱动而言，功能的提升相对简单，更重要的是贴合应用场景进行技术升级。工艺优化也是同理，需要在抗干扰能力、压摆率调节功能、更大的驱动电流这些功能增加的同时，尽量缩小芯片面积，在功能和成本上达到平衡。”庞家华总结道。
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发布时间：2026-01-28 09:58 阅读量：505 继续阅读>>
Microchip推出新型600V栅极<span style='color:red'>驱动</span>器
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Microchip推出新型600V栅极驱动器

　　Microchip Technology宣布推出其600V栅驱动器系列，包含12款器件，提供半桥、高侧/低侧和三相驱动配置。基于Microchip的电源管理解决方案，这些高压栅极驱动器旨在促进工业和消费应用的电机控制和功率转换系统的开发。　　600V门极驱动器实现快速切换和高效性能，当前驱动功率范围从600mA到4.5A不等。它们支持3.3V逻辑，实现与微控制器的无缝集成。这些栅极驱动器设计具有增强的抗噪能力、施密特触发输入和内部死区以保护MOSFET，能够在高噪声环境中实现可靠的性能。　　Microchip模拟电源与接口部门副总裁Rudy Jaramillo表示：“Microchip的600V门极驱动器为我们的客户提供了应对复杂电机控制和电力转换挑战所需的可靠性和效率。这些器件帮助工程师更快、更有信心地将功率系统推向市场。”　　为了实现全面的系统解决方案，Microchip的电机控制和功率转换产品可以与公司的MCU和MOSFET一起使用。这些门极驱动力支持工业系统电气化、可再生能源增长以及对紧凑高效电机控制解决方案需求的增长等行业趋势。　　Microchip提供多种栅极驱动器产品，支持从直流-直流电源到多种电机应用的广泛应用，同时促进高设计灵活性、系统效率和稳健运行。　　Microchip Technology Inc 开发嵌入式控制与处理解决方案，旨在实现安全、互联和智能应用。凭借广泛的产品组合和简化的开发工具，公司支持高效的系统设计，旨在降低开发风险、成本和部署时间。Microchip 服务全球超过 10 万客户，其技术应用于工业、汽车、消费电子、航空航天与国防、通信及计算机等多个领域。公司总部位于亚利桑那州钱德勒，专注于可靠的产品交付、高质量的制造质量和强大的技术支持。
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发布时间：2026-01-27 10:08 阅读量：493 继续阅读>>
纳芯微推出基于QM隔离<span style='color:red'>驱动</span>、满足ASIL C功能安全等级的电驱系统方案
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纳芯微推出基于QM隔离驱动、满足ASIL C功能安全等级的电驱系统方案

　　随着新能源汽车对安全性要求的持续提升，电驱系统正从单一的动力执行单元，逐步演进为深度参与整车制动与扭矩安全控制的关键系统。在这一趋势下，于2026年实施的强制性国标GB 21670明确提出：制动系统需按照ISO 26262功能安全流程进行开发。尽管该标准并未强制规定具体的ASIL等级，但从整车扭矩安全角度来看，电驱系统由于间接或直接参与制动功能，因而需要满足更高的功能安全要求。　　在此背景下，纳芯微推出基于QM(Quality Management)隔离驱动芯片NSI67xx-Q1系列的系统级ASIL C功能安全解决方案，在满足法规与安全诉求的同时，为客户提供低变更、低成本、高可靠性、可快速落地的电驱系统解决方案。　　更高性价比选择：　　以QM隔离驱动芯片实现系统级功能安全设计　　针对电驱系统的功能安全实现，行业目前存在两种路径。　　电驱系统的功能安全实现路径　　路径一是当前行业内实现电驱系统功能安全的通用做法，其核心逻辑是追求每一个核心器件的“功能安全”，即电驱系统的MCU、PMIC、驱动芯片等核心器件本身需要具备对应的ASIL等级。　　路径二则体现了更为灵活的系统工程思维。其逻辑是在MCU与PMIC满足功能安全等级的基础上，将成熟可靠的QM隔离驱动芯片与功率器件、电机共同作为扭矩输出单元，通过对应的外围电路设计与软件架构协同，在系统层级实现功能安全目标。　　纳芯微基于QM隔离驱动芯片　　实现电驱系统级功能安全设计方案　　在电驱系统升级的实际方案落地中，路径二展现出了综合竞争优势。在开发维度，通过在硬件设计上仅增加必要的冗余关断路径，该方案最大程度地减少了对主功率回路的调整，使得软件与系统架构的改动处于高度可控范围内，显著缩短了开发周期，能够快速响应在研项目对2026年国标切换的时间要求。　　目前，该方案已全面兼容SiC与IGBT功率平台，覆盖400V及800V高压系统，成为电驱系统架构实现功能安全等级的选择之一。　　基于NSI67xx-Q1　　实现ASIL C系统级功能安全的电驱解决方案　　目前，纳芯微推出的电驱解决方案已通过第三方认证机构德凯(DEKRA)的权威评估，基于NSI67xx-Q1系列隔离驱动芯片打造的电驱系统能够满足ASIL C的功能安全等级。作为该方案的核心器件，NSI67xx-Q1系列隔离驱动芯片在性能、可靠性与工程适配性方面具备多项优势：　　集成隔离模拟采样功能：可用于温度检测或电压检测，有助于简化系统设计。　　高抗干扰能力：CMTI≥150kV/μs，适配复杂电驱电磁环境。　　高驱动能力：支持最高±10A拉灌电流，轨到轨输出，满足SiC/IGBT高功率密度电驱需求。　　更强的鲁棒性设计：在EOS、浪涌耐受等关键指标上表现出色，质量表现稳定。　　安全保护机制：支持ASC功能(原边/副边)，异常情况下可强制输出至安全状态。　　灵活封装选择：提供小型化封装(SSOW20)与标准封装(SOW16)方案，兼顾成本、空间与平台化需求。　　量产验证充分：基于成熟产品平台演进，具备良好的可靠性与一致性基础。　　德凯评估报告　　从体系到产品，　　纳芯微持续构建全栈功能安全能力　　在功能安全领域，纳芯微始终坚持体系化能力建设。早在2021年，纳芯微就已获得德国TÜV莱茵颁发的ISO 26262功能安全管理体系ASIL D "Managed"级别认证;2025年，纳芯微功能安全管理体系进一步获得莱茵TÜV颁发的ISO 26262 ASIL D "Defined-Practiced"级别认证，这标志着公司完成了从“体系建立”到“工程实践”的能力跃迁，成为国内少数具备该能力等级的模拟芯片企业。　　目前，公司已建立起从管理体系到工程实践的完整能力框架，并将其成熟应用于多款关键产品的全生命周期开发中，实现了从方法论到产品落地的成功闭环。在汽车关键应用中，纳芯微的功能安全产品已在轮速传感器、LED驱动、隔离栅极驱动、超声雷达等领域实现量产，并与包括欧摩威(原大陆集团汽车子集团)在内的行业头部客户合作，联合开发功能安全的压力传感器产品。　　依托精专的功能安全团队及深度协同能力，纳芯微正加速在多个领域推进功能安全项目，为全球汽车客户提供涵盖传感器、信号链、电源管理等领域的更高功能安全等级的芯片选择。
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发布时间：2026-01-22 13:06 阅读量：470 继续阅读>>
兆易创新GD32H7高性能系列MCU强势扩容，以“超高算力+实时通信”双擎<span style='color:red'>驱动</span>未来
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兆易创新GD32H7高性能系列MCU强势扩容，以“超高算力+实时通信”双擎驱动未来

　　1月22日，兆易创新(GigaDevice)宣布正式推出新一代GD32H7系列超高性能MCU，包含GD32H789/779系列超高性能通用MCU，以及集成EtherCAT®从站控制器GD32H78E/77E超高实时性系列MCU，该系列产品基于Arm® Cortex®-M7内核，主频高达750MHz，配备高速大容量内存架构及640KB可与CPU同频运行紧耦合内存(TCM)，实现了高性能、低动态功耗与高速通信的有机统一。该系列微控制器可适用伺服控制、变频驱动、数字电源、便携电子产品、智能家居以及消防等领域，树立性能新标杆，为下一代智能装备的升级奠定核心硬件基础。　　性能铁三角：750MHz内核、高速存储与零等待访问　　GD32H78E/77E、GD32H789/779系列MCU均基于性能强悍的Cortex®-M7内核，主频高达750MHz。该系列芯片拥有超高存储配置，最高可支持2MB Execution Flash与8MB Storage Flash，并搭载1.2MB的SRAM，更特别配备高达640KB大容量紧耦合内存(TCM)，实现CPU同频运行，指令与数据的零等待执行。无论是高实时任务、复杂算法还是密集型数据处理，这一革新架构可让算力持续释放，系统响应更快、执行更稳。　　灵活存储与强大扩展接口　　该系列MCU在外部存储与扩展连接方面展现出高度灵活性，配备2个OSPI接口支持高达200MHz时钟频率与双倍数据速率(DTR)模式，可高效直连PSRAM、HyperRAM、NAND Flash及NOR Flash等多种外部存储器，实现高速数据交换。　　同时，GD32H78E/77E、GD32H789/779系列微控制器均集成16/32位EXMC模块，进一步扩展了连接能力，可支持直接对接外部SDRAM与FPGA，不仅大幅提升了系统内存容量与数据处理带宽，也为复杂系统集成与定制化硬件协同提供了便捷可靠的桥梁。　　GD32H78E/77E系列MCU，运动控制核心芯片　　▲GD32H78E/77E芯片框图　　GD32H78E/77E系列芯片集成了EtherCAT®从站控制器，其DC同步周期精度提升至62.5微秒，达到业界先进水平。该设计不仅支持复杂的多轴联动与高动态响应控制，更能满足工业自动化、机器人、数控机床等领域对时序一致性的严苛要求，助力实现系统整体性能的提升。　　GD32H78E/77E系列芯片还配备了全面的高性能编码器接口，可原生支持多摩川(Tamagawa)T-format、HIPERFACE DSL、EnDat 2.2、BiSS-C及尼康(Nikon)A-format等主流工业编码器协议与旋转变压器(R/D Converter)，同时其通信接口具备CBC保护机制。结合其强大算力内核，GD32H78E/77E系列MCU可直接适配各类高端伺服电机与精密位置传感器，为伺服驱动器、机器人关节控制器及数控系统提供了高度集成的一站式解决方案。　　GD32H789/779系列MCU，高性能通用芯片　　▲GD32H789/779芯片框图　　GD32H789/779系列芯片不仅为复杂应用构建了全功能的通信与交互枢纽，更在模拟性能上实现突破。其内置的14-bit ADC凭借出色的设计，实现了优异的有效位数表现，同时集成的高性能数字滤波器模块(HPDF)，能直接处理外接高精度Sigma-Delta ADC，形成了从芯片内置到外接扩展的完整高精度解决方案。该系列产品核心外设资源包括：　　先进多媒体：图形处理加速器、 TFT-LCD接口、数字摄像头接口　　高速有线通信：8xU(S)ART、4xI²C、6xSPI、4xI²S　　先进网络与总线：2x10/100Mbps Ethernet、3xCAN-FD　　高性能模拟系统：2x14bit ADC(具有优异有效位)、1x12bit ADC、2CHsx12bit DAC、2xCOMP、1xHPDF(可外接高精度Σ-Δ ADC)　　高速数据接口：1xUSB HS OTG(内置PHY)、1xUSB FS(内置PHY)、2xSDIO　　全方位构建安全屏障　　兆易创新GD32H78E/77E、GD32H789/779系列MCU构建了从硬件到软件的全栈安全体系，系统性地实现了安全启动、安全调试、代码保护与安全升级等核心功能。该体系不仅提供基于安全启动与安全更新(SBSFU)的软件平台，更依托用户安全存储区等硬件机制，实现对代码与数据的多级防护，确保固件升级、完整性校验、真实性验证及防回滚检查全程可靠。　　在硬件加密层面，芯片内置的CAU模块支持DES、TDES及AES算法，并具备高效的DMA传输能力。HAU模块则支持SHA-1、SHA-224、SHA-256、MD5及HMAC等多种哈希算法，保障数据完整性与身份认证安全。此外，该系列芯片还提供EFUSE用于安全存储系统关键参数，并集成TRNG真随机数发生器，可生成高质量的32位随机数。　　该系列MCU集成了全面且高等级的安全功能，MCU STL获得德国莱茵TÜV IEC 61508 SC3(SIL 2/SIL 3)功能安全认证，全面支持 IEC 60730 Class B等各行业安全标准，并助力客户产品从容符合欧盟《网络弹性法案》(CRA)等法规，提升市场准入效率。
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发布时间：2026-01-22 11:33 阅读量：562 继续阅读>>

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