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英飞凌高压超结 <span style='color:red'>MOS</span>FET 系列产品新增工业级和车规级器件，用于静态开关应用

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英飞凌高压超结 MOSFET 系列产品新增工业级和车规级器件，用于静态开关应用

　　在静态开关应用中，电源设计侧重于最大程度地降低导通损耗、优化热性能、实现紧凑轻便的系统设计，同时以低成本实现高质量。为满足新一代解决方案的需求，英飞凌科技正在扩大其CoolMOS™ S7 系列高压超结(SJ)MOSFET 的产品阵容。该系列器件主要适用于开关电源(SMPS)、太阳能系统、电池保护、固态继电器(SSR)、电机启动器和固态断路器以及可编程逻辑控制器(PLC)、照明控制、高压电子保险丝/电子断路器和(混动)电动汽车车载充电器等应用。　　该产品组合进行了重要扩充，新增了创新的 QDPAK顶部冷却(TSC)封装，能够在较小的封装尺寸内实现丰富的功能。这些特性使得该器件在低频开关应用中极具优势，同时还可以降低成本。得益于新型大功率 QDPAK 封装，这款器件的导通电阻值仅为 10 mΩ，在市场上同电压等级产品中以及采用SMD 封装的产品中属于最低值。CoolMOS™ S7/S7A 解决方案通过最大程度地降低 MOSFET 产品的导通损耗，提高了整体效率，并提供了一种简单易用且经济高效的方式来提高系统性能。　　CoolMOS™ S7 电源开关还借助已改进的热阻来有效管理散热，通过采用创新、高效的 QDPAK 封装，减少甚至消除了固态设计中对散热器的需求，从而使系统变得更加紧凑和轻便。该系列 MOSFET产品提供顶部散热和底部散热两种封装形式，均能够抵御高脉冲电流，并应对突然的浪涌电流。此外，该系列 MOSFET产品还具有体二极管的稳健性，能够确保在交流线路换向期间可靠运行。　　由于所需的元器件较少，CoolMOS™ S7系列高压超结(SJ)MOSFET能够减少零部件的数量，进而实现灵活的系统集成，降低BOM(材料清单)成本和总体拥有成本(TCO)。同时，该系列MOSFET 产品还能缩短反应时间，尤其在断开电流时，能够更加平稳、高效地运行。　　供货情况　　用于静态开关的全新 600V 工业级 CoolMOS™ S7 和车规级 CoolMOS™ S7A 超结MOSFET ，均提供顶部冷却(TSC)和底部冷却(BSC)QDPAK封装(PG-HDSOP-22)两种封装形式可供选择。

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英飞凌

发布时间：2023-08-04 13:02 阅读量：2658 继续阅读>>

安森美:如何利用1200 V EliteSiC <span style='color:red'>MOS</span>FET 模块，打造充电更快的车载充电器？

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安森美:如何利用1200 V EliteSiC MOSFET 模块，打造充电更快的车载充电器？

　　早期的电动汽车 (EV) 由于难以存储足够的能量来驱动强大的主驱电机，行驶里程较为有限。为了延长行驶里程，电动汽车制造商增加了车辆电池的能量容量。然而，更大的电池意味着更长的充电时间。　　要能快速高效地为电动车更大的电池充电，电动车才能在市场普及并发展。2021 年，市场上排名前 12 位的电动汽车的平均电池容量为 80 kW-hr。消费者主要在家中使用车辆的车载充电器(OBC) 进行充电。为确保合理的车辆充电时间，OEM 还将 OBC 的功率容量从 6.6 kW 提高到 11 kW，甚至高达 22 kW。使用 6.6 kW OBC 时，这些电动汽车需要 12.1 小时才能充满电。而将 OBC 功率增加到 11 kW 后，充电时间缩短至 7.3 小时，而使用 22 kW OBC 时，只需 3.6 小时即可充满电。　　需要注意的是，直流快速充电桩可以提供大约 250 kW 的功率，只需 20 分钟即可为上述容量的电池充满电，而且这些充电桩不使用车辆的 OBC。然而，根据加州能源委员会的数据，购买和安装商用直流快速充电桩的平均成本超过 10 万美元。在这个价位上，直流快速充电桩只有在工业和商业应用中才有意义，因为同一个充电桩可以被许多车辆使用。目前，消费者必须依靠 OBC 在家充电，而缩短充电时间是将 OBC 功率提高到 6.6 kW 以上的主要动因。　　影响 OBC 设计的两个关键因素是电压和开关频率。　　电池电压正从 400 V 增加到 800 V 甚至更高，更高的电池电压会增加电池的能量容量（能量容量 = 电压 x 安-时容量）。例如，将电压加倍会使电池容量（以千瓦时为单位）和车辆的行驶里程都加倍。在更高的电压下运行还可以减少整个车辆所需的电流，从而降低电源系统、电池和 OBC 之间的电缆成本。　　开关频率决定了车辆所需磁性元件（如电感器）的尺寸和重量。通过提高开关频率，可以使用更小更轻的磁性元件，较小的元件比较大的元件便宜。由于更轻，它们减少了车载充电器的质量，使工程师能够在不改变整车重量的情况下，在电动汽车的其他地方增加重量。更紧凑的尺寸还意味着 OBC 系统的封装尺寸更小，有利于实现时尚的车辆设计。更小的封装还降低了 OBC 外壳在碰撞中成为危险抛射物的可能性，由此增加了安全性。简而言之，增加开关频率使设计人员能够在更小的物理尺寸内实现更高的功率密度。　　总之，更高的电压和更高的开关频率可以显著提高 OBC 的容量。开发人员面临的挑战是，他们使用的组件必须能够承受更高的电压和更高的开关频率。请注意，即使是更低的电压设计（即 400 V），也仍然可以受益于更高的开关频率，以减小磁性元件的尺寸和重量。　　碳化硅支持更高开关频率　　当前几代 OBC 架构利用超结 MOSFET 和 IGBT 组件，然而，这些技术适合以较低开关频率运行的低压应用。具体而言，硅基超级结 MOSFET 的效率随着电压的升高而降低。虽然基于 IGBT 的器件可用于更高电压应用，但 IGBT 在更高频率下的表现不佳。　　为了提供更快的充电速度，车载充电器需要一种专为更高电压和更高开关频率设计的新拓扑结构。此外，新拓扑结构需要在提供更高功率的同时，简化整体电源系统的设计。借助碳化硅 (SiC) 技术，此类新拓扑结构成为可能。　　与传统超级结 MOSFET 和硅基 IGBT 相比，基于 SiC 的器件和模块具有多项优势。例如，通常情况下，随着功率的增加，系统的整体损耗也会增加，而基于 SiC 的 MOSFET 使 OEM 能够在 OBC 系统中创建更好的电源转换电路。结果是 OEM 可以提高“从发电到驱动”的整体效率，更重要的是，在更高的电压水平下保持这样的效率。　　除了延长电动汽车的行驶里程外，使充电系统的效率最大化，与电动推进系统保持一致，还可以降低充电车辆的成本。因此，采用 SiC 技术提高 OBC 效率，不仅可以满足消费者的需求，应对竞争压力，降低电动汽车的运行成本，还可以提高电动汽车的整体可持续性。随着 11 kW 和 22 kW 电动汽车的面世，SiC 技术将继续助力提高效率和节省运行成本。　　基于 SiC 的电源系统可以提高系统效率和功率密度，其中一部分原因是由于更小无源元件具有更低电阻，导通损耗更低。因此，与超级结 MOSFET 和 IGBT 相比，SiC 提供了出色的热性能，最大程度地降低了功耗，并使系统需要相对较少的散热。　　例如，假设有一个效率为 94% 的 3.6 kW IGBT 充电器，该充电器有 200 W 的损耗。然而，随着 OBC 额定功率增加到 11 kW，94% 的效率将转化为 660 W 的损耗。产生超过 3 倍的损耗会对散热系统设计产生负面影响，给电源带来更高的负载，进一步降低效率。　　基于 SiC 的 OBC 可达到约 97% 的效率，具体取决于设计。对于一个 11 kW 的系统，这会造成大约 230 W 的损耗，相当于现有的 3.6 kW 系统所须应对的损耗。因此，用于3.6 kW IGBT系统的现有散热系统一样可以支持基于 SiC 的 11 kW 系统。换个方式比较，基于 IGBT 的 11 kW 系统的散热装置将需要比基于 SiC 的 11 kW 系统更频繁地运行，消耗额外的功率，拉低整体效率，导致运行成本增加。　　基于 SiC 的 OBC 设计　　车载充电器的功能主要分为两个阶段。　　第一个阶段是功率因数校正 (PFC)，它是 AC/DC 转换器的初始阶段，它具有三个功能：将交流电转换为直流电，将输入电压提升至正确的直流电压，以及产生单位功率因数。其中，第三个功能的作用是确保电流和电压同相。没有有效单位功率因数的系统会对电网产生干扰。　　第二个主要阶段是调节充电的 DC/DC 转换器。充电电压不是恒定的，而是根据特定的电池配置文件而变化。该配置文件使工程师能够在效率、充电时间和延长电池寿命方面实现尽可能好的充电体验。　　传统上，3.6 kW 系统 PFC 级使用一个 4 二极管整流桥将交流电转换为直流电，然后是升压转换器的一个或多个相。通常，这需要每相一个 MOSFET 和整流器或两个 MOSFET。　　要从 3.6 kW 提高到 11 kW，需要并联三个 3.6 kW 电路（见图 1）。要达到 22 kW，需要并联 6 个 3.6 kW 电路。使用 SiC 时，只需更少的功率器件就能达到 11 kW 或 22 kW，从而简化了整体设计并实现了更高的效率。　　安森美 (onsemi) 提供 NVXK2KR80WDT、NVXK2TR80WDT 和 NVXK2TR40WXT 1200 V EliteSiC MOSFET 模块，可用于电动汽车的 OBC 应用中，以发挥 SiC 的优势。这些 EliteSiC 模块可以改进 OBC 设计。NVXK2KR80WDT 是一款 Vienna 整流器模块，集成了 1200 V 80 mΩ EliteSiC MOSFET，SiC 和 Si 二极管都贴装在 Al2O3 陶瓷基板上。NVXK2TR80WDT 是一款双半桥模块，搭载 1200 V 80 mΩ EliteSiC MOSFET，贴装在 Al2O3 陶瓷基板上。NVXK2TR40WXT 是一款双半桥模块，搭载 1200 V 40 mΩ EliteSiC MOSFET，贴装在 AlN 陶瓷基板上，用于提高电流处理能力。　　而不需要三个并联的电路，或者可以使用三个 NVXK2KR80WDT 模块来实现三相 Vienna 整流器，每个模块处理一相。对于第二级，DC/DC 转换器（两个 NVXK2TR80WDT 模块或两个 NVXK2TR40WXT 模块）构成了 CLLC 谐振转换器的初级侧和次级侧桥。这种拓扑结构可以减少整体元器件数量并提高效率，元器件减少了大约 50%。22 kW 系统也可以应用这种拓扑结构。　　工程师可以使用一系列模块而不是分立元件来简化设计，同时确保具有高功率密度的紧凑设计。模块对分立元件的设计进行了整合，降低复杂性，从而减少了 OBC 制造商的设计和装配工作，同时提供了更高的可靠性。　　图片图片图片图片　　图 2. 使用碳化硅模块，仅需一个电路即可支持 11 kW 系统的所有三相　　安森美提供广泛的功率器件组合，可简化工程并提供不同的折衷方案，为工程师提供更大的灵活性。例如，相比于 NVXK2xx40WXT 的0.47°C/W 的 RqJC，NVXK2xx80WDT 有一个 1.84°C/W（每瓦温升）的 RqJC。虽然 xx80WDT 的发热量更高，但它比 xx40WXT 更小、更便宜，xx40WXT 的散热性能更好。这使开发人员能够选择合适的器件来匹配特定应用的额定功率，并在尺寸/成本和散热之间进行权衡。　　请注意，将模块的 RqJC 与分立元件的 RqJC 进行比较并不是一对一的比较。该模块已经有一个嵌入式电绝缘层，必须将其添加到分立方案中。此外，分立封装中的可比元件具有外部和内部热接口，温升比单独的分立元件要高得多。　　另一个要考虑的因素是剖面。由于可能的集成度，模块的间隙比分立式方案要好得多。例如，IEC-60664-1 要求封装至少有 5.0 mm 的间隙。选择模块可确保满足间隙要求，同时简化工程设计。　　负载平衡　　典型的充电场景是驾驶员下班回家后为电动汽车通宵充电，随着越来越多的电动汽车上路，电力公司面临的一个主要挑战将是负载平衡需求。目前，相关方正在进行研究以创建协调的智能电网，包括在全国层面和全球层面进行协调。例如，一种潜在的策略是电力公司在不同时间在不同地点使用电动汽车电池，以帮助保持电网稳定，从而满足高峰期的电动汽车充电需求。　　这些新的基于 SiC 的拓扑结构的优点之一是它们是双向的，并且在引入时很可能能够支持各种协调的智能电网策略。鉴于不断发展的法规会提出现有 EV 架构难以胜任的新功能，这种能力有助于打造面向未来的设计。　　双向 OBC 还使电动汽车能够充当家用应急发电机。例如，当下大雪造成停电后，拥有电动汽车的家庭可以使用电动汽车为加热器和照明灯等基本设备供电，供电量可达 60 千瓦时，具体取决于电池容量。随着技术的进步，电动汽车可以在多种职业场景充当发电机，比如在偏远的建筑工地提供电力。　　安森美率先推出符合汽车标准的基于 SiC 的功率模块，适用于车载充电器应用。凭借 15 年的 SiC 模块量产经验，安森美在为客户提供价值和质量方面拥有良好的业绩记录和悠久历史。　　安森美也是少数拥有全整合供应链的 SiC 制造商之一。从 SiC 晶锭生长到晶圆制造，再到模块和分立器件，安森美拥有自己的内部 SiC 制造和装配流程，以确保功率器件符合高品质标准。安森美不仅是端到端的 SiC 供应商，而且具备卓越运营能力和快速响应能力。　　下一代车载充电器需要处理高压和不断增加的开关频率，以提供汽车制造商所需的效率和功率密度。碳化硅技术支持新的拓扑结构，使电源工程师能够满足这些新的要求，同时减小 OBC 的尺寸、重量、成本和复杂性。凭借全面的电源产品组合，安森美可帮助加速 OBC 设计，为开发人员提供应用灵活性，打造出面向未来的设计，以适应不断变化的法规并支持新的应用。

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安森美

发布时间：2023-05-23 10:56 阅读量：2731 继续阅读>>

罗姆开发出超低导通电阻的Nch <span style='color:red'>MOS</span>FET

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罗姆开发出超低导通电阻的Nch MOSFET

　　罗姆开发出超低导通电阻的Nch MOSFET,有40V～150V耐压的共13款产品，非常适用于工业设备电源和各种电机驱动。　　全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）新推出“RS6xxxxBx / RH6xxxxBx系列”共13款Nch MOSFET*1产品（40V/60V/80V/100V/150V），这些产品非常适合驱动以24V、36V、48V级电源供电的应用，例如基站和服务器用的电源、工业和消费电子设备用的电机等。　　近年来，全球电力需求量持续增长，如何有效利用电力已成为迫在眉睫的课题，这就要求不断提高各种电机和基站、服务器等工业设备的工作效率。在这些应用中，中等耐压的MOSFET被广泛应用于各种电路中，制造商要求进一步降低功耗。另一方面，“导通电阻”和“Qgd”是引起MOSFET功率损耗的两项主要参数，但对于普通的MOSFET而言，由于导通电阻与芯片尺寸成反比，Qgd会成比例增加，因此很难同时兼顾这两项参数。针对这个课题，ROHM通过微细化工艺、采用铜夹片连接、改进栅极结构等措施，改善了两者之间的权衡关系。　　新产品不仅利用微细化工艺提高了器件性能，还通过采用低阻值铜夹片连接的HSOP8封装和HSMT8封装，实现了仅2.1mΩ的业界超低导通电阻（Ron）*2，相比以往产品，导通电阻降低了50%。另外，通过改进栅极结构，Qgd*3（栅-漏电荷，通常与导通电阻之间存在权衡关系）也比以往产品减少了约40%（Ron和Qgd均为耐压60V的HSOP8封装产品之间的比较）。这可以降低开关损耗和导通损耗，非常有助于各种应用产品的高效率工作。例如，当在工业设备用电源评估板上比较电源效率时，新产品在稳态工作时的输出电流范围内，实现了业界超高的电源效率（峰值时高达约95%）。　　未来，ROHM将继续开发导通电阻更低的MOSFET，通过助力各种设备降低功耗和更加节能，为环境保护等社会问题贡献力量。　　＜产品阵容＞　　RS6G120BG　　RS6G100BG　　RS6L120BG　　RS6L090BG　　RS6N120BH　　RS6P100BH　　RS6P060BH　　RS6R060BH　　RS6R035BH　　RH6G040BG　　RH6L040BG　　RH6P040BH　　RH6R025BH　　＜应用示例＞　　◇通信基站和服务器用的电源　　◇工业和消费电子产品用的电机　　＜术语解说＞　　*1）Nch MOSFET　　通过向栅极施加相对于源极为正的电压而导通的MOSFET。　　与Pch MOSFET相比，由于Nch MOSFET具有更低的导通电阻，并且在各种电路中具有更出色的易用性，因而目前在市场上更受欢迎。　　*2）导通电阻（Ron）　　MOSFET导通时漏极和源极之间的电阻值。该值越小，导通时的功率损耗越少。　　*3）Qgd（栅-漏电荷）　　MOSFET开始导通后，栅极和漏极间的电容充电期间的电荷量。该值越小，开关速度越快，开关时的损耗（功率损耗）越小。

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罗姆

发布时间：2023-05-11 09:30 阅读量：2019 继续阅读>>

德普微推出DP中压TOLL系列<span style='color:red'>MOS</span>

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德普微推出DP中压TOLL系列MOS

　　德普微推出DP中压TOLL系列MOS,该款产品采用封装凹槽设计，管脚尺寸9.9*11.7mm，375W耗散功率，最大300A电流承载能力，主要应用于电机驱动、电池保护板及不间断电源等高功率、大电流需求场景。　　采用封装凹槽设计，能够提高AOI设备的识别准确率，有效减少因为管脚焊接不良造成的缺陷，提高产品质量和生产效率。　　与TO263封装相比，TOLL系列管脚尺寸减少了23%，耗散功率提升近2倍，配以最大300A电流承载能力，可在更小的空间内承受更大的电流负载，同时提供更稳定的输出电压和电流，有效提高产品的集成度和可靠性。　　设计、制造过程中遵循严格的质量控制和测试流程，保证了自身的高品质和高可靠性。　　产品列表　　DP中压TOLL系列MOS的推出，也标志着德普在高功率、大电流领域的技术实力得到了进一步提升。后续，德普将持续加大研发投入，不断推陈出新，为客户提供更加优质的产品和服务。

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发布时间：2023-04-21 10:17 阅读量：2384 继续阅读>>

安森美推出全新800万像C<span style='color:red'>MOS</span>素图像传感器AR0822

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安森美推出全新800万像CMOS素图像传感器AR0822

　　近日，安森美(onsemi)宣布推出一款创新的图像传感器——AR0822。该器件的嵌入式高动态范围(eHDRTM)功能和优化的近红外(NIR)响应对于照明条件恶劣的应用至关重要，如安防监控、随身摄像机、门铃摄像头和机器人。该传感器的低功耗架构和运动唤醒功能旨在大幅降低系统功耗。　　是800万像素(MP)的堆叠式1/1.8英寸(对角线8.81毫米)背照式(BSI)CMOS数字图像传感器，基于2.0 ?m像素。它具有3840(H)× 2160(V)的有效像素阵列，能够以60帧/秒(fps)拍摄4K视频，以线性或eHDRTM模式(120dB)捕获图像，采用卷帘快门读出。　　安森美(onsemi)推出全新800万像CMOS素图像传感器　　实现卓越的图像质量同时优化功耗　　安森美高级副总裁兼智能感知部总经理Ross Jatou表示：“AR0822在低光照条件下实现领先业界的性能，同时使客户能够以更低的系统功耗和成本实现所需的120dB eHDRTM。这种组合给了我们的客户强有力的支持，去满足市场对更先进的成像与节能方案和更长的电池使用寿命的需求。”　　当今图像传感器面临的一个主要挑战是需要在不受控的光线条件下工作。具体来说，就是具有高动态范围(HDR)的场景，即具有特别明亮和黑暗区域的图像。虽然许多HDR技术使用多重曝光输出，向图像信号处理器(ISP)发送多达三个不同曝光的图像进行组合，但这种方法需要多达3倍的系统带宽和更昂贵的元器件，特别是在更高的分辨率下。AR0822嵌入了HDR功能，减小了系统带宽和处理器功耗，同时还通过智能线性化与曝光组合，对运动和闪烁的光源进行补偿，从而实现卓越的图像质量。　　针对物联网(IoT)应用，为了满足客户对低功耗运行和更长的电池使用寿命的期望，AR0822以运动唤醒等专用功能优化了系统功耗。大多数摄像机在待机时以较低的功耗模式运行，并在检测到运动时恢复正常运行，以节省电力。这些系统通常需要传感器和处理器同时工作来检测运动。而AR0822可以利用其运动唤醒功能智能地检测到场景的运动变化，这使得处理器进入低功耗待机模式，直到传感器检测到运动并触发处理器恢复工作模式。　　还具备增强的近红外灵敏度，和像素合并(binning)/开窗输出(windowing)等精密的摄像功能。该器件针对恶劣环境而设计，工作温度范围-30 °C到85 °C(结温)。

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发布时间：2023-03-17 10:49 阅读量：2550 继续阅读>>

帝奥微推出高性能C<span style='color:red'>MOS</span>运算放大器DIO32051ACN4

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帝奥微推出高性能CMOS运算放大器DIO32051ACN4

　　DIO32051ACN4是一款具有超低失调电压的高性能CMOS运算放大器。特点包括宽输入共模电压范围和宽输出电压摆幅，工作电源电压为1.8V至5.5V。产品能在40至+ 125°C温度范围内正常工作。　　产品主要参数：　　最大失调电压 (VOS)：DIO32051A @ ±3mV　　单位增益稳定　　增益带宽积：0.5MHz　　宽电源范围：1.8V 至 5.5V　　压摆率：0.29V/µs　　超低功耗：24µA　　业界最小的DFN封装：DFN0.8*0.8-4

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帝奥微,运算放大器,DIO32051ACN4

发布时间：2023-02-07 10:36 阅读量：2122 继续阅读>>

瑞萨电子推出新型栅极驱动IC用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC <span style='color:red'>MOS</span>FET

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瑞萨电子推出新型栅极驱动IC用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET

　　瑞萨电子推出一款全新栅极驱动IC——RAJ2930004AGM，用于驱动电动汽车（EV）逆变器的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和SiC（碳化硅）MOSFET等高压功率器件。　　栅极驱动IC作为电动汽车逆变器的重要组成部分，在逆变器控制MCU，及向逆变器供电的IGBT和SiC MOSFET间提供接口。它们在低压域接收来自MCU的控制信号，并将这些信号传递至高压域，快速开启和关闭功率器件。为适应电动车辆电池的更高电压，RAJ2930004AGM内置3.75kVrms（kV均方根）隔离器，比上一代产品的2.5kVrms隔离器更高，可支持耐压高达1200V的功率器件。此外，全新驱动IC拥有150V/ns（纳秒）或更高的CMTI（共模瞬态抗扰度）性能，在满足逆变器系统所需的高电压和快速开关速度的同时，带来可靠的通信与更强的抗噪能力。新产品在小型SOIC16封装中实现栅极驱动器的基本功能，使其成为低成本变频器系统的理想选择。　　RAJ2930004AGM可与瑞萨IGBT产品以及其它制造商的IGBT和SiC MOSFET器件共同使用。除适用于牵引逆变器外，该栅极驱动器IC还非常适合采用功率半导体的各类应用，如车载充电器和DC/DC转换器。为助力开发商将产品迅速推向市场，瑞萨推出xEV逆变器套件解决方案，该方案将栅极驱动IC与MCU、IGBT和电源管理IC相结合，并计划在2023年上半年发布包含新栅极驱动IC的版本。　　瑞萨电子汽车模拟应用特定业务部副总裁大道昭表示：“瑞萨很高兴面向车载应用推出具有高隔离电压和卓越CMTI性能的第二代栅极驱动IC。我们将继续推动针对电动车辆的应用开发，打造能减少电力损失并满足用户系统高水平功能安全性的解决方案。”　　RAJ2930004AGM栅极驱动IC的关键特性　　隔离能力　　耐受隔离电压：3.75kVrms　　CMTI（共模瞬态抗扰度）：150V/ns　　栅极驱动能力　　输出峰值电流：10A　　保护/故障检测功能　　片上有源米勒钳制　　软关断　　过流保护（DESAT保护）　　欠压锁定(UVLO)　　故障反馈　　工作温度范围：-40至125°C（Tj：最高150°C）　　该产品将通过实现高成本效益的逆变器来推动电动汽车采用率的提升，从而最大限度减少对环境的影响。

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瑞萨

发布时间：2023-01-30 13:09 阅读量：1840 继续阅读>>

同时实现业界超快反向恢复时间和超低导通电阻的 600V耐压超级结 <span style='color:red'>MOS</span>FET “R60xxVNx系列” ～非常有助于降低工业设备和白色家电的功耗～

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同时实现业界超快反向恢复时间和超低导通电阻的 600V耐压超级结 MOSFET “R60xxVNx系列” ～非常有助于降低工业设备和白色家电的功耗～

全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）的600V耐压超级结 MOSFET“PrestoMOS™”产品阵容中又新增了“R60xxVNx系列”的7款机型，新产品非常适用于电动汽车充电桩、服务器、基站等需要大功率的工业设备的电源电路、以及空调等因节能趋势而采用变频技术的白色家电的电机驱动。产品介绍资料（2.6MB）近年来，随着全球电力消耗量的增加，如何有效利用电力已成为亟待解决的课题，在这种背景下，电动汽车充电桩、服务器和基站等工业设备以及空调等白色家电的效率不断提升，因此也就要求其中所用的功率半导体进一步降低功率损耗。针对这种需求，ROHM对以往的PrestoMOS™产品进行了改进，开发出具有比同等普通产品更低的导通电阻、有助于进一步降低应用产品功耗的新产品。此次开发的新系列产品采用ROHM的新工艺实现了业界超快的反向恢复时间（trr*1），同时，与反向恢复时间存在此消彼长关系的导通电阻*2最多也可以比同等的普通产品低20%。在反向恢复时间方面，继承了PrestoMOS™系列产品已经实现的105ns（纳秒）业界超快（与TO-220FM同等封装产品相比）反向恢复时间，而且开关时的功率损耗比同等普通产品低约17%。基于这两大特点，与同等的通用产品相比，新系列可大大提高应用产品的效率。除了上述系列之外，作为标准型600V耐压超级结 MOSFET，ROHM还开发了具有更低导通电阻的“R60xxYNx系列”，此次又新增了两款机型。客户可以根据应用需求选择合适的产品群。新产品已于2022年1月开始暂以月产10万个（样品价格900日元/个，不含税）的规模投入量产。今后，ROHM将继续开发抗噪性能更出色的新系列产品，不断扩大超级结 MOSFET系列产品的阵容，通过降低各种应用产品的功耗助力解决环境保护等社会问题。＜新产品特点＞1．实现业界超快的反向恢复时间，同时实现业界超低的导通电阻PrestoMOS™“R60xxVNx系列”通过采用ROHM新工艺降低了单位面积的导通电阻。由于与反向恢复时间之间存在权衡关系而很难同时兼顾的导通电阻，与同等普通产品相比，最多可减少20%（与TO-220FM同等封装产品相比），有助于进一步降低各种应用产品的功耗。2．具有业界超快的反向恢复时间，开关损耗更低通常，当工艺向更微细的方向发展时，导通电阻等基本性能会得到改善，但与之存在此消彼长关系的反向恢复时间会变差。而ROHM的PrestoMOS™“R60xxVNx系列”采用自有的速度提升技术，实现了比同等普通产品更低的导通电阻的同时，还实现了业界超快的105ns（纳秒）反向恢复时间（与TO-220FM同等封装产品比较）。由于抑制了额外的电流量，因此与同等的普通产品相比，开关过程中的功率损耗可以降低约17%。相比之下，包括“R60xxYNx系列”在内的标准型且相同导通电阻产品的反向恢复时间约300～400ns（纳秒）。由于上述两大特点，在搭载了追求高效率的同步整流升压电路*3的评估板上，与导通电阻60mΩ级的产品进行比较时，“R60xxVNx系列”表现出比同等普通产品更出色的效率，非常有助于降低光伏逆变器和不间断电源（UPS）等应用的功耗。＜产品阵容＞R60xxVNx系列（PrestoMOS™型）耐压VDS[V]导通电阻RONtyp.[mΩ]VGS=15V反向恢复时间trrtyp.[ns]封装TO-252＜DPAK＞（TO-220FM）＜TO-220FP＞TO-220ABTO-247AD（TO-247）60025065☆ R6013VND3☆ R6013VNX18068R6018VNX13080R6024VNXR6024VNX39592R6035VNXR6035VNX359112☆ R6055VNX☆ R6055VNX3R6055VNZ442125R6077VNZ422167☆ R60A4VNZ4☆: 开发中封装采用JEDEC标准。（）内表示ROHM封装，〈〉内表示GENERAL代码。R60xxYNx系列（标准型）耐压VDS[V]导通电阻RONtyp.[mΩ]VGS=12V反向恢复时间trrtyp.[ns]封装TO-252＜DPAK＞（TO-220FM）＜TO-220FP＞TO-220ABTO-3PFTO-247AD（TO-247）MO-299（TOLL）600324200～600☆ R6010YND3☆ R6010YNX☆ R6010YNX3215☆ R6014YND3R6014YNX☆ R6014YNX3154R6020YNX☆ R6020YNX3☆ R6020YNZ4☆ R6020YNJ2137☆ R6022YNX☆ R6022YNX3☆ R6022YNZ4☆ R6022YNJ2112☆ R6027YNX☆ R6027YNX3☆ R6027YNZ4☆ R6027YNJ280☆ R6038YNX☆ R6038YNX3☆ R6038YNZ4☆ R6038YNJ268☆ R6049YNX☆ R6049YNX3☆ R6049YNZ4☆ R6049YNJ250☆ R6061YNX☆ R6061YNX3☆ R6061YNZ449☆ R6063YNJ236☆ R6086YNZ☆ R6086YNZ421☆ R60A4YNZ4☆: 开发中封装采用JEDEC标准。（）内表示ROHM封装，〈〉内表示GENERAL代码。＜应用示例＞■电动汽车充电桩、服务器、基站、光伏逆变器（功率调节器）、不间断电源（UPS）等■空调等白色家电■其他各种设备的电机驱动和电源电路等＜什么是PrestoMOS™？＞Presto意为“非常快”，是源于意大利语的音乐术语。PrestoMOS™是采用了ROHM自有的Lifetime控制技术、并以业界超快的反向恢复时间（trr）著称的功率MOSFET。・PrestoMOS是ROHM Co., Ltd.的商标。＜用语说明＞*1) trr：反向恢复时间（Reverse Recovery Time）内置的二极管从导通状态到完全关断状态所需的时间。该值越低，开关时的损耗越小。*2) 导通电阻MOSFET导通时漏极和源极之间的电阻值。该值越小，导通时的损耗（功率损耗）越少。*3) 同步整流升压电路通常，在由MOSFET和二极管组成的升压电路中，用来将二极管改为MOSFET以提升效率的电路。由于MOSFET导通电阻带来的损耗要小于二极管VF带来的功率损耗，因此这种电路的效率更高。＜宣传单＞600V耐压超级结MOSFET新系列高速二极管内置型(PrestoMOS™) R60xxVNx系列/低导通电阻型R60xxYNx系列 (PDF:1.21MB)＜相关信息＞特设网页: 实现高速开关和低导通电阻　Super Junction MOSFE

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MOSFET 开关损耗降低功耗

发布时间：2022-04-12 15:22 阅读量：2494 继续阅读>>

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mos管是什么器件 mos管厂家哪个专业

想必很多客户在选择mos管厂家时，通常都很担心选择的厂家不正规不专业，难免就会影响到产品的使用质量和功能。为了选择更值得信赖的专业厂家，就要通过下面这些方法进行确定和判断，鉴别到底哪个厂家值得选择。mos管厂家哪个专业?怎样确定和鉴别呢?1、考察厂家的生产实例mos管厂家是否专业需要通过多方面因素进行判断，例如厂家的生产加工技术水平，还有在生产方面的独家专利，尤其是生产流水线是否符合高端标准，这都是考察一个厂家是否具备专业实力的重要条件。2、注意厂家的品质监管建议广大客户一定要注意厂家的品质，监管方面是否很严格，mos管厂家在为客户提供生产销售服务时，是否能签订品质协议保障。同时，还能确保产品是原装正品，拥有非常高端严格的检测标准，产品质量会很安全。3、对比厂家的服务模式除了要考察mos管厂家在生产方面的具体情况之外，还有对比各种不同厂家的服务模式，也就是在售前售后服务方面是否有很好的保障。是否能给客户提供针对性服务以及个性化解决方案，确保在产品生产方面具有很好优势。mos管厂家数量有很多，各种不同类型厂家都会有其独特的服务特色和专业优势。为了确定到底哪个厂家更加专业值得信赖，就要通过以上这些方法进行鉴别和判断，自然就能确定哪个厂家值得选择，在合作中，会得到很好服务体验。

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mos管

发布时间：2022-01-06 00:00 阅读量：6166 继续阅读>>

ROHM推出内置1700V SiC <span style='color:red'>MOS</span>FET的小型表贴封装AC/DC转换器IC“BM2SC12xFP2-LBZ”——有助于大幅削减工厂的安装成本，并为工业设备提供更小型、更高可靠性及更节能的解决方案~

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ROHM推出内置1700V SiC MOSFET的小型表贴封装AC/DC转换器IC“BM2SC12xFP2-LBZ”——有助于大幅削减工厂的安装成本，并为工业设备提供更小型、更高可靠性及更节能的解决方案~

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向大功率通用逆变器、AC伺服、商用空调、路灯等工业设备，开发出内置1700V耐压SiC MOSFET*1的AC/DC转换器*2IC“BM2SC12xFP2-LBZ”。近年来，随着节能意识的提高，在交流400V级工业设备领域，可支持更高电压、更节能、更小型的SiC功率半导体的应用越来越广。而另一方面，在工业设备中，除了主电源电路之外，还内置有为各种控制系统提供电源电压的辅助电源，但出于设计周期的考量，它们中仍然广泛采用了耐压较低的Si-MOSFET和损耗较大的IGBT，所以在节能方面存在很大课题。ROHM针对这些挑战，于2019年开始开发内置高耐压、低损耗SiC MOSFET的插装型AC/DC转换器IC，并一直致力于开发出能够更大程度地发挥SiC功率半导体性能的IC，在行业中处于先进地位。此次，新产品内置节能性能非常出色的SiC MOSFET和专为工业设备辅助电源*3优化的控制电路，并采用小型表贴封装（TO263），有助于使节能型AC/DC转换器的开发变得更容易。新产品可以利用设备自动贴装在电路板上，这在以往是不可能实现的；而且当用于交流400V、输出48W以下的辅助电源时，与采用普通产品的配置相比，部件数量显著减少（将散热板和12个部件缩减为1个）。这不仅可以降低部件故障的风险，还通过SiC MOSFET将功率转换效率提高多达5％。因此，不仅有助于大幅削减工厂的安装成本，还可以提供更加小型、更高可靠性及更节能的解决方案。未来，ROHM将继续开发SiC等先进的功率半导体*4和先进的模拟控制IC的同时，不断优化这些产品并提供更好的解决方案，为工业设备的节能和系统优化贡献力量。＜新产品特点＞“BM2SC12xFP2-LBZ”将1700V耐压SiC MOSFET和专为工业设备的辅助电源而优化的SiC MOSFET驱动用栅极驱动电路等集成于一枚封装中。通过实现以下特点，使节能型AC/DC转换器的开发更容易，不仅可以显著降低工厂的安装成本，还可为工业设备提供更小型、更高可靠性及更节能的解决方案。1．可支持高达48W输出功率的表贴封装产品，有助于大大削减工厂的安装成本新产品采用专为内置SiC MOSFET而开发的表贴封装“TO263-7L”。尽管体积小巧，但仍可充分确保处理大功率时的封装安全性（爬电距离），而且作为无散热器的表贴封装产品，可支持高达48W（24V、2A等）的输出功率。可利用自动设备将本产品贴装在电路板上，这是以往在该范围的产品无法实现的。加上可削减元器件数量的优势，将有助于大大降低工厂的安装成本。2．将散热板和多达12个部件缩减为1个，在小型化方面具有压倒性优势新产品采用一体化封装，相比采用Si-MOSFET的普通分立产品配置，部件数量显著减少，1个封装内包含多达12个部件（AC/DC转换器控制IC、800V耐压Si-MOSFET×2、齐纳二极管×3、电阻器×6）和散热板。另外，由于SiC MOSFET具有高耐压、抗噪性能优异的特点，还可实现降噪部件的小型化。3．减少开发周期和风险，内置保护功能，可靠性显著提高新产品采用一体化封装，可减少钳位电路和驱动电路的部件选型及可靠性评估的工时，可降低部件故障风险，可缩减引进SiC MOSFET时的开发周期，一举多得。另外，除了通过内置SiC MOSFET，实现了高精度过热保护（Thermal Shutdown），此外还配备了过负载保护（FB OLP）、电源电压引脚的过电压保护（VCC OVP）、过电流保护、二次侧电压的过电压保护等进行连续驱动的工业设备电源所需的丰富保护功能，实现了更高可靠性。4．激发出SiC MOSFET的性能，节能效果显著新产品中搭载的SiC MOSFET驱动用栅极驱动电路，通过更大限度地激发出SiC MOSFET的实力，与采用Si-MOSFET的普通配置相比，功率转换效率提升高达5%（截至2021年6月ROHM调查数据）。另外，本产品的控制电路采用准谐振方式，与普通的PWM方式相比，运行噪声低、效率高，可充分地降低对工业设备的噪声影响。＜内置SiC MOSFET的AC/DC转换器IC产品阵容＞产品名称封装电源电压范围MOSFET工作频率VCC OVPFB OLP工作温度范围BM2SC121FP2-LBZTO263-7L15.0V～27.5VSiC MOSFET1700V (Max.)1.12Ω (Typ. )120kHz(Max.)LatchAuto Restart－40℃～＋105℃BM2SC122FP2-LBZLatchLatchBM2SC123FP2-LBZAuto RestartAuto RestartBM2SC124FP2-LBZAuto RestartLatchBM2SCQ121T-LBZTO220-6MLatchAuto RestartBM2SCQ122T-LBZLatchLatchBM2SCQ123T-LBZAuto RestartAuto RestartBM2SCQ124T-LBZAuto RestartLatch＜应用示例＞非常适用于◇通用逆变器◇AC伺服◇PLC（Programmable Logic Controller）◇制造装置◇机器人◇商用空调◇工业用照明（路灯等）等交流400V规格的各种工业设备的辅助电源电路。销售产品：概要产品名称内置1700V耐压SiC MOSFET的AC/DC转换器ICBM2SC121FP2-LBZBM2SC122FP2-LBZBM2SC123FP2-LBZBM2SC124FP2-LBZ搭载了BM2SC123FP2-LBZ的评估板BM2SC123FP2-EVK-001＜术语解说＞*1) SiC（Silicon Carbide，碳化硅）、MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）SiC是Si（硅）和C（碳）的化合物。用作半导体材料时，因有望实现超越Si半导体极限的特性而备受瞩目。MOSFET是晶体管的一种（结构），属于最基本的半导体元器件。是可通过从外部施加电压来控制元器件的ON/OFF或电流流动的开关设备。*2) AC/DC转换器电源的一种，将交流（AC）电压转换为直流（DC）电压。一般插座中是交流电，而电子设备是直流电工作，因此，是连接插座的电子设备必须的元器件。*3) 辅助电源在大功率工业设备中，包括使电机等（主机）运行的主电源电路，也包括为控制IC及LED指示灯亮等（辅助）提供电源电压的辅助电源电路，将这种电源电路称为“辅助电源”。*4) 功率半导体用来根据用途转换电压和电流的半导体，其性能直接关系到系统和设备的功率效率。要求支持高耐压、大电流。

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ROHM BM2SC12xFP2-LBZ

发布时间：2021-07-29 00:00 阅读量：1632 继续阅读>>

型号	品牌	询价
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
TL431ACLPR	Texas Instruments
MC33074DR2G	onsemi
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor

型号	品牌	抢购
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR	Texas Instruments
STM32F429IGT6	STMicroelectronics
BP3621	ROHM Semiconductor
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor

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