基本新洁能第七代IGBT技术<span style='color:red'>NCE40ER65BP</span>介绍
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基本新洁能第七代IGBT技术NCE40ER65BP介绍

　　产品家族针对不同应用特点发展出很多不同分支，逆导IGBT是-个重要分支。逆导IGBT通过将续流二极管芯片巧妙的集成到IGBT芯片中，来实现器件性能的提升和成本的降低。业界对逆导IGBT较为常见的称呼是REVERSE CONDUCTING IGBT,缩写为RC-IGBT,也有称为SHORT ANODE IGBT,简称SA-IGBT,还有些文献中称逆导IGBT为集电极短路IGBT等，虽然名称略有差异，但都是原理都是基于阳极短路技术。　　本文推荐一款新洁能生产的逆导IGBT NCE40ER65BP,该产品是-款650V、TO-3P封装、100°C下额定电流40A的产品。我们将该产品基本的基本参数与手头常见的相近规格产品做了实测对比,其中50JR22是一款在8本公司生产的逆导IGBT, BT40T60是一款国内厂商的普通IGBT产品，详细数据如下:　　本文介绍的RC-IGBT NCE40ER65BP产品是新洁能采用第七代微沟槽场截止技术设计制造的量产产品之一,该系列产品除采用先进的微沟槽技术大幅提高器件元胞结构密度外,还采用了优化的载流子存储设计、多梯度背面缓冲层设计以及超薄漂移区工艺技术，大幅提升器件电流密度，以650V产品为例，产品电流密度可以提升至550A/CM2以上,可以与国际最先进技术世代产品性能达到相同水平。　　器件的饱和压降和开关损耗大幅度降低，器件折中特性大幅优化, 650V满足中频IGBT饱和压降典型值仅1.35V,达到目前业界最优水平。此外，该系列产品通过引入多梯度背面缓冲层设计,优化了器件的开关特性，为系统设计提供更大的余量。该系列产品全部基于全球最领先的大尺寸IGBT晶圆制造平台生产，实现了卓越器件电气特性与参数高-致性稳定性的全面结合。
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发布时间：2023-03-23 11:03 阅读量：2846 继续阅读>>

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