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长晶科技FST3.0 IGBT新品发布&<span style='color:red'>光伏</span>储能/逆变器/充电模块应用方案

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长晶科技FST3.0 IGBT新品发布&光伏储能/逆变器/充电模块应用方案

　　长晶科技本次推出了FST3.0(对标国际Gen7.0) 650V和1200V系列的三款IGBT单管，主要用于光伏储能等应用。

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长晶科技

发布时间：2024-12-02 14:04 阅读量：186 继续阅读>>

艾华：光储融合新趋势：<span style='color:red'>光伏</span>逆变器和储能PCS母线电容的应用差异

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艾华：光储融合新趋势：光伏逆变器和储能PCS母线电容的应用差异

　　小小电容，大大世界!欢迎来到AISHI“电容空间站”!本期我们将深入探索电容世界的奥秘，揭秘它们在各个领域中如何扮演不可或缺的角色。　　今天的第一步，我们将目光投向光伏逆变器和储能PCS。它们像是能源系统中的“双子星”各自拥有独特的任务。它们在电容的选择上有哪些差异呢?让我们一起揭开这些电力设备背后的奥秘，看看如何为它们量身定制最合适的电容方案!　　在全球追求“碳中和”的发展共识下，随着能源转型的持续推进，可再生能源从替代能源逐渐走向主体能源，构建新型电力系统成为迫在眉睫的要求，导致发电侧的光伏发电强制配储和用户侧储能的持续渗透，因此光储融合也成为当下的主要发展趋势和现实需要。　　光伏逆变器和储能PCS　　母线电容应用差异的思考　　作为光伏发电和储能系统的核心部件，光伏逆变器和储能PCS(变流器)，名字类似，作用领域相同，就认为两者器件应用条件相同，其实不尽然。从实际应用场景来看，光伏逆变器、储能PCS，两者既是珠联璧合的最佳拍档，也在系统功能、设备使用率、安装位置、实际收益、器件选型上有所区别，接下来我们将从上述几个方面介绍两者母线电容方案和要求的相同之处。　　01作用机理相同　　光伏逆变器和储能PCS，两者都是电力系统中的电力电子设备，具备将直流电转换为交流电的能力，以适应不同的电力需求，都能与电网互动，实现电能的双向流动。　　02拓扑基本相同　　从基本的电路拓扑来看，两者基本上都是两级电路组成：DCDC变化+DCAC逆变，都需要一定数量的母线电容来支撑母线电压。　　03母线电压相同　　从光储一体化的发展来看，不管是用户侧，还是工商业以及地面电站的应用场景，两者的母线电容方案有一定趋同的，特别是微电网和分布式能源系统中，共用母线尤为常见。例如户用机型的母线电压一般为600V，可以采用额定电压315V的电容两串方案，或者额定电压550V的电容方案;工商业机型的母线电压一般为1100V，可以采用额定电压550V的电容两串方案;地面电站机型的母线电压一般为1500V，可以采用额定电压450V的电容四串方案。　　以上为某光伏厂家225KW并网逆变器和175KW PCS的参数，母线电压均为1500V。　　AISHI电容在光伏行业的部分应用　　以上是AISHI电容器在光伏行业推荐使用的主力规格。

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艾华

发布时间：2024-10-15 13:12 阅读量：685 继续阅读>>

英飞凌：<span style='color:red'>光伏</span>混合逆变器用Easy模块

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英飞凌：光伏混合逆变器用Easy模块

　　新品：光伏混合逆变器用Easy模块　　采用CoolSiC™ MOSFET和高性能AlN DCB的Easy模块，用于功率高达12千瓦的光伏混合逆变器。　　相关产品：　　· FS3L40R07W2H5F_B70　　EasyPACK™ 2B 650V、40A三电平NPC1全桥IGBT模块，配有CoolSiC™肖特基二极管650V、TRENCHSTOP™ 5 H5 IGBT、PressFIT压接技术和AIN DCB。　　第5代CoolSiC™肖特基二极管　　耐压能力650V　　导热性更好的AlN DCB　　· FS33MR12W1M1H_B70　　EasyPACK™ 1B CoolSiC™ MOSFET SixPACK三相桥模块，1200V，33mΩ，带NTC、PressFIT压接技术和AIN DCB。　　第一代增强型CoolSiC™ MOSFET　　模块杂散电感极低　　导热性更好的AlN DCB　　应用价值：　　·实现更高频率　　·出色的模块效率　　·提高系统效率　　·实现系统成本优势　　·降低冷却要求　　·更长的使用寿命和/或更高的功率密度　　竞争优势：　　·光伏混合逆变器完整解决方案，最大功率可达12千瓦　　应用领域：　　·光伏逆变器储能逆变器

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英飞凌

发布时间：2024-08-08 10:23 阅读量：523 继续阅读>>

纳芯微：“三高一降”，<span style='color:red'>光伏</span>储能系统趋势及其模拟芯片解决方案

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纳芯微：“三高一降”，光伏储能系统趋势及其模拟芯片解决方案

　　随着全球能源需求的增长和环保意识的提高，可再生能源，尤其是光储系统得到了日益广泛的应用。光储系统，又称太阳能光伏储能发电系统，由光伏设备和储能设备组成，用于发电和能量存储。在这些系统中，模拟芯片的应用和解决方案对于提升系统效率、降低成本以及增强可靠性至关重要。本文将简要介绍光储系统的基本运作原理，以及光储系统在高压化发展趋势下，模拟芯片的机会及纳芯微解决方案。　　一、光储系统概述　　上图是一个典型的光储系统框图。系统功能的实现从左到右分别是：光伏电池板的直流输出，经过AFCI电弧故障保护后，进入到MPPT(最大功率点追踪)DC-DC电路实现前级电压抬升;经过逆变电路转化为交流电，以单相或者三相电输出并网。最上方电路为电池储能系统，通过一个双向DC-DC模块，完成电池的储电和放电。下方为MCU 和基于ARM的控制电路，在低压侧实现系统通信与控制。　　为保障系统安全可靠运行，系统中需要很多隔离器件，如数字隔离器，隔离驱动，隔离采样与隔离接口等，来实现低压侧控制电路和高压侧电源电路之间的强弱电隔离与信号传输。纳芯微可提供基于电容隔离技术的丰富隔离产品组合，以及SiC二极管和SiC MOSFET、传感器、非隔离驱动、接口、通用电源、通用运放等诸多产品，覆盖光伏逆变器、储能变流器、光伏阵列/优化器和储能电池/BMS等多个领域，为光储应用提供高可靠性的系统级解决方案。　　二、光储系统的发展趋势及模拟芯片机会　　1. 高能效和高功率密度　　随着光储系统功率密度和能源转换效率的不断提升，电源系统开关频率、开关损耗和散热性能都需要满足更高的指标要求。纳芯微可以提供支持1200V电压的SiC二极管、SiC MOSFET产品;以及带米勒钳位功能的隔离驱动芯片NSI6801M(避免功率器件误导通)和带DESAT保护功能(过流时保护功率器件不被损坏)的NSI68515，以更好地适配第三代半导体和高开关频率系统，为大功率光伏逆变器产品的安全稳定运行保驾护航。　　2. 高压化　　系统功率密度的提升带来的母线电压高压化趋势，使系统内关键部件面临更为严苛的性能挑战，尤其是实现强弱电隔离的隔离芯片。传统隔离方案通常采用光耦隔离技术，虽然其市场成熟度高，但存在抗共模干扰能力差、传输速度慢、光衰等问题，越来越无法满足光储系统的要求。相对于传统光耦隔离方案，纳芯微的产品采用双边增强隔离电容技术，并采用自有专利Adaptive OOK®信号编码技术，在隔离耐压能力、传输速度、抗干扰能力、工作温度和寿命等方面优势明显，可满足光储高压系统对芯片性能的严格要求。　　值得一提的是，纳芯微推出超宽体封装的数字隔离器和单管隔离驱动，单颗芯片提供15mm爬电距离，完全符合客户1500V高压母线需求。纳芯微隔离产品已在行业头部客户的光储系统中广泛、稳定应用，累计发货量过亿颗，得到了市场的充分验证及客户认可。　　3. 降本　　为更好支持光储系统持续降本的要求，纳芯微在提升产品集成度和性价比上也在持续投入。以霍尔电流传感器为例，纳芯微能够提供芯片级的霍尔电流检测方案，基于霍尔效应产生霍尔电压进行输入和输出侧的电流检测。在系统的PV 侧、 MPPT 侧和 AC 侧的多个电流采样点，传统的霍尔电流传感器模组方案不仅占板面积大，成本也高。纳芯微推出贴片式的霍尔电流方案，单芯片集成方案实现了更优的成本效益，且减少了约50%的占板面积，最高通流能力可达200A。该系列产品支持不同的封装耐压、通流能力和响应速度，可覆盖光储系统各个位置的电流检测需求。　　降本还意味着芯片需要有更多的功能组合，纳芯微隔离产品系列基于领先的电容隔离技术，可进一步集成驱动、采样、接口、电源等多种组合，且通过设计迭代不断提高产品竞争力，为客户持续提供高竞争力的整体芯片解决方案。　　三、总结　　面对光储系统高集成度、高功率密度、高可靠性和低成本的趋势和要求，对于纳芯微等芯片厂商而言，核心任务是适配应用的需求，提供功率密度更高、抗干扰能力更强，且能兼顾降本的产品方案。纳芯微致力于提供完善的产品组合，满足客户多样化的需求，助力客户提升系统竞争力。

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纳芯微

发布时间：2024-07-18 13:29 阅读量：515 继续阅读>>

储能逆变器和<span style='color:red'>光伏</span>逆变器的区别

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储能逆变器和光伏逆变器的区别

　　在可再生能源领域，储能逆变器(Energy Storage Inverter)和光伏逆变器(Photovoltaic Inverter)是两种常见的装置。它们在不同的应用场景中发挥重要作用。　　1. 储能逆变器　　储能逆变器是一种电力设备，主要用于控制和管理能量储存系统中的能量流动。它的主要功能是将电池等能量储存装置中存储的直流电能转换为交流电能，以供电网或负载使用。以下是储能逆变器的一些关键特点：　　双向能量流：储能逆变器具有双向能量转换的能力，可以根据需要将电能从电池系统输送到电网，也可以将电能从电网输送到电池系统进行储存。　　高效能量转换：储能逆变器通常采用高效率的电力转换技术，以最大限度地减少能量转换过程中的损耗，并提高整个储能系统的效率。　　储能管理功能：储能逆变器通过集成控制算法和通信接口，可以实现对能量储存系统的智能管理。它能够监测、控制和优化能量的充放电过程，以提高系统的性能和可靠性。　　抗干扰能力：储能逆变器需要具备较好的抗干扰能力，以应对电网波动和负载变化等外部因素对能量储存系统的影响。　　储能逆变器主要应用于电池储能系统、风能储能系统、电动车充电桩等领域。　　2. 光伏逆变器　　光伏逆变器是一种用于太阳能发电系统的装置，主要用于将光伏电池板产生的直流电转换为交流电，并将其输送到电网或供给负载。以下是光伏逆变器的一些关键特点：　　最大功率点跟踪(MPPT)：光伏逆变器通过最大功率点跟踪技术，自动调整电压和电流的匹配，以确保从光伏电池板中提取出最大的电能。　　高效能量转换：光伏逆变器采用高效的电力转换技术，以最大限度地减少能量转换过程中的损耗，并提高光伏发电系统的整体效率。　　网络接入和反馈：光伏逆变器将产生的交流电能直接注入到电网中，并与电网实现连接。此外，光伏逆变器还能够通过反馈机制控制电力质量和稳定性，以满足电网要求。　　监测和诊断功能：光伏逆变器可提供对光伏发电系统运行状态的监测和诊断功能。它可以实时显示光伏电池板的输出功率、电压和电流等参数，以便工程师进行故障排除和维护。　　光伏逆变器主要应用于太阳能发电系统。　　3. 储能逆变器与光伏逆变器的区别　　储能逆变器和光伏逆变器之间存在以下几个显著区别：　　能量来源：储能逆变器主要从电池等能量储存设备中获取能量，将其转换为交流电供电网或负载使用。而光伏逆变器则是利用光伏电池板产生的直流电能，将其转换为交流电能供电。　　功能特点：储能逆变器具有双向能量转换功能，可以实现能量的存储和释放。它还具备储能管理和智能控制功能，以优化能量的充放电过程。光伏逆变器则主要关注最大功率点跟踪和电力转换效率，以确保从光伏电池板中提取出最大的能量。　　应用领域：储能逆变器广泛应用于储能系统、风能储能系统、电动车充电桩等领域，以满足能量存储和调度的需求。光伏逆变器则主要应用于太阳能发电系统，将太阳能转换为可供电网或负载使用的交流电。　　输入电压和电流：储能逆变器通常需要处理较高的电压和电流，以满足电池等能量储存设备的要求。光伏逆变器则需要适应太阳能发电系统产生的相对较低的电压和电流。　　控制策略：储能逆变器的控制算法主要关注能量的储存和释放管理，以实现最优的能量调度。光伏逆变器的控制策略则主要集中在最大功率点跟踪，确保从光伏电池板中提取最大的电能。　　储能逆变器和光伏逆变器是两种在可再生能源领域中常见的装置。储能逆变器主要用于能量储存系统的控制和管理，具有双向能量转换和智能管理功能。而光伏逆变器主要用于太阳能发电系统，通过最大功率点跟踪技术将光伏电池板产生的直流电转换为交流电，并与电网连接。根据应用需求和能源类型的不同，选择合适的逆变器设备能够充分发挥其功能和性能。

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逆变器

发布时间：2024-01-25 09:54 阅读量：2447 继续阅读>>

AMEYA360代理品牌：纳芯微芯片解决方案为<span style='color:red'>光伏</span>市场赋能

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AMEYA360代理品牌：纳芯微芯片解决方案为光伏市场赋能

　　近年来，光伏市场进入了一个新的增长维度。SolarPower Europe数据显示，2022年全球光伏新增装机量达239GW，占所有可再生能源新增容量的三分之二。国家能源局也宣称，2022年我国工商业光伏新增装机达25.87GW，同比增长236.7%;2023年一季度工商业光伏新增装机9.21GW，刷新了年度记录。据悉，从新增装机量可以看出，目前中国是光伏装机最大增量市场。　　国际能源署(IEA)也有类似的预测：2023年光伏投资将首次超过石油投资，不过，尽管光伏在持续增长，光伏仍只占全球发电量的4.5%，其强劲增长将持续到2023年及以后。　　在细分市场，近年来屋顶光伏市场出现了明显繁荣。2022年，中国增加了51.1GW屋顶光伏，占新增总量的54%，较2021年增长29GW。　　事实上，半导体技术的创新一直在助力深挖光伏应用的巨大潜力。除了单晶硅和多晶硅材料外，在光储一体化设计方面，碳化硅(SiC)等宽禁带器件和驱动类产品正在推进功率密度不断提升，系统成本进一步降低，同时实现更多的功能。　　技术迭代助推光伏度电成本持续降低。从发展趋势来看，光伏系统的进展呈现出五大特点：　　1)采用大尺寸、高效率光伏组件，如182/210mm大尺寸硅片;材料方面使用TOPCon(隧穿氧化层钝化接触)、HJT(异质结)、钙钛矿等电池结构，将光能转换效率从目前主流光伏电池的24.5%提高到28.7%-40%以上。　　2)采用更大功率、更高功率密度的光伏逆变器，如300kW+组串式逆变器，以及4MW+集中/集散式逆变器，以实现最高的功率密度，使用户利益最大化。　　3)采用更大容量、更高容配比的组网方阵，如1.2～1.8倍高容配比的4MW+、6MW+、12MW+，减少直流电缆、支架及基础、汇流箱用量，简化安装工程，为电站投资者带来更低造价成本和更高系统收益。　　4)光伏发电与信息技术的完美融合，采用物联网(IoT)、人工智能(AI)、大数据等技术的信息化“智能光伏”电站，利用智慧大脑实现对光伏电站的集中运营和运维管理。　　5)光储融合：目前逆变系统与储能系统已开始智能化深度融合，而光储一体化设计有助于进一步降低系统成本，使运行更稳定，调度响应更精准。利用高比例新能源接入实现直流侧光储一体化、交流侧独立储能，从而支持稳定并网，让光伏发电从适应电网走向支撑电网，加速光伏成为主力能源。　　纳芯微光储解决方案为可靠性保驾护航　　作为一家高性能、高可靠性模拟及混合信号芯片公司，纳芯微将光伏作为其能源与电源业务的一个重要领域，解决方案覆盖光伏逆变器、储能变流器、光伏阵列/优化器和储能电池/BMS。日前，纳芯微已经与光伏行业的头部客户紧密合作，提供可靠的产品及服务。　　纳芯微的产品覆盖广泛，包括：SiC功率半导体、隔离/非隔离驱动芯片、隔离电流/电压采样芯片、霍尔电流传感器、数字隔离器、隔离接口芯片、通用Buck/LDO/电源监控IC、通用运算放大器、高精度电压基准源、温湿度传感器/压力传感器等。　　一、纳芯微的SiC+驱动类产品组合　　1)第三代半导体SiC器件，有效提高系统效率　　SiC功率器件具有高耐压、高速开关、低导通电压和高效率等特性，有助于降低能耗并缩小系统尺寸。特别是在光伏、储能、充电桩等高压大功率应用中，碳化硅材料的优势得以更加凸显，光伏头部厂商已经开始在储能及组串MPPT(最大功率点跟踪)应用中采用第三代半导体器件。目前，SiC二极管在光伏行业也已经得到了成熟的应用。　　为此，纳芯微推出了1200V系列SiC二极管产品。这些器件在单相或三相PFC、隔离或非隔离型DC-DC电路中均能表现出卓越的效率特性，完美满足中高压系统需求。如果将纳芯微的SiC产品和驱动类产品搭配使用，可以更好地满足客户系统个性化的需求。　　2)光耦兼容的隔离驱动，更强抗干扰能力，确保系统稳定运行　　光伏领域对可靠性有着极高的要求，产品寿命要求长达20年甚至更长，然而使用传统的光耦技术已经无法满足这一需求。纳芯微的单通道隔离驱动NSI6801能够很好地应对这一挑战，该系列产品也是目前纳芯微在光伏市场应用最广泛、出货量最大的驱动产品。NSI6801采用双电容增强隔离技术，兼容光耦输入，提供更强的隔离性能，CMTI大于150kV/us，有效提高了产品的抗干扰能力，使用寿命更长，使用温度范围更宽，开关频率更快，能够更好地适配SiC器件，稳定可靠运行。　　3)具备多种保护功能的驱动芯片，满足大功率模块的严格要求　　此外，在大功率应用中，不再只采用单颗功率器件，而是更倾向于采用功率模块。这些大功率模块对可靠性要求更加严格，因为驱动IC的失效会对整个系统造成影响。为应对这一挑战，纳芯微能够提供多种具备保护功能的驱动IC，如退饱和保护(Desat)、主动短路保护(ASC)、米勒钳位功能，产品包括单管隔离驱动NSI6601M、NSI6801M、NSI68515、NSI6611等。　　4)更多隔离/非隔离驱动供选择，满足系统设计新需求　　此外，新一代微型逆变器也逐渐开始采用两级式结构，与传统的单级结构相比，这种新结构能够减小解耦电容，并具备无功补偿能力。在这种两级结构中，前级的最大功率点跟踪(MPPT)通常采用全桥拓扑，因此可以采用纳芯微的非隔离半桥驱动器NSD1224，该产品具备更强的输入引脚和桥臂中点的耐负压能力，可提高驱动的可靠性;而后级的全桥逆变部分，则可以采用纳芯微新一代隔离半桥驱动NSI6602V，具备更大的驱动电流、更高的输入耐压和更强的抗干扰能力，使用寿命也更加持久。同时，在一些新的设计中，氮化镓器件被用于提高功率密度和系统效率，这时纳芯微的氮化镓专用驱动芯片NSD2621可以充分发挥氮化镓器件的性能。　　二、纳芯微的磁电流传感器产品　　在传统的光伏逆变器中有很多霍尔电流传感器模块，主要作用是输入/输出电流检测。纳芯微的霍尔电流传感器比霍尔电流传感器模块体积更小，可减少50%以上的占板面积，高度也更低。NSM201x宽体封装系列可持续通流超过30A，引脚更厚的封装(包括NSM2019和NSM2111等)的输入侧导通阻抗更小(NSM2019只有0.27毫欧)，可持续通流高达100A，具备光伏逆变器输入所需的高达20kA的浪涌电流抵抗能力。　　事实上，传统集成式霍尔电流传感器无法满足这么高的浪涌电流要求，NSM201x薄体封装也只能支持13kA的浪涌电流抵抗能力，因此较多被用在MPPT侧。而光伏PV侧的电流检测还是使用霍尔电流传感器模块，纳芯微的NSM2019可以替代PV侧的霍尔电流传感器模块，满足浪涌要求，通流能力强，没有可靠性问题。在光伏逆变器AC侧通常使用闭环电流传感器模块，以满足高精度、高通流能力的要求。NSM2019能满足该要求，精度高达正负2%，可持续通流高达100A。　　三、纳芯微其他品类的产品　　随着光伏组件功率密度的不断提升，母线电压已提高至1500V，因此需要更大的爬电距离，纳芯微超宽体数字隔离器NSI824x能够提供长达15mm的爬电距离，同时还具备优异的EMC性能，非常适用于光伏系统的应用。同时，光伏组件尺寸也在不断增加，单光伏板能够提供的功率越来越大，因此市面上涌现出更多的微型逆变器，纳芯微的非隔离/隔离半桥驱动，如NSI1624、NSI1224、NSI6602V，能够更好地满足大功率微逆的需求。　　此外，随着光伏和储能技术的融合，家庭储能系统的数量不断增加，电池储能容量也在逐渐增加。这为DC-DC转换器提供了更多的机会。纳芯微的半桥驱动器NSI6602V以及CAN接口产品(如NSI1050、NCA1042)在这一趋势下将发挥更加重要的作用。这些产品将能够有效应对不断增长的光储系统需求，为系统集成带来更多的灵活性和可靠性。

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纳芯微

发布时间：2023-08-25 13:00 阅读量：2582 继续阅读>>

大唐恩智浦：<span style='color:red'>光伏</span>储能系统原理是什么

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大唐恩智浦：光伏储能系统原理是什么

　　随着能源需求的增加和环境问题的日益严重，光伏储能系统作为一种清洁能源技术备受关注。那么，光伏储能系统的原理是什么?如何实现能量存储?未来又有哪些技术突破?　　光伏储能系统利用光伏技术将太阳能转化为电能，并将电能储存起来以备后用。其原理主要包括光伏发电和储能两个过程。　　首先是光伏发电过程。光伏发电系统利用光电效应将光能转化为电能。在光伏电池中，当太阳光照射到半导体材料上时，光子的能量将导致材料中的电子变得激发，从而产生电流。光伏电池一般由多个组件组成，每个组件都包含许多太阳能电池片。这些电池片通过串联或并联的方式组装在一起，以提供更高的电压和电流。整个光伏发电过程是通过光伏电池片将太阳能转化为直流电的过程。　　其次是储能过程。光伏储能系统一般使用电池储存电能。当太阳能电池片产生直流电后，电能需要被储存起来。这时，电能通过逆变器转换成交流电，并被存储在电池中。电池储存的电能可以在太阳能不足或夜晚使用，以满足家庭、企业或城市的用电需求。储能系统还可以通过电网进行双向交流，将多余的电能输送到电网，以便其他地区使用。　　未来，光伏储能系统有望在多个方面取得技术突破。首先是光伏发电效率的提升。科学家们正在寻找新型材料，以提高太阳能电池片的转化效率。此外，他们还在研究如何通过结构和设计优化光伏电池片，以最大限度地利用太阳能。这样一来，光伏发电系统将能够产生更多的电能。　　其次是储能技术的改进。目前，光伏储能系统主要采用锂离子电池进行能量存储，但这种电池的储能密度较低，不适合大规模应用。因此，科学家们正在研究和开发更高效、更安全的储能技术，如钠离子电池、锌空气电池和液流电池等。这些储能技术有望提供更高的储能密度，更长的使用寿命和更低的成本。　　此外，智能控制系统也是未来光伏储能系统的重要发展方向。通过引入智能控制算法和物联网技术，系统可以更好地实现光伏发电和能量储存之间的协调，实现最优能量管理。智能控制系统可以实时监测太阳能资源和电池状态，根据需求进行智能调度和优化能量利用，提高系统的整体效率和可靠性。　　总的来说，光伏储能系统的原理是通过光伏发电将太阳能转化为电能，并使用电池进行能量存储。未来的技术突破将集中在光伏发电效率的提高、储能技术的改进和智能控制系统的发展上。这些突破将推动光伏储能系统更广泛地应用于家庭、企业和城市，为我们提供更清洁、可持续的能源供应。

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大唐恩智浦

发布时间：2023-07-20 13:41 阅读量：2148 继续阅读>>

永铭电容：解决<span style='color:red'>光伏</span>逆变器难题的利器！

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永铭电容：解决光伏逆变器难题的利器！

　　一、光伏系统蓬勃发展　　随着全球对环境保护的日益重视，光伏系统在各个领域得到了广泛应用。在电力市场中，光伏系统不仅可以为城市供电，还可以为偏远地区提供照明和通讯服务。同时，光伏系统的安装成本较低，运行成本也相对较低，因此受到了越来越多企业和政府机构的青睐。　　二、光伏逆变器存在待攻克难题　　光伏逆变器是将光伏电池板产生的直流电转换为交流电的装置。它通过最大功率点追踪算法监测光伏电池板输出的电压和电流，实现对直流电的电压升降，并将其转换为稳定的直流电源。接着，逆变器使用高频脉宽调制技术将直流电转换为交流电，并通过输出滤波器对其进行平滑处理，以确保输出电流的质量和稳定性。最终，逆变器将输出的交流电连接到电力网络中，以满足家庭或工业用电需求。这样，光伏逆变器发挥着将太阳能转化为可用电能的关键作用。　　目前常见的用于光伏发电系统输入端的1000~2200W光伏逆变器，其输出电压尖峰可达580V，然而，现有的500V输出端电容已经无法满足光伏逆变器的需求。在其中，铝电解电容器扮演着至关重要的角色，它不仅能够提供必要的滤波和存储功能，还能保证整个系统的可靠性和效率。如果输出电压不足时，就会导致电容器发热、击穿，最终损坏。因此，选择电解电容器时必须谨慎考虑各种因素，并选择最合适的产品来确保系统正常运行并获得最佳性能。　　三、永铭高压引线型电容解“高压”之急　　为解决光伏逆变器高压问题，上海永铭推出高压引线型LKZ系列铝电解电容器。该系列产品具有精准的性能特征，可在广泛的输入电压范围内工作，包括尖峰电压高达580V的情况。LKZ系列电容器的优秀性能能够提高光伏逆变器的稳定性和效率，为客户提供最佳的解决方案。　　1、超强的浪涌和抗冲击能力：LKZ系列铝电解电容电压可达600V，能轻松应对输出时的尖峰电压和大电流。　　2、超低内阻和更佳的低温特性：相比日系同规格电容，永铭电容的阻抗降低了约15%~20%，保障了电容在工作中小温升、耐大纹波以及-40℃的低温特性，让电容在长期工作中不会早期失效。　　3、更高容量密度：永铭铝电解电容比同规格、同尺寸的日系电容容量大20%以上，拥有更高的容量密度与更好的滤波效果;同时，在相同功率的要求下，使用永铭更大容量的电解电容可以降低客户在电容方面的成本。　　4、高可靠性：永铭的电解电容为光伏逆变器等关键电子元器件的稳定性和可靠性提供了更加全面的保障，让整个光伏系统的性能更加卓越。　　额定电压：550~600V　　容量范围：82~220μF　　工作温度：-40~105℃　　寿命：12000~15000H　　四、打造优质国产电容并向国际市场进发　　永铭的液态引线型铝电解电容作为国产创新型电容，在光伏逆变器中应用具有极大的优势，为光伏系统的稳定性提供了强有力的保障，综合性能上可与日系电容相媲美。

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永铭电容

发布时间：2023-07-19 09:06 阅读量：2357 继续阅读>>

安森美和Ampt携手合作，助力<span style='color:red'>光伏</span>电站供应商提高能效

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安森美和Ampt携手合作，助力光伏电站供应商提高能效

　　安森美(onsemi)，和世界头号大型光伏（PV）太阳能和储能系统直流优化器公司Ampt LLC宣布携手合作，以满足市场对直流组串优化器的高需求。Ampt在其直流组串优化器中使用了安森美的EliteSiC系列碳化硅（SiC）技术之N沟道SiC MOSFET，用于关键的功率开关应用。　　Ampt组串优化器用于大规模光伏电站，使成本更低、性能更高的太阳能和直流耦合储能系统被共同部署在太阳能电站内。组串优化器以高的固定电压输送来自光伏阵列的电力，系统电压范围在600 VDC至1500 VDC，降低了电站的整体电流要求和成本。Ampt优化器利用安森美最新的具有极低导通电阻和开关损耗的SiC MOSFET技术，实现了储能系统和太阳能电站更高的双向充放电效率。　　　　Ampt首席执行官Levent Gun说：　　“将安森美的EliteSiC技术纳入我们的直流优化器，有助于大型光伏电站开发商提高项目的经济效益。显然，产品性能是我们的一个关键决策点，而安森美提供在设计阶段的技术支持及持续供货保证，支持Ampt的快速扩展，证明安森美是个强大的合作伙伴。”　　EliteSiC器件的RDS(on)典型值为80 mΩ，栅极电荷(Qg)值为56 nC，Rg较低，为1.7Ohms。它能够在175°C的结温下工作，降低了应用中的热管理要求，从而实现尺寸更小、成本更低的方案。　　安森美Simon Keeton说：　　“我们的EliteSiC技术把高性能和高可靠性相结合，能够实现高效、可靠的直流优化器，这也是Ampt这样的行业领导者所期望的。我们期待持续合作开发新产品，推进可再生能源应用向前发展，打造一个可持续的生态系统。”

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安森美

发布时间：2023-01-09 10:34 阅读量：2322 继续阅读>>

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安森美SiC功率模块、图腾柱PFC等产品赋能汽车、光伏、储能等新兴应用

无论是从传统的内燃机汽车向电动汽车的转型，还是光伏、储能等新兴市场的发展，都有赖于智能电源技术的不断创新。安森美(onsemi)不断丰富在智能电源方面的解决方案，帮助客户解决设计挑战，并支持2030“碳达峰”与2060“碳中和”目标，推动可持续发展和净零排放。作为全球领先的功率分立和模块半导体供应商之一，安森美已研发出光伏及储能全线二十多个IGBT/IGBT+SiC Hybrid模块产品，功率覆盖5 kW～300 kW(截至2022年6月)，具备高能效、高功率密度和高可靠性，配以相应的门极驱动、运算放大器等产品，充分满足户用、工商业、光储一体化系统及大型电站需求，辅以各种参考设计和开发工具，以及现场应用支援，帮助客户解决设计挑战，推进行业发展。针对光伏逆变器市场对1500 V母线，最大并网功率350 kW组串机型的需求，安森美推出了三款直流升压模块(对称拓扑和飞跨电容拓扑)，NXH800A100L4Q2F2S1/2G一款交流逆变模块(双拼ANPC拓扑)。针对1500 V母线储能逆变器市场，安森美推出了INPC拓扑模块NXH350N100H4Q2F2S1G：三相最大功率200-250 kW(双向功率pf=1和-1)。这些方案都提供高能效、高功率密度且具成本优势。碳化硅(以下简称“SiC“)是很热门也很重要的技术，安森美在这个领域有着深厚的历史积淀，是少数具有垂直整合能力的SiC方案供应商之一，包括SiC晶锭生长、衬底、外延、晶圆制造、同类最佳的集成模块和分立封装解决方案。宽广的SiC功率器件阵容包括650/1200/1700 V SiC二极管、650/900/1200 V SiC MOSFET、集成IGBT和SiC二极管的混合模块、全SiC模块，满足客户各种不同的尺寸、成本和能效要求。公司持续提升并拓展第三代半导体功率器件在光伏、储能应用, IGBT和SiC二极管混合模块产品已经广泛地使用，未来会发展更多SiC-MOSFET模块产品。经过市场的考验，在安森美的智能电源产品体系当中诞生了众多明星产品系列： APM32系列汽车碳化硅功率模块 APM32系列是把尖端前沿的碳化硅技术和同类最佳的压铸模封装相结合的行业首创产品，可提高能效并缩短电动车的充电时间，专用于11 kW到22 kW的大功率车载充电器和高压DC-DC转换。 APM32使电动车充电更快和续航里程更远，这是消费者极为看重的两个关键因素。设计人员采用预配置的APM32模块格式，能够更快地配置他们的设计，大大缩短上市时间和降低设计风险。APM32也为客户提供差异化的解决方案。汽车主驱碳化硅功率模块：VE-Trac Direct SiC 主驱逆变是电动车电气系统的关键，直接影响电动车的能效、性能和续航能力。 VE-Trac?Direct SiC系列是单面水冷碳化硅功率模块，在性能、能效和质量方面达到了新的水平，解决了电动车主驱逆变器的设计挑战，将电池能量转换为大的扭矩和加速，使电动车的续航里程更长、能效更高、加速更快。具有标准化的机械尺寸和扩展的额定功率，设计人员采用该系列模块可轻松扩展电动车的功率输出，加速电动/混动车的采用。高功率图腾柱PFC控制器NCP1681 NCP1681为需要满足具有挑战性的能效标准，如“80Plus”或“CoC Tier 2”等在宽负载范围都需要达到高能效标准的应用场合提供有效解决方案，同时减少设计时间和成本，在高压输入下，NCP1681图腾柱功率因数校正(以下简称“PFC”)方案的能效将达近99%。 NCP1681专用于无桥图腾柱PFC拓扑结构，将非数字类控制图腾柱PFC设计的优势扩展到kW功率，目标应用是超高密度大功率离线电源，包括服务器电源、高性能计算机电源、通讯电源、工业电源和OLED电视电源等应用。首款TOLL封装的 650 V SiC MOSFET NTBL045N065SC1是首款采用TOLL封装的SiC MOSFET，适用于要求严苛的应用，包括开关电源(SMPS)、服务器和电信电源、太阳能逆变器、不间断电源(UPS)和储能。该器件适用于需要满足最具挑战性的能效标准的设计，包括ErP和80 PLUS Titanium能效标准，满足了对适合高功率密度设计的高性能开关器件迅速增长的需求。 TOLL封装的尺寸仅为9.90 mmx11.68 mm，比D2PAK封装的PCB面积节省30%。而且，它的厚度只有2.30 mm，比D2PAK封装的体积小60%。为满足市场对SiC不断增长的需求，安森美大力扩建SiC工厂，公司位于美国新罕布什尔州哈德逊 (Hudson, New Hampshire) 的SiC 工厂，将使安森美到2022年底的SiC晶圆产能同比增加五倍，在捷克共和国Roznov扩建的SiC 工厂，将在未来两年内将SiC晶圆产能提高16倍，致力为客户提供关键的供应保证。

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安森美

发布时间：2022-11-09 09:14 阅读量：2268 继续阅读>>

型号	品牌	询价
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
TL431ACLPR	Texas Instruments
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
MC33074DR2G	onsemi

型号	品牌	抢购
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
BP3621	ROHM Semiconductor
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
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