最悲催的一代产品：Intel <span style='color:red'>10nm</span>至强延迟
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最悲催的一代产品：Intel 10nm至强延迟

近日，在 Intel 的季度财务会议上，IntelCEO 司睿博公开表示：“在数据中心业务方面，我们和客户对于即将到来的 Ice Lake 第三代至强可扩展产品非常期待。我们计划在（今年）第四季度末完成验证，之后很快在（明年）第一季度就投入规模量产。”这也意味着 10nm 工艺制程的 Ice Lake-SP 将被取代。　　10nm 工艺可谓 Intel 至今主要应用在低功耗的轻薄本领域，明年上半年才有游戏本的入驻计划，同时在桌面市场上，后年才会出现 Alder Lake 12 代酷睿，这次又宣布 Ice Lake-SP 将会推迟至明年一季度。而按照一般规律，服务器平台都会在量产部署一段时间后才会正式发布。 这不是英特尔第一次延迟 10nm 产品系列。Ice Lake-SP 最初计划于 2019 年发布，然后推迟到 2020 年初，现在仍有可能将推迟到 2021 年初。 值得一提的是，今年早些时候，英特尔宣布其 7nm 处理器 Sapphire Rapids 延期半年，将于 2022 年发布。不排除再次延期的可能。 不久后网上流出了一份 Intel 产品发展的路线图，显示了 Intel 至强在未来两年内的规划，与司睿博的表态一致。路线图显示，在最顶级的 HPC 高性能计算市场，Intel 未来两年内都没有新动作，产品依然是双芯片封装的至强铂金 9200 系列，最多 56 核心 112 线程，热设计功耗最高 400W，它们还是 2019 年 4 月的第二代可扩展至强（Cascade Lake）的一部分。　　高端市场上，10nm Ice Lake-X（ICX）将在 2021 年第二季度初正式发布，每路支持 24 条内存，包括 16 条 DDR4、8 条傲腾。　　而在 2021 年第四季度、2022 年第一季度，它的继任者第四代可扩展至强就将到来，代号 Sapphire Rapids，首次引入 DDR5 内存、PCIe 5.0 总线支持，最多 16 条 DDR5，制造工艺仍是 10nm。这样一来，10nm Ice Lake 至强家族将成为最悲催的一代产品，发布之后仅仅三到四个季度就会被取而代之，这样的事即便在消费级领域都极为罕见，更别说注重稳定和长寿命周期的服务器、数据中心市场了。Sapphire Rapids 将采用升级版的 10nm+++工艺制造，最多 56 个 Golden Cove 架构的 CPU 核心（112 线程），完整版可能达到 60 个。它将采用 MCM 多芯片封装设计，内部最多 4 个小芯片，同时集成 HBM2e 高带宽内存，单颗最大 64GB，带宽 1TB/s，热设计功耗最高 400W。首次支持 PCIe 5.0，最多 80 条通道。首次支持 DDR5，继续八通道，频率最高 4800MHz。 延期也不意外，毕竟 Intel 的 10nm 工艺之前一直是生产移动平台的 4 核处理器，这些处理器芯片面积都比较小，但服务器用的 Xeon 可扩展处理器可是最多拥有 28 核的庞然大物，良品率会低得多，英特尔需要时间去调整。
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发布时间：2020-10-26 00:00 阅读量：1412 继续阅读>>
Intel <span style='color:red'>10nm</span>处理器/显卡梳理：共有四代、更好的在后面
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Intel 10nm处理器/显卡梳理：共有四代、更好的在后面

关于芯片工艺，Intel前几天还回应称友商的7nm工艺是数字游戏，Intel被大家误会了。不过今年Intel推出了新一代的10nm工艺，命名为10nm SuperFin工艺，简称10nm SF，号称是有史以来节点内工艺性能提升最大的一次，没换代就提升15%性能，比其他家的7nm还要强。不过Intel的10nm工艺这几年来变化也很大，几代工艺到底有啥不同的呢，Anandtech网站日前做了一个梳理，整理的不错。说起10nm工艺来，实际上2017年的Cannon Lake大炮湖就用上了，然而这代处理器比较悲剧，工艺不成熟，仅有酷睿i3-8121U一款产品，核显都屏蔽了。大概是因为这样，Intel现在都不提这款处理器了，2019年量产了Ice Lake，这是第一代量产的10nm工艺，它之前的命名应该是10nm+，但是现在被定义为10nm工艺，相当于重启了。10nm工艺的产品除了Ice Lake之外，还会有服务器版Ice Lake-SP、低功耗Lakefield、用于5G基站的Snow Ridge及用于Atom产品线的Elkhart lake。9月初发布的Tiger Lake处理器使用的是10nm SuperFin，这是第三代10nm工艺了，最初规划应该叫做10nm++，不过后面被定义为10nm+，现在成了10nm SF了。这代工艺主要用于Tiger Lake、DG1低功耗独显及更高性能的SG1独显。再往后，Intel还会推出10nm Enhanced SupeFin，简称10nm ESF，按最初规划应该是10nm+++了，也是重启之后的10nm++。10nm ESF工艺将用于未来的Alder Lake（传闻中的十二代酷睿），首款高性能Xe HP架构GPU显卡，以及下下代服务器芯片Sapphire Rapids蓝宝石激流。之后Intel公司也发表了回应，称之前的10nm工艺命名在业界中存在广泛的误解和混乱，展望未来，Intel的下一代10nm产品就被称为基于10nm SuperFin工艺的产品。
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发布时间：2020-09-27 00:00 阅读量：2535 继续阅读>>
英特尔最强<span style='color:red'>10nm</span>工艺制程公布
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英特尔最强10nm工艺制程公布

9月19日，许久未谈尖端制造的英特尔今天在北京举办了一个关于“英特尔精尖制造日”的活动。在本次活动中，英特尔全球首次公布10纳米工艺制程并现场展出了10nm技术的硅晶圆。预计英特尔的10纳米工艺将会整整领先竞争对手一代。 摩尔定律不会失效 近几年，“摩尔定律失效”是近两年来业界讨论的热门话题。随着制程工艺在物理层面越来越接近极限，摩尔定律所诠释的“当价格不变时，集成电路上可容纳的元器件的数目，约每隔18-24个月便会增加一倍，性能也将提升一倍”的规律逐渐被打破，使得人们对摩尔定律在未来所产生的指导意义产生强烈怀疑。 英特尔公司执行副总裁兼制造、运营与销售集团总裁Stacy Smith坦言，随着工艺的发展，制程节点之间的时间已经延长，这是整个行业都面临的问题。据了解，实现全新的制程节点变得愈加困难，成本也更加昂贵。仅仅是把设备安装到已有晶圆厂中，就要花费70亿美元，越来越少的公司可以承担得起推进摩尔定律的成本。 但这并不意味着摩尔定律已经失效。Stacy Smith在会上表示:“每一个节点晶体管数量会增加一倍，14nm和10nm都做到了，而且晶体管成本下降幅度前所未有，这表示摩尔定律仍然有效。”Stacy Smith解释道，“创新技术，可以保证摩尔定律长期有效。” 10nm工艺直接PK友商，刀刀见红 今年6月份，高通总裁里克·阿伯利在台湾表示过往被称为处理器龙头的Intel在10nm制程技术明显落后情况, 似乎也显示传统PC市场确实面临改革。高通曾表示骁龙835处理器采用的是三星10nm芯片制造技术，这意味着其移动芯片超过了个人计算机处理器。 面对业界的质疑，英特尔霸气回应，对于竞争对手三星、台积电等公司，英特尔的技术上仍然具有领先性。 第一， 英特尔的14nm工艺可媲美对手的10nm工艺。Stacy Smith今天提到了制程节点命名的混乱，他认为制程技术应该以实践进行度量。；“我们在14nm上采用了超微缩技术，让英特尔能够加速推进晶体管密度的提升，借助节点内优化，产品功能每年都可以实现增强。与竞争对手相比，14nm领先3年。可以看到友商晶体管密度并没有提升，友商10nm节点晶体管密度只相当于我们14nm的晶体管密度。”Stacy Smith认为。 第二，英特尔在会上高调推出了10nm工艺，Stacy Smith全球首次展示“Cannon Lake”10纳米晶圆，它拥有世界上最密集的晶体管和最小的金属间距，从而实现了业内最高的晶体管密度，领先其他“10纳米”整整一代，以时间来算，则领先3年时间。 英特尔在会场上放出了10纳米技术与竞争对手的数据对比情况，英特尔称在栅极间距、最小金属间距间技术指标上都处于领先地位。 英特尔10 纳米工艺使用了超微缩技术 （hyper scaling），充分运用了多图案成形设计 （multi-patterning schemes），可以助力英特尔延续摩尔定律的经济效益，从而推出体积更小、成本更低的晶体管。 在工艺方面，英特尔10纳米制程的最小栅极间距从70纳米缩小至54纳米，且最小金属间距从52纳米缩小至36纳米。尺寸的缩小使得逻辑晶体管密度可达到每平方毫米1.008亿个晶体管，是之前英特尔14纳米制程的2.7倍，大约是业界其他“10纳米”制程的2倍。 相比之前的14纳米制程，英特尔10纳米制程提升高达25%的性能和降低45%的功耗。相比业界其他所谓的“10 纳米”，英特尔10纳米制程也有显着的领先性能。全新增强版的10 纳米制程——10++，则可将性能再提升15%或将功耗再降低30%。 开放最强工艺，英特尔进入中国代工市场 除了10nm工艺，英特尔公司技术与制造事业部副总裁、晶圆代工业务联席总经理Zane Ball在大会上分享了英特尔在代工业务方面的战略。 Zane Ball指出，英特尔正大规模进入代工市场，包括为移动和物联网设备的设计公司提供代工。英特尔元晶代工业务重点关注两大细分市场：网络基础设施、移动和互联设备，可以输出22纳米、14纳米、10纳米和22FFL等技术。除此之外，英特尔还可以提供联合优化设计套件、硅晶验证的IP和创新的封装测试能力等。 英特尔特别关注中国代工市场的机会。Zane Ball表示，在全球半导体市场上，来自中国的消费达到了58.5%，但中国无圆晶厂全球占比为25%，中国半导体领域拥有巨大的机会。除了自己人Altera和展讯（Intel是股东）之外，英特尔将通过代工业务加深与中国伙伴的合作，接受22nm FL/14nm FinFET/10nm FinFET等代工合同，助力中国技术生态系统蓬勃发展。 不过，Intel和三星一样，代工的问题主要是“树敌”过多。因为他们是为数不多既懂设计又有工厂（Fab）的公司，不像台积电那样人畜无害，也不像高通、AMD、华为等只做设计。
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发布时间：2017-09-20 00:00 阅读量：1281 继续阅读>>
三星<span style='color:red'>10nm</span>下封测乏力,制程外包谁将受益?
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三星10nm下封测乏力,制程外包谁将受益?

目前芯片制程微缩至10nm以下，据韩国媒体报道，业内有消息传三星电子缺乏相关封测技术，考虑把下一代 Exynos 芯片的后段制程外包。若真是如此，将提高三星晶圆代工成本。 业界消息透露，最近三星系统LSI部门找上美国和中国的OSAT（委外半导体封装测试厂商），请他们开发7、8纳米的封装技术。据传美厂手上高通订单忙不完，未立即回覆，大陆厂商则表达了接单意愿。 倘若三星真的把封测制程外包，将是该公司开始生产Exynos芯片以来首例。三星仍在考虑要自行研发或外包，预料在本月或下个月做出最后决定。 10纳米以下的芯片封装不能采取传统的加热回焊，必须改用热压法（thermo compression），三星没有热压法封装的经验，也缺乏设备，外包厂则有相关技术。有鉴于10nm以下芯片生产在即，迫于时间压力，可能会选择外包。相关人士表示，要是三星决定外包，会提高生产成本，不利三星。 去年韩国就有消息称，三星全力冲测IC封装技术，要是此一技术与上述的所说的封测相同，代表三星过去一年的研发未有突破。 台积电靠着优异的“整合扇出型”（InFO）晶圆级封装技术，独拿苹果iPhone 7的A10处理器订单。不过，三星电子不甘落后，最近与三星电机联手开发出最新IC封装科技，誓言争夺iPhone处理器订单（三星电机新推的技术也是扇出型晶圆级封装（FoWLP）的一种，不需印刷电路板就可封装芯片，未来有望争取苹果青睐。传闻三星之前就是因为该项封装技术还未完成，无法说服客户下单。 Hana Financial Investment则预期，三星最快会在2017年上半年开始量产FoWLP芯片，以台积电直到2016年第三季才开始投产的情况来看，三星2017年的投产时间应该不会太晚。该证券并指出，采纳FoWLP技术的应用处理器可让智能机的厚度减少0.3mm以上，整体运算效率可提升逾30%。
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发布时间：2017-06-09 00:00 阅读量：1307 继续阅读>>

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