恩智浦联合台积电推出首款车用16纳米芯片FinFET嵌入式<span style='color:red'>MRAM</span>
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恩智浦联合台积电推出首款车用16纳米芯片FinFET嵌入式MRAM

　　恩智浦半导体宣布与台积体电路制造股份有限公司(TSMC)合作，推出业界首款采用16纳米(nm)鳍式场效电晶体(FinFET)技术的车用嵌入式磁阻式随机存取存储器(Magnetic Random Access Memory;MRAM)。随着汽车制造商朝向软件定义汽车(software-defined vehicle;SDV)转型，车厂需要在单一硬件平台上支持多世代软件更新。结合恩智浦的高性能S32车用处理器与采用16纳米FinFET技术的快速且高度可靠下一代非易失性存储器(non-volatile memory)，就能提供支持这类转变的理想硬件平台。　　恩智浦与台积电共同开发采用16纳米鳍式场效电晶体(FinFET)技术的嵌入式磁阻式随机存取存储器硅智财(，汽车制造商可运用MRAM更有效率地推出全新功能，加速空中下载更新，以及消除生产瓶颈。恩智浦下一代S32区域处理器(zonal processor)和通用车用微控制器(general purpose automotive MCU)预计于2025年初成为首批提供样品的产品。　　MRAM只要约3秒就能更新20MB的程序码，相较于快闪存储器需约1分钟，能最大限度缩短软件更新导致的停机时间，并让汽车制造商消除因长时间模组编程而造成的瓶颈。此外，MRAM还能提供高达百万次的更新周期，较快闪存储器和其他新型存储器技术高出10倍，为车辆任务剖面(mission profile)提供高度可靠的技术。　　软件定义汽车让汽车制造商能够通过空中下载(over-the-air;空中下载)更新推出全新的舒适、安全以及便利功能，延长车辆使用寿命并提升其功能性、吸引度、与获利能力。随着基于软件的功能在车辆中越趋普及，更新频率将会持续增加，MRAM的速度和稳健度变得极为重要。台积公司的16 FinFET嵌入式MRAM技术凭借其百万周期耐用度、支持焊锡回焊(solder reflow)、以及摄氏150度下还能保留数据达20年，超越车载应用严格要求。　　台积电业务开发资深副总经理张晓强博士表示：恩智浦内部的创新者总是能迅速认识到台积公司新制程技术的潜力，尤其是在要求严格的车载应用方面。我们很高兴看到台积公司领先的MRAM技术被运用于恩智浦 S32平台，帮助实现下一代软件定义汽车。　　恩智浦半导体执行副总裁暨车用处理事业部总经理Henri Ardevol表示：恩智浦与台积电已成功合作达数十年，向来持续为汽车市场提供高品质的嵌入式存储器技术。MRAM是恩智浦S32车用解决方案系列的突破性新生力军，支持下一代车辆架构。
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发布时间：2023-06-05 14:55 阅读量：2119 继续阅读>>
半导体存储新进展：日本成功进行SOT-<span style='color:red'>MRAM</span>单元操作实验
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半导体存储新进展：日本成功进行SOT-MRAM单元操作实验

 据Impress Watch网站报道，10月9日，日本东北大学国际综合电子技术研发中心主任远藤哲郎和电气通信研究所大野教授宣布开发出可实际运用的SOT，并且成功演示了SOT-MRAM单元的操作。　　半导体存储器领域中，随着晶体管小型化，待机功率增加，使用自旋电子技术的非易失性存储器越来越吃香。其中，根据磁体的方向显示不同电阻值并由此记录0和1的状态的磁隧道结元件(MTJ)应用正在不断发展，而STT-MRAM则是代表之一。但是STT-MRAM无法处理纳秒级至亚纳秒级的运算，并且无法替换用于CPU缓存的SRAM。因此 SOT作为弥补STT-MRAM的缺点的技术逐渐发展起来。　　远藤哲郎教授小组的研究将日本内阁府的创新研究与发展促进计划(ImPACT)培育出的SOT器件技术与小组开发的沉积技术，布线制造技术和反应性离子蚀刻技术相结合，成功生产出0.35ns超高速运行性能的设备。此外，此前未实现的400℃的耐热性和非易失性存储元件的热稳定性均已达成。　　由此可见，具有低功耗的高性能SOT-MRAM的实际应用已经成为现实。
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发布时间：2019-12-12 00:00 阅读量：1412 继续阅读>>

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