东芝<span style='color:red'>NAND闪存</span>工厂暂停生产 将进行安全评估
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东芝NAND闪存工厂暂停生产 将进行安全评估

　　日本的7.6级地震迫使石川县的芯片和电子公司暂时关门，由于现阶段半导体仍处下行周期，且时序已进入淡季，部分零组件仍有库存，加上多数工厂落在震度4至5级，均在工厂耐震设计范围内。　　东芝宣布，由于需要进行安全评估，公司位于石川县能美市的 NAND 闪存工厂将暂时停产。分析师预计，地震将对未来半导体供应和价格产生影响。　　东芝表示，它已确认在地震发生当天在石川县能美市工厂上班的所有员工都是安全的，但尚未联系上休假的员工。　　此外，Taiyo Yuden、Tower、Shin-Etsu、GlobalWafers 和 TPSCo 等企业也暂时停止了半导体产品的生产。鉴于地震造成的震动幅度大，专家建议对所有建筑物进行详细检查，排除潜在的安全隐患。　　东芝承诺将在周五日本时间下午 5 点发布更新，并表示将在“生产线状态评估完成后尽快”做出复工决定。　　此次地震主要影响的是日本西海岸相关城市，而日本半导体产业的主要聚焦地位于日本东海岸周边，以及九州地区，预计此次地震对于日本半导体产业影响相对较小。
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发布时间：2024-01-04 17:45 阅读量：1422 继续阅读>>
海力士发布全球首款基于128层<span style='color:red'>NAND闪存</span>的消费级SSD
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海力士发布全球首款基于128层NAND闪存的消费级SSD

SK海力士发布了全球首款基于128层NAND闪存的消费级SSD——SK海力士Gold P31，提供500GB和1TB两种存储容量，产品已上架亚马逊。据介绍，Gold P31支持基于4D NAND闪存技术的PCIe NVMe接口，读取速度最高可达3500 MB/s，写入速度高达3200 MB/s，该款产品是为所有个人电脑用户设计的，特别关注游戏玩家、设计师和内容创造者。另外，Gold P31的可靠性已通过1000小时高温运行寿命试验（HTOL）进行测试和验证，平均无故障时间（MTBF）达到150万小时。该报道称，固态硬盘市场向PCIe NVMe接口的快速过渡，以及Gold P31的诞生，突显了SK 海力士在向全球PC OEM提供可靠的PCIe NVMe产品方面的领先地位。最新的固态硬盘是市场上速度最快、最具创新性的消费类固态硬盘之一，采用了SK 海力士的最新技术。作为内存芯片的领先制造商，SK 海力士设计、开发并提供自己的DRAM和NAND Flash设备以及内部SSD控制器。在退出Gold P31 PCIe SSD之前，SK 海力士推出了Gold S31 SATA消费级SSD，提供了业界一流的速度和可靠性。继去年Gold S31 SSD在美国成功上市后，该公司相信Gold P31将凭借业界领先的性能指标，在不断增长的PCIe市场上占据重要地位。根据SK 海力士对社会和环境价值的严格承诺，Gold P31采用森林管理委员会认证的纸张、可生物降解塑料袋和大豆墨水进行包装。不过这一次，Gold P31只提供了500GB、1TB两种容量版本，似乎很对不起这种高密度堆叠闪存，或许未来会有更大容量的版本。其他方面，M.2 2280标准形态，单面设计，无散热片，SK海力士自研主控，支持PCIe 3.0 x4，随机读写最高3.5GB/s、3.1GB/s，持续读写最高570K IOPS、600KIOPS。不过在TLC模式下，持续读取还是能跑到3.5GB/s，但是持续写入只能做到950MB/s、1700MB/s，随机读取降至500K IOPS，随机写入降至220K IOPS、370K IOPS。读取延迟980us，写入延迟45us，负载功耗6.3W，空闲功耗小于0.05W，平均故障间隔时间150万小时。写入寿命未公布。
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发布时间：2020-08-21 00:00 阅读量：1888 继续阅读>>
<span style='color:red'>NAND闪存</span>市场惨淡：英特尔的保守与三星、美光、SK海力士的激进
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NAND闪存市场惨淡：英特尔的保守与三星、美光、SK海力士的激进

NAND闪存在2017年价格冲顶之后，近几个季度以来销售价格持续下跌。 进入2019年第二季度，NAND闪存的价格继续呈下跌态势，根据集邦咨询半导体研究中心第一季度末发布的数据，受到服务器需求疲弱、智能手机换机周期延长、苹果新机销售不如预期等终端需求不佳冲击，2019年第一季度各类NAND闪存的合约价季度跌幅近20%，成为2018年年初以来跌幅最剧烈的一次。 NAND闪存持续供过于求，价格不断走低，消费者们很高兴，厂商们就不爽了。  最近几年，三星、美光、SK海力士、东芝等存储大厂都在兴建各自的新工厂，或者扩充现有工厂的产能，不断加大NAND闪存的输出量，但是英特尔和他们的选择截然不同，英特尔在近日的投资者大会上表示，在短期内不会再建设新的闪存工厂，反而会不断减产。 英特尔作为全球最大的处理器芯片公司，在NAND闪存市场份额是六大原厂中最低的，根据其上月底发布的Q1季度财报显示，由于NAND闪存跌价，英特尔非易失性存储芯片业务亏损了3亿美元。 在NAND闪存方面，英特尔之前没有自己的NAND工厂，2005年与美光共同成立了IMFT（英特尔-MicronFlashTechnologie）公司，IMFT负责NADN闪存研发及生产，闪存芯片由英特尔、美光独自销售。 2015年英特尔宣布将中国大连的Fab68封测工厂改为NAND闪存工厂，投资55亿美元升级，已于2018年9月底量产，初期主要生产64层堆栈的3D NAND闪存，现在已经开始量产96层堆栈的3D NAND闪存。 随着自建的大连NAND工厂量产，以及在NAND技术上，英特尔与美光在64层堆栈之后就发生了分歧，双方在浮栅极及CTP技术上理念不同，最终导致两家公司分道扬镳。 去年双方宣布达成协议，美光将支付13-15亿美元收购英特尔在IMFT公司的股份及资产，日前美光披露这笔交易将在今年10月底完成，预计GAAP获益1亿美元。不过分手之后双方也不是彻底断了来往，英特尔依然可以从IMFT获得存储芯片供应，特别是至关重要的3DXPoint芯片，目前英特尔还没有专门的3D XPoint工厂。 原本英特尔傲腾存储使用的芯片是由和美光合资公司生产，在两家公司分开以后，英特尔傲腾存储选定位于中国大连的Fab68工厂生产。Fab68工厂目前专门用于生产英特尔 3D NAND闪存，自从2010年开工以来不断增产，但是接下来，Fab68将负责为英特尔生产傲腾存储，不过具体投产时间没有披露。今年初，英特尔宣布正在研发第三代傲腾存储，量产时间、地点未定，不过交给Fab68的可能性也非常大。当然，Fab68仍会继续生产3D闪存，而且堆叠层数会越来越多，以降低成本，目前堆栈层数是64层、96层，预计很快就会突破100层。 与非按：面对存储行业供过于求，价格下跌的现状，一类厂商如美光、三星、SK海力士...，按照自己节奏，稳中向前；另一类如英特尔...，面对趋势，调整节奏，应对市场。 笔者认为，短期内NAND闪存需求的不如人意，并不影响市场的长期向好态势。随着社会进入数字经济时代，海量数据的产生、存储与价值挖掘成为必然，将对NAND容量提出更高要求。 市场瞬息万变，激进与保守也只是应对市场变化的不同态度，但态度或许决定着结果的走向。 
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发布时间：2019-05-16 00:00 阅读量：1714 继续阅读>>
闪存市场又将迎来“震动”？长江存储将在年底量产64层3D <span style='color:red'>NAND闪存</span>芯片
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闪存市场又将迎来“震动”？长江存储将在年底量产64层3D NAND闪存芯片

国产存储芯片再下一城，日前有产业链方面的消息称，中国长江存储将如期在今年年底量产64层3D NAND闪存芯片，这对价格本就在不断下探的闪存市场无疑又将带来一波新的冲击。  对于这样的新面孔，镁光执行副总裁Sumit Sadana最近就曾表示，他和公司将密切关注中国存储新星的动态。同时指出，无论品质还是良率，新企业还有很大的提升空间，包括满足客户的各种需求。（言下之意是我们还是牛逼，你们一天两天内肯定还是赶不上！）同时Sadana还认为，位列前茅的闪存企业并不会被赶出市场，但会否进一步整合则有待观察。虽然长江入局的这一年闪存价格并非处于高位，其利润率或将受损；但中方客户们可能可能会更乐意采购长江存储的产品，在总需求没有显著改善的情况下也就意味着，逐步减少对国外品牌的依赖。  而对普通消费者而言这无疑也是一件好事，虽说目前SSD的价格暂时还赶不上0．16元1GB的HDD（目前SSD的均价差不多在1元1GB上下），但越来越多的国产闪存入局势必会进一步拉低SSD等相关产品售价，看来5毛1G指日可待。
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发布时间：2019-04-01 00:00 阅读量：1526 继续阅读>>
DRAM内存、<span style='color:red'>NAND闪存</span>市场跌宕起伏，存储三巨头三星/SK海力士/美光收入将迎来暴跌？
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DRAM内存、NAND闪存市场跌宕起伏，存储三巨头三星/SK海力士/美光收入将迎来暴跌？

这两年，DRAM内存、NAND闪存市场跌宕起伏，也带动内存条、固态硬盘持续动荡，而作为掌握核心芯片资源的三星电子、SK海力士、美光等巨头，自然是赚得盆满钵满，甚至不惜刻意压制产能来把控市场。但是时过境迁，整个市场风云突变，由于季节性因素、库存积压、价格走低等因素影响，三巨头的日子越来越不好过了。 根据DigiTimes的调研数据，2018年第四季度，三星电子、SK海力士、美光的内存、闪存总收入同比大跌了26％，环比也减少了18％，其中内存17％、闪存20％。 由于存储芯片价格跌势不断，下游渠道都担心库存难以消化，下单非常谨慎，无论智能手机还是服务器都是如此，预计三巨头的内存、闪存收入会在2019年第一季度同比锐减29％，环比也要再降26％。 目前，三星电子、SK海力士、美光依然占据着整个行业收入的70％，相比此前基本没有什么变化。 另外根据集邦咨询的统计数据，2018年第四季度全球DRAM行业总收入228.85亿美元，环比下跌18.3％，其中前三名三星电子、SK海力士、美光分别跌了25.7％、12.3％、9.2％，三者合计份额高达恐怖的96.0％。 之后的南亚、华邦也分别跌了30.8％、16.8％，只有排名第六的力晶涨了10.3％。  同期NAND行业总收入141.6亿美元，环比下跌16.8％，其中前四强三星电子、东芝、美光、西数分别跌了28.9％、14.7％、2.2％、14.2％，四家合计份额80.4％。 之后的SK海力士也跌了13.4％，只有第六名的Intel微增了2.4％。 
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发布时间：2019-02-27 00:00 阅读量：1672 继续阅读>>
长江存储<span style='color:red'>NAND闪存</span>芯片有望在光谷实现量产
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长江存储NAND闪存芯片有望在光谷实现量产

4月11日，国家存储器基地项目芯片生产机台正式进场安装，这标志着国家存储器基地从厂房建设阶段进入量产准备阶段。长江日报记者了解到，设备搬入、调试将耗费3个月左右的时间，然后开始小规模试产，如顺利，今年四季度，中国首批拥有完全自主知识产权的32层三维NAND闪存芯片有望在光谷实现量产。去年9月，国家存储器基地项目（一期）一号生产及动力厂房提前一个月实现封顶；如今，又提前20天实现了芯片生产机台搬入。紫光集团董事长兼长江存储董事长赵伟国介绍，生产机台搬入对生产环境的要求很高，必须放在无尘室中并且提供相应的保障支持。因此，机台搬入说明厂房内部的洁净室、电气设备等内部装修已经陆续完成，这比厂房封顶的技术含量更高，难度更大。9个月建设工厂，7个月实现机台搬入，建设节点不断提前。国家存储器基地项目上，一度达到同时有6000人施工的规模，昼夜奋战。生产机台搬入是重要节点，据了解，当天搬入的设备只是第一台，随后要陆续从世界各地搬入各类高精密的芯片生产机台进行调试，数量达2000多台。设备调试完成后，才可以规模量化生产芯片。按照计划，今年四季度，设备有望点亮投产。紫光集团全球执行副总裁、长江存储执行董事长高启全透露，今年将量产的产品，是去年成功研发的中国首颗32层三维NAND闪存芯片，就在4月9日，这颗耗资10亿美元、由1000人团队历时2年自主研发的芯片，获得中国电子信息博览会（CITE2018）金奖。这是我国在制造工艺上最接近国际高端水平的主流芯片，将有望使中国进入全球存储芯片第一梯队，有力提升“中国芯”在国际市场的地位。“但这仅是刚刚开始。”高启全接受访问时措辞谨慎。他介绍，32层三维NAND闪存芯片量产后，不会上很高的产量，“更主要的是完成完全自主技术积累，若技术不够好，不会硬冲产量”。目前，全球存储器芯片技术主要掌握在韩、日、美等国企业手中，属于相对垄断市场。去年6月，三星宣布64层NAND闪存开始大规模量产。这些技术和产品，将推动以TB为单位的固态盘以及128GB以上的手机闪存迅速普及。有数据显示，2017年全球闪存芯片销量超过500亿美元，同比增加45%，预计2020年销量超过1000亿美元。中国市场进口超过半数，中国企业自主生产的存储芯片基本上是空白。随着需求量的激增，近3年来，全球存储芯片的价格不断上涨。“板凳要坐十年冷。”赵伟国说，未来的道路还很艰难漫长，要坚定信心、保持定力，“我们希望5年站稳脚跟，别人没法把我们打出去，但真正的成功需要10年时间”。高启全接受媒体采访时也有类似表述，“前五年追赶技术，后五年增加产量”。他说，目前长江存储完成了32层三维NAND闪存芯片的自主研发，也将投入量产，但产量和成本还不足以影响市场。“后发优势是不会走太多冤枉路，速度更快一点，但别人也在跑，追上去仍要花力气、花时间”，高启全说，64层闪存产品研发也在迅速进行，力争2019年底实现产能爬坡量产，这样，就能把与全球领先大厂的差距缩短在2年以内，“希望用5年左右接近世界先进水平”。 
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发布时间：2018-04-16 00:00 阅读量：1316 继续阅读>>
三星70亿美元扩产西安<span style='color:red'>NAND闪存</span> 3月底动工
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三星70亿美元扩产西安NAND闪存 3月底动工

据韩联社3月14日报道，知情人士透露，三星电子公司计划扩大在西安的NAND闪存芯片生产线，以满足全球对其产品不断增长的需求，将于3月底动工。消息称，三星计划于3月底开始扩建生产设备，届时三星半导体业务负责人金奇南(Kim Ki-nam)将与陕西省官员共同出席动工仪式。据知情人士称，三星计划在未来三年内为该扩建项目投资约70亿美元(约合人民币442亿元)。2012年4月，西安高新区成功引进三星电子存储芯片项目，其一期项目总投资达100亿美元，该项目成为三星海外投资历史上投资规模最大的项目，项目于2014年5月竣工投产。三星西安工厂2017年8月29日，三星电子曾宣布在未来3年投资70亿美元，扩大其在中国西安工厂的NAND Flash存储芯片产能，并于2017年8月30日正式签约落户高新区。但随后据韩国媒体Electronic Times报道，因韩国政府担心流失半导体与面板技术优势，拟下令禁止韩国半导体与面板厂在中国投资新厂，规定三星、SK海力士等记忆体厂，未来只有在紧急的特殊情况下申请豁免，否则不能在中国设新厂。如今看来，三星或已获得韩国政府的同意，再次启动西安工厂扩产项目。此外，三星还批准了一项初步投资计划，已于2月在首尔以南的平泽市建立第二家芯片生产线。据悉，平泽市的第一家芯片生产工厂已于2017年7月开始生产芯片。韩国媒体ETnews报导指出，三星已夺得恩智浦（NXP），以及韩国无厂半导体公司Telechips的晶圆代工订单，有助于在明年第二季7纳米LPP极紫外光（EUV）制程量产前，填补一线客户高通跑单的缺口。根据来自产业的消息，恩智浦将采用三星14纳米制程生产嵌入式处理器，预计今年底开始量产。除此之外，Telechips的车用资讯娱乐系统处理器Dolphin+与电视机顶盒芯片，今年内也都将交由三星14纳米量产。
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发布时间：2018-03-15 00:00 阅读量：1705 继续阅读>>

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