芯进电子：双重保护隔离栅极驱动器通过<span style='color:red'>UL</span>1577认证
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芯进电子：双重保护隔离栅极驱动器通过UL1577认证

　　近日，芯进电子多系列隔离驱动产品顺利通过UL1577:2023各项测试，包括结构检查、隔离耐压测试、重载测试、热老化测试等，获得UL1577认证证书 (File No.E539511, Certificate Number: UL-US-2442758-0),VISO=8000Vrms，AC BV超过20KVrms，surge测试峰值超过20KVpk，隔离耐压业绩领先。　　该系列产品型号为CCi8335SVB-LMN, CCi8335SVB-LMN-Q1, CCi8338SVB-LMN, CCi8338SVB-LMN-Q1，是芯进电子推出的适用于电机驱动、太阳能逆变器、UPS、隔离 IGBT、功率 MOSFET 栅极驱动等多场景的超高性能隔离驱动器。　　此次，芯进电子双重保护隔离驱动IC凭借卓越的产品力获得了国际标准的认可，彰显了芯进电子过硬的技术能力及迈向国际化的实力与决心，也是国产替代化进程中当之无愧的实力派。未来，芯进电子将在UL认证的加持下，持续为国内外客户提供高品质、高可靠性、更安全的产品及解决方案，推动行业的发展与进步。　　产品介绍　　CCi8335是一款兼容光耦的单通道隔离式栅极驱动器，具有6A峰值拉电流和8A峰值灌电流。33V的高电源电压范围可有效驱动IGBT、MOSFET和SiC，具有60ns传播延迟和25ns最大脉宽失真。输入侧通过一个8000VRMS增强型隔离层与输出驱动器隔离，两侧之间的共模瞬态抑制(CMTI)典型值为150V/ns。　　▲CCi8335产品封装图　　应用场景　　电机驱动器　　太阳能逆变器　　UPS 和电池充电器　　隔离 IGBT、功率 MOSFET 栅极驱动　　▲ CCi8335典型应用图
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发布时间：2024-12-26 17:18 阅读量：275 继续阅读>>
芯进电子 | 双重保护隔离栅极驱动器通过<span style='color:red'>UL</span>1577认证
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芯进电子 | 双重保护隔离栅极驱动器通过UL1577认证

　　近日，芯进电子多系列隔离驱动产品顺利通过UL1577:2023各项测试，包括结构检查、隔离耐压测试、重载测试、热老化测试等，获得UL1577认证证书 (File No.E539511, Certificate Number: UL-US-2442758-0),VISO=8000Vrms，AC BV超过20KVrms，surge测试峰值超过20KVpk，隔离耐压业绩领先。　　该系列产品型号为CCi8335SVB-LMN, CCi8335SVB-LMN-Q1, CCi8338SVB-LMN, CCi8338SVB-LMN-Q1，是芯进电子推出的适用于电机驱动、太阳能逆变器、UPS、隔离 IGBT、功率 MOSFET 栅极驱动等多场景的超高性能隔离驱动器。　　此次，芯进电子双重保护隔离驱动IC凭借卓越的产品力获得了国际标准的认可，彰显了芯进电子过硬的技术能力及迈向国际化的实力与决心，也是国产替代化进程中当之无愧的实力派。未来，芯进电子将在UL认证的加持下，持续为国内外客户提供高品质、高可靠性、更安全的产品及解决方案，推动行业的发展与进步。　　产品介绍　　CCi8335是一款兼容光耦的单通道隔离式栅极驱动器，具有6A峰值拉电流和8A峰值灌电流。33V的高电源电压范围可有效驱动IGBT、MOSFET和SiC，具有60ns传播延迟和25ns最大脉宽失真。输入侧通过一个8000VRMS增强型隔离层与输出驱动器隔离，两侧之间的共模瞬态抑制(CMTI)典型值为150V/ns。　　应用场景　　电机驱动器　　太阳能逆变器　　UPS 和电池充电器　　隔离 IGBT、功率 MOSFET 栅极驱动
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发布时间：2024-12-25 09:59 阅读量：274 继续阅读>>
国民技术N32 MCU通过 IEC/EN/<span style='color:red'>UL</span> 60730功能安全认证
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国民技术N32 MCU通过 IEC/EN/UL 60730功能安全认证

　　近期，国民技术多个系列的N32 MCU产品先后通过了全球领先的检验、鉴定、测试和认证机构SGS的IEC/EN/UL 60730功能安全测试认证，获得SGS颁发的IEC/EN/UL 60730认证证书，助力自动电气控制终端安全设计。　　产品通过该认证，充分表明N32系列MCU在功能安全性方面完全满足国际IEC/EN/UL 60730标准要求，可协助客户快速实现终端产品的功能安全开发，减少客户产品开发时间与成本。同时也再次彰显国民技术在通用产品的安全研发与质量管控方面拥有国际认可的实力。　　通过IEC/EN/UL 60730认证的N32系列MCU产品包括：　　基于Arm® Cortex®-M4核的系列MCU：N32G457、N32G455、N32G452、N32G451、N32G4FR、N32G435、N32G432、N32G430、N32L402、N32L403、N32L406、N32L433、N32L436　　基于Arm® Cortex®-M0核的系列MCU：N32G003、N32G030、N32G031、N32G032、N32G052　　国民技术可为客户提供SGS出具的检测报告、证书和经过认证符合IEC/EN/UL 60730 Class B标准的功能安全软件库(Nations.CM4_60730_Classb_Library，Nations.CM0_60730_Classb_Library)，以及完备的安全文档。　　关于SGS　　SGS是国际公认的测试、检验和认证机构，拥有着强大的国际认证网络，能够为半导体客户提供全面的测试(化学测试、可靠性测试)、失效分析、车规认证服务、功能安全评估等。SGS的多国认证服务区域涵盖：北美洲、欧洲、日本、韩国、新加坡、马来西亚、越南、澳大利亚、沙特阿拉伯、科威特、伊拉克库尔德地区以及坦桑尼亚、伊朗、尼日利亚、乌干达、阿尔及利亚以及部分南美国家等，是您值得信赖的合作伙伴。
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发布时间：2024-11-04 15:21 阅读量：349 继续阅读>>
上海雷卯：ESD管ESD113-B1-02EL(S)国产替代型号<span style='color:red'>UL</span>C0342CDNH，<span style='color:red'>UL</span>C0321CDNH参数对比
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上海雷卯：ESD管ESD113-B1-02EL(S)国产替代型号ULC0342CDNH，ULC0321CDNH参数对比

　　雷卯型号全，能替代大量infineon型号。具体如下：　　应用于3.3V高速信号静电保护器件，infineon的ESD113-B1-02EL(DFN1006)和ESD113-B1-02ELS(DFN0603)，交期长，价格高。已经有很多客户选雷卯的 ULC0342CDNH(DFN1006)，ULC0321CDNH(DFN0603)，可以获得更好的价格和更快的交期，　　ULC0321CDNH带回扫 ，钳位电压Vc比ESD113-B1-02EL更低只有5.5V，并且IPP为6A，能很好的保护后级电路。　　我们可以参看下面列出的参数对比。　　判断ESD二极管是否可以替代需注意的几点：　　1.VRWM是否接近;　　2.抗静电能力是否接近;　　3.VBR是否接近　　4.IPP是否接近;　　5.CJ是否接近。　　ULC0342CDNH，ESD113-B1-02EL封装都是 DFN1006。　　ULC0342CDNH的 VRWM,VBR,CJ ESD(air,contact)参数都几乎同ESD113-B1-02EL一样，但IPP, Vc两个参数更优优于ESD113-B1-02EL。　　ULC0321CDNH，ESD113-B1-02ELS封装都是 DFN0603。　　ULC0321CDNH的VRWM,VBR,CJ ESD(air,contact)参数都几乎同ESD113-B1-02ELS一样，但IPP, Vc两个参数更优优于ESD113-B1-02ELS。　　ULC0342CDNH，ULC0321CDNH主要应用于:USB3.0,HDMI,DVI,显示接口，移动HDMI,MDDI,MIPI,SWP/NFC 保护。　　规格书主要部分展示如下：　　上海雷卯专业研发销售ESD TVS产品。我们致力于为客户提供高品质的ESD TVS产品，以保护电路免受静电干扰和电压波动的影响。我们的产品涵盖广泛的应用领域，包括电子、通讯、计算机、汽车、医疗等行业。我们拥有一支经验丰富的研发团队，能够根据客户需求提供个性化定制服务。我们的目标是成为全球领先的ESD TVS供应商之一，为客户提供最优质的解决方案和服务。
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发布时间：2024-07-15 11:18 阅读量：461 继续阅读>>
方舟微UltraVt® 超高阈值耗尽型MOSFET在PWM IC供电方案中的应用
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方舟微UltraVt® 超高阈值耗尽型MOSFET在PWM IC供电方案中的应用

　　ARK（方舟微）研发的UltraVt?超高阈值耗尽型MOSFET包括耐压60V的DMZ0622E系列、耐压100V的DMZ(X)1015E系列、耐压130V的DMZ(X)1315E系列、耐压130V的DMZ(X)1315EL系列等产品。　　该系列耗尽型MOSFET具有超高的阈值电压参数，利用其压阈值特性，非常适合直接用于各类PWM IC的供电方案中，既能实现PWM IC的宽电压范围输入下的供电需求，又能很好的抑制电路浪涌，为PWM IC提供过压保护。　　UltraVt超高阈值耗尽型MOSFET系列产品的主要参数如下：　　01　　典型电路　　UltraVt超高阈值耗尽型MOSFET稳压应用典型电路 (以DMZ1015E为例)如下：　　图1. UltraVt超高阈值耗尽型MOSFET稳压应用典型电路　　02　　应用原理　　UltraVt超高阈值耗尽型MOSFET稳压应用原理：　　如图1电路所示，PWM IC与DMZ1015E的S-G并联，因此PWM IC的VCC电压就等于DMZ1015E的|VGS|电压。当输入电压较低时，DMZ1015E基本直通，仅在D-S两端有较小压降。当DMZ1015E工作在稳压状态时，MOSFET自身会工作在饱和区，根据耗尽型MOSFET的输出特性曲线可知，在不同的饱和电流IDS下都会有唯一的VGS电压相对应，且该VGS电压数值上与同样IDS电流下的|VGS(OFF)|相等。　　而在图1所示电路中，VGS≤0V，因此VGS电压的范围为：0V≤|VGS|≤|VGS(OFF)|(MAX)，即VCC的电压大小根据IDS电流的不同，只能在DMZ1015E的阈值电压范围内变化，IDS电流越大，|VGS|数值越小。当IDS电流一定时，输出电压|VGS|也唯一确定。　　因此使用ARK（方舟微）UltraVt?超高阈值耗尽型MOSFET可以直接给PWM IC进行宽电压范围输入条件下的稳压供电。
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发布时间：2023-11-17 15:49 阅读量：1920 继续阅读>>
英飞凌携手Edge Impulse扩展边缘AI能力，为蓝牙客户带来更多基于机器学习模型的平台选择
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英飞凌携手Edge Impulse扩展边缘AI能力，为蓝牙客户带来更多基于机器学习模型的平台选择

　　英飞凌科技股份公司于近日宣布与EdgeImpulse合作，为PSoC™ 63低功耗蓝牙®微控制器(MCU)扩展基于微型机器学习的AI开发工具。人工智能物联网应用开发者现在可以使用Edge Impulse Studio环境，在高性能、低功耗的PSoC 63低功耗蓝牙微控制器上构建边缘机器学习(ML)应用。　　此次合作为客户在基于PSoC 63低功耗蓝牙微控制器器件的系统中进行本地开发和配置机器学习应用提供了更多灵活性和平台选择，这些PSoC 63低功耗蓝牙微控制器器件可提供150-MHzArm®CPU性能、低功耗连接和丰富的外设选项套件。例如，搭载E-Ink显示屏模块(CY8CKIT-028-EPD)的CY8CKIT-062-BLE先锋套件包含一个惯性测量单元、麦克风和温度传感器，其支持在专为低功耗、低云成本边缘物联网环境而优化的系统中使用AI模型对传感器采集来的真实数据进行处理。　　英飞凌的PSoC 63低功耗蓝牙微控制器器件采用基于Arm® Cortex®-M4F和Arm Cortex-M0+的双核芯片架构，在单个芯片上集成了低功耗蓝牙5.2、可配置的电压与频率设置、内置硬件安全、尖端电容接口等功能。作为市场上唯一的150 MHz 低功耗蓝牙微处理器，该款英飞凌PSoC器件集节能、小尺寸和可编程性于一身，可以完美适配受益于运行高级深度学习算法的边缘物联网应用。　　Edge Impulse的产品简化了收集和构建数据集的过程，使用预先构建的构建块设计算法、使用实时数据验证模型，并在PSoC 63低功耗蓝牙微控制器等边缘目标部署完全优化的生产就绪方案。　　英飞凌蓝牙产品线副总裁Shantanu Bhalerao表示：“此次与Edge Impulse在PSoC 63低功耗蓝牙微控制器方面的合作，使得英飞凌的客户可以更快推出针对嵌入式AI/ML用例的解决方案。英飞凌致力于使我们的客户能够开发自己的AI/ML模型，或者采用英飞凌或英飞凌重要的合作伙伴所提供的预定义模型套件中的模型。英飞凌十分高兴Edge Impulse能加入我们不断壮大的合作伙伴网络，并将继续与我们广泛的AI/ML合作伙伴合作来扩充我们的产品。”　　Edge Impulse首席执行官兼联合创始人Zach Shelby表示：“凭借先进的处理能力和低功耗等优势，PSoC 63低功耗蓝牙微控制器是小至可穿戴设备，大至工业监测的新一代边缘设备的理想选择。在Edge Impulse平台的加持下，嵌入式开发者可以更快开发和部署各种令人兴奋且强大的边缘机器学习应用解决方案。”
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发布时间：2023-08-30 09:29 阅读量：2123 继续阅读>>
蔡司携纳析科技推出新一代Multi-SIM,共探细胞微观世界
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蔡司携纳析科技推出新一代Multi-SIM,共探细胞微观世界

　　蔡司致力于成为自主高端显微技术的参与者与推动者，以科创融合的本土化解决方案，开创性地赋能中国自主研究，与纳析科技开展深度战略合作，携手积极推动国产显微技术成果的产业化，联合推出全新产品Multi-SIM X。　　Multi-SIM X 是纳析科技及创始人中国科学院生物物理所李栋团队经十余年研发积累的结晶。多模态结构光超分辨智能显微成像系统Multi-SIM系列产品为基础生物医学、临床病理、药物精准筛选等研究，提供出色的高速、长时程、超分辨活细胞成像全流程解决方案。相关工作被评为科技部2018年度“中国科学十大进展”。　　Multi-SIM 将带给您：　　多模态的成像方式　　Multi-SIM不仅包含了传统的TIRF-SIM与3D-SIM，还有自主研发的GI-SIM、Single Slice-SIM、Stacked Slices-SIM、Nonlinear-SIM 等模态，可针对不同生物过程在细胞内的定位和分布特点选择最优成像模态。　　快速、长时程、活细胞超分辨成像　　Multi-SIM 不仅能实现优于60nm分辨率的成像，同时具有687fps的超分辨成像速度　　高效的数据采集　　Multi-SIM 提供了133 um x 133 um的超大成像视野，可实现四通道同时成像，同时具有多区域拍摄功能与拼图功能。　　完善的智能算法体系　　经典算法可以大幅提高Multi-SIM的成像质量;基于深度学习的降噪及超分辨算法，结合样品特性进一步提高分辨率及图像质量。　　主要功能应用：　　蔡司中国开创性的以本土化解决方案赋能中国自主研究积极推动国产显微技术成果的产业化，助力中国科研创新高质量发展，通过蔡司全球科研技术平台，中国科研创新技术可以快速融入“全球科研圈”,让世界看到中国力量。
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发布时间：2023-07-18 09:41 阅读量：2324 继续阅读>>
特斯拉推出充电新品赛博充Cybervault
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特斯拉推出充电新品赛博充Cybervault

　　据最新消息，特斯拉官方于昨日正式宣布推出其最新的家庭充电服务包，名为“赛博充CyberVault”。该产品将涵盖市场上的一种需求空白，为特斯拉车主提供更加便捷，更高效的充电方式。　　特斯拉官网显示，CyberVault充电桩上市首发价未5500元，重量为13千克，是单相220V工作的充电设备，兼容特斯拉全系车型，对应充电性能为32A/7KW。充电枪线长度为6米，支持即插即充、定时充电/按时出发等充电体验。此外，该充电桩还支持一机两用，可家充，可携带，是普通充电桩所无法比拟的。　　特斯拉发言人表示，将通过安装CyberVault充电桩扩大用户的充电网络，满足日益增长的电动汽车需求。CyberVault充电桩将有效提升用户的使用体验，达到更加便利和快速的充电效果。
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发布时间：2023-04-06 09:53 阅读量：3002 继续阅读>>
罗姆​ROHM Solution Simulator新增热分析功能
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罗姆​ROHM Solution Simulator新增热分析功能

    近年来，功率元器件在功率转换应用中发挥着非常重要的作用。在涉及到大功率和高电压的应用产品开发过程中，特别是在预先确保安全性方面，仿真是一种行之有效的方法。此外，在处理大功率的应用中，除了电气特性和电路工作之外，热设计也变得非常重要，对热仿真的需求日益高涨，而新增的热分析功能，正好满足了热设计的需求。    ROHM Solution Simulator是一款免费的电子电路仿真工具，可以一并验证由功率元器件和驱动IC等组成的电路。自2020年发布以来，它的适用性和准确性受到高度好评，作为一款可有效减少应用产品开发周期的工具，正在被广泛使用。Solution Circuits是ROHM为使用ROHM Solution Simulator进行仿真而准备的应用电路和IC基本工作电路的仿真模型，均可免费使用。    ROHM Solution Simulator：热分析功能的关键亮点具有业内难得的能够对含有功率半导体、IC和无源器件的电路进行热-电耦合分析的功能。除了电路工作期间的半导体芯片温度（结温）分析外，还可以对引脚温度和电路板上元器件之间的热干扰情况进行分析。过去需要十几个小时甚至近一天时间的热分析仿真，如今在10分钟以内即可完成。以前需要通过试制产品来实测各个部件的温度，如今可以很轻松地预先确认，因此可以减少返工并缩短开发周期。    ROHM Solution Simulator的热分析功能简介    ROHM Solution Simulator此次新增的热分析功能是使用热流体分析工具对从实际电路板计算出的散热相关参数进行3D建模，并将三维数据降维为一维，以便可以通过电路仿真器进行热分析，从而进行电和热的耦合分析。耦合分析是考虑了电、热、流场等两种或多种不同影响因素的交叉作用和相互影响，并对稳态和瞬态进行计算的一种分析方法。    除了能够确认在应用产品工作过程中会变化的半导体芯片温度（结温）外，还可以确认引脚温度和电路板上元器件和模块内部芯片的热干扰情况。    以往，这些热分析仿真需要十几个小时甚至将近一天的时间，如今使用ROHM Solution Simulator在10分钟以内即可完成。    这次，发布了第一批Solution Circuit，其中包括搭载了IGBT和分流电阻器的PTC Heater（无内燃机的电动汽车专用加热器）应用电路、DC-DC转换器IC“BD9G500EFJ-LA”、LED驱动器IC“BD18337EFV-M”和“BD18347EFV-M”、LDO稳压IC“BD450M2EFJ”等5款机型的共10种电路。    今后，ROHM将针对在电子电路设计中热容易成问题的应用产品和设备的Solution Circuit，逐步新增热分析功能。
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发布时间：2022-10-19 13:04 阅读量：2775 继续阅读>>
可同时验证功率半导体和驱动IC的免费在线仿真工具 “ROHM Solution Simulator”新增热分析功能
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可同时验证功率半导体和驱动IC的免费在线仿真工具 “ROHM Solution Simulator”新增热分析功能

    全球知名半导体制造商ROHM面向汽车和工业设备等电子电路设计者和系统设计者，在ROHM官网上公开了一款在线仿真工具“ROHM Solution Simulator”，利用该仿真工具可以在电路解决方案上一并验证功率元器件（功率半导体）和驱动IC等，此次又在该工具中新增了热分析功能。    “ROHM Solution Simulator”是在ROHM官网上提供的一款免费电子电路仿真工具，可支持广泛的仿真应用，包括从元器件选型和元器件单独验证到系统级的运行验证。利用该工具，可以通过接近用户实际环境的电路解决方案，轻松且高精度地对ROHM提供的SiC元器件等功率半导体、驱动和电源等应用领域的各种IC、以及分流电阻器等无源器件进行一并验证，从而可大大缩减用户的应用开发工时，因此得到了用户的高度好评。    此次新增的热分析功能，安装在容易发生热问题的应用或设备的电路解决方案中，适用于搭载了IGBT和分流电阻器的PTC电加热器（无内燃机的电动汽车专用加热器）、DC/DC转换器IC和LED驱动器IC等的电子电路设计。在功率半导体和IC以及无源器件相结合的电路解决方案中，增加业内先进的能够在线进行热电耦合分析的功能*1。利用该功能不仅可以对应用运行时的半导体芯片温度（结温）进行仿真，还可以对引脚温度和电路板上元器件的热干扰进行仿真，以往需要一天才能完成的热分析仿真工作，如今10分钟以内即可完成。以往，设备各部分的温度需要在产品试制后通过实测进行确认，现在，在产品试制前即可快速且简便地进行确认，因此，该功能非常有助于减少试制后的返工，减少存在热问题的应用产品的开发工时。    未来，ROHM将以新开发的SiC元器件为中心，继续在支持“ROHM Solution Simulator”的更多电路解决方案中添加热分析功能，为进一步减少应用产品的开发工时和预防问题的发生贡献力量。    ＜背景＞    不仅在汽车和工业设备领域，几乎在所有的应用开发过程中，都会充分利用仿真来减少开发工时。在电子电路板的设计过程中也是一样，仿真可以减少部件选型所需的时间和精力，在实机验证之前明确问题所在，从而可以显著减少电路板试制和评估相关的工时。    ROHM面向汽车和工业设备领域，致力于开发能够更大程度地发挥出提供大功率的功率半导体和驱动功率半导体的IC性能的应用电路，并提供相应的支持，在2020年发布了能够一并验证功率半导体和IC等产品的“ROHM Solution Simulator”。该工具不仅是免费的，而且精度高且易用，受到用户广泛好评。很多用户希望在对电路工作进行仿真的同时能够进行温度仿真，为了满足该需求，此次新增了热分析功能。    ＜热分析功能概述＞    电子电路板有多个影响散热性能的参数（层数、面积等）。“ROHM Solution Simulator”的热分析功能，是使用热流体分析工具对从实际电路板计算出的散热相关参数进行3D建模，并将三维数据降维为一维，以便可以通过电路仿真工具进行热分析，从而进行电和热的耦合分析。利用该功能不仅可以对应用运行时会发生变化的半导体芯片温度（结温）进行仿真，还可以对引脚温度和电路板上的元器件和模块内芯片的热干扰进行仿真，以往需要一天才能完成的热分析仿真工作，如今10分钟以内即可完成（不到以往所需时间的1/100）。    此次，作为第一波，在搭载了IGBT和分流电阻器的PTC电加热器（无内燃机的电动汽车专用加热器）、DC/DC转换器IC“BD9G500EFJ-LA”和LED驱动器IC“BD18337EFV-M”、“BD18347EFV-M”等的仿真电路中新增的热分析功能。对于在设计电路时容易产生热问题的应用和设备来说，可以在产品试制前通过仿真快速确认设备各部分的温度，从而有助于减少应用的开发工时。    ●使用热分析功能可完成的工作（详情）    ＜ROHM Solution Simulator的特点＞    “ROHM Solution Simulator”是一款业内难得的可以一并验证功率半导体、IC和无源器件的免费在线仿真工具。该仿真工具具有以下特点，可以减少电子电路设计者和系统设计者的应用开发工时。    1. 可通过接近应用环境的电路解决方案，同时验证功率半导体和IC    利用“ROHM Solution Simulator”，可以通过接近实际应用环境的电路解决方案，轻松且高精度地对ROHM的SiC元器件和IGBT等功率半导体、驱动IC和电源IC等各种IC、分流电阻器等无源器件进行验证。可以对包括外围电路在内的、单个元器件无法确认的特性进行仿真。    2.　仿真数据可以植入到用户自己的开发环境    “ROHM Solution Simulator”采用Siemens EDA推出的仿真平台“PartQuest?”开发而成，该公司是电子设计自动化软件行业的巨头，在汽车行业和工业设备行业拥有骄人的业绩。现有的PartQuest用户或新注册PartQuest账户的用户可以将“ROHM Solution Simulator”中执行的仿真数据导入自己的PartQuest环境（工作区），在更接近实际使用的系统电路上进行验证，也能够自定义验证。
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发布时间：2022-10-17 10:54 阅读量：2538 继续阅读>>

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