佰维存储加入开放<span style='color:red'>数据中心</span>委员会ODCC：打造“高效存力”，赋能AI+时代
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佰维存储加入开放数据中心委员会ODCC：打造“高效存力”，赋能AI+时代

　　开放数据中心委员会(Open Data Center Committee，简称“ODCC”)是在中国通信标准化协会指导下，以开放、合作、创新、共赢为宗旨，围绕服务器、数据中心设施、网络、新技术与测试、边缘计算、智能监控与管理等内容，打造活跃、高效、有国际竞争力的生态圈和开放平台，推动形成行业统一、有国际影响力的规范和标准，促进产业合作、技术创新和推广应用。　　近日，开放数据中心委员会2024冬季全会在昆明圆满召开，佰维存储作为ODCC新晋白金供应商会员，与众多会员单位专家深入探讨交流数据中心最新成果和技术趋势，共同致力于建设更加开放的数据中心平台。同时，北京佰维副总经理魏靖分享了公司在ODCC项目的重要立项情况，涵盖《边缘服务器的存储部件需求分析与规范制订》、《存储部件SMART特征值的研究与测试》等项目，展示了公司在企业级存储技术领域的深入布局和研究。　　01研发封测一体化：构建“高效存力”的基石　　随着人工智能技术蓬勃发展，AI大模型正加速融入各行业业务场景，全球正迈向全新的“AI+”时代。在这一进程中，AI计算要求算力、存力、运力协同发展，尤其是数据量级、传输速率和处理能力的需求急剧增长，存力成为推动AI技术落地应用的关键。　　在此背景下，佰维凭借在存储介质特性研究、芯片IC设计、固件算法自研、硬件开发以及封装测试等方面积累了一系列核心技术能力，能够深入理解NAND Flash和DRAM的特性，并根据客户的特定需求提供定制化的存储解决方案，精准匹配不同行业和应用场景的实际存储要求。同时，佰维利用自有先进封测制造基地，通过整合产品生命周期管理、产品设计开发、质量管理、生产信息化管理、交付等系统，可实现从存储芯片到模组产品的全流程可追溯管理，确保企业级存储产品的高效生产和高质量交付，打造“高效存力”。　　02企业级SSD+RDIMM产品矩阵：赋能AI应用高效存储需求　　依托长期积累形成的综合技术实力和先进封测制造能力，佰维构建了丰富齐备的企业级SSD+RDIMM产品线，涵盖高性能企业级PCIe 4.0/5.0 NVMe SSD、SATA SSD、DDR5/DDR4 RDIMM以及CXL 2.0内存扩展模块。系列产品兼顾高吞吐量、高IOPS、低延迟、优异的QoS特性、高密度以及成本效益，兼容Intel、AMD以及鲲鹏、海光、龙芯、飞腾、兆芯、申威等服务器系统，能够适应各种企业级读写密集型和混合应用场景，满足云计算和大规模数据中心数据高速传输、快速响应、高效分析等需求，覆盖各行业业务场景AI应用，产品性能和品质获得行业类客户及市场的广泛认可。其中，佰维企业级PCle 5.0 SSD——SP506/516系列产品荣获了DOIT AWARD 2024存储风云榜“2024年度企业级固态盘产品金奖”。　　展望未来，佰维存储将积极参与数据中心行业发展规划及相关标准化制定，携手与ODCC生态合作伙伴共同推进产品互认证和技术标准的兼容适配。同时，公司将持续深化“研发封测一体化2.0”布局，不断优化产品创新、品质保障和客户服务，通过提供更先进的企业级存储解决方案，赋能数据中心产业生态链的高效发展，共创AI+时代。
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发布时间：2024-12-26 17:15 阅读量：230 继续阅读>>
安森美将收购碳化硅JFET技术，以增强其针对人工智能<span style='color:red'>数据中心</span>的电源产品组合
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安森美将收购碳化硅JFET技术，以增强其针对人工智能数据中心的电源产品组合

　　安森美(onsemi，纳斯达克股票代码：ON)宣布已与Qorvo达成协议，以1.15亿美元现金收购其碳化硅结型场效应晶体管(SiC JFET) 技术业务及其子公司United Silicon Carbide。该收购将补足安森美广泛的EliteSiC电源产品组合，使其能应对人工智能(AI)数据中心电源AC-DC段对高能效和高功率密度的需求，还将加速安森美在电动汽车断路器和固态断路器(SSCB)等新兴市场的部署。　　SiC JFET的单位面积导通电阻超低，低于任何其他技术的一半。它们还支持使用硅基晶体管几十年来常用的现成驱动器。综合这些优势，SiC JFET的采用能够加快开发速度，减少能耗并降低系统成本，为电源设计人员和数据中心运营商提供显著的价值。　　“随着Al工作负载日趋复杂和高耗能，能提供高能效并能够处理高压的可靠SiC JFET将越来越重要。”安森美电源方案事业群总裁兼总经理Simon Keeton表示，“随着Qorvo业界领先的SiC JFET技术的加入，我们的智能电源产品组合将为客户提供多一种优化能耗，并提高功率密度的选择。”　　该交易需满足惯例成交条件，预计将于2025年第一季度完成。
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发布时间：2024-12-13 10:29 阅读量：334 继续阅读>>
以创新为引擎，安森美推动<span style='color:red'>数据中心</span>能效革新
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以创新为引擎，安森美推动数据中心能效革新

　　随着数据中心为了满足人工智能(AI)计算的庞大处理需求而变得越来越耗电，提高能效变得至关重要。与一般的搜索引擎请求相比，搭载AI的引擎需要消耗超过10倍的电力。加快功率半导体的创新以改善能效是实现这些技术大趋势的关键。安森美(onsemi)的PowerTrench® T10系列和EliteSiC 650V MOSFET的强大组合可以显著降低能量转换过程中的功率损耗，将对下一代数据中心的需求产生积极的影响。　　该方案在更小的封装尺寸下提供了无与伦比的能效和卓越的热性能。通过使用PowerTrench® T10系列和EliteSiC 650V解决方案，数据中心能够减少约1%的电力损耗。如果在全球的数据中心实施这一解决方案，每年可以减少约10太瓦时的能源消耗，相当于每年为近百万户家庭提供全年的用电量 。　　EliteSiC 650V MOSFET提供了卓越的开关性能和更低的器件电容，可在数据中心和储能系统中实现更高的效率。与上一代产品相比，新一代SiC MOSFET的栅极电荷减半，并且将储存在输出电容(Eoss)和输出电荷(Qoss)中的能量均减少了44%。与超级结 (SJ) MOSFET 相比，它们在关断时没有拖尾电流，在高温下性能优越，能显著降低开关损耗。这使得客户能够在提高工作频率的同时减小系统元件的尺寸，从而全面降低系统成本。　　PowerTrench® T10 系列专为处理对DC-DC功率转换级至关重要的大电流而设计，以紧凑的封装尺寸提供了更高的功率密度和卓越的热性能。这是通过屏蔽栅极沟槽设计实现的，该设计具有超低栅极电荷和小于 1 毫欧的导通电阻RDS(on)。此外，软恢复体二极管和较低的 Qrr 有效地减少了振铃、过冲和电气噪声，从而确保了在应力下的最佳性能、可靠性和稳健性。该组合解决方案还符合超大规模运营商所需的严格的开放式机架 V3 (ORV3) 基本规范，支持下一代大功率处理器。　　安森美加速SiC创新　　安森美提供智能电源和智能感知技术，加速推动汽车功能电子化和汽车安全、可持续电网、工业自动化以及5G和云基础设施等细分领域的变革创新。安森美位列《财富》美国500强，也被纳入纳斯达克100指数和标普500指数。　　SiC是电动汽车和光伏逆变器等应用的关键技术。安森美是业内少有的端到端SiC制造商，包括 SiC 晶锭批量生长、晶圆制造、外延、器件制造、出色的集成模块和分立封装方案，掌控着从衬底到最终模块的每一个生产步骤，在保持产品质量和性能的同时还能优化成本、简化运营、优化效率并保证供应。　　为推进全球电气化转型，安森美加速SiC创新，宣布计划在 2030 年前加速推出多款新一代SiC产品。最新推出的EliteSiC M3e MOSFET 能将电气化应用的关断损耗降低多达 50%，该平台采用经过实际验证的平面架构，以独特方式降低了导通损耗和开关损耗。由于能够在更高的开关频率和电压下运行，EliteSiC M3e MOSFET可有效降低电源转换损耗，这对于电动汽车动力系统、直流快速充电桩、太阳能逆变器和储能方案等广泛的汽车和工业应用至关重要。此外，EliteSiC M3e MOSFET 将促进数据中心向更高效、更高功率转变，以满足可持续人工智能引擎指数级增长的能源需求。　　此外，安森美还提供更广泛的智能电源技术，包括栅极驱动器、DC-DC 转换器、电子保险丝等，并均可与 EliteSiC M3e 平台配合使用。通过这些安森美优化和协同设计的功率开关、驱动器和控制器的端到端一体化技术组合，可实现多项先进特性集成，并降低整体系统成本。　　安森美因其在智能电源和智能感知技术领域的卓越贡献，已成功入围由elexcon 2024深圳国际电子展和电子发烧友网联合发起的年度领军企业奖。
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发布时间：2024-08-08 09:47 阅读量：595 继续阅读>>
AI<span style='color:red'>数据中心</span>电力飙升，安森美高能效MOSFET如何见招拆招？
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AI数据中心电力飙升，安森美高能效MOSFET如何见招拆招？

　　人工智能应用的扩展速度令人震惊。ChatGPT 上线仅 5 天，用户数量就达到了 100 万，并在 2 个月内突破了 1 亿，这一增长速度远超于 TikTok 和 Instagram。GPT-4 训练包含超过 1.7 万亿参数和 13 万亿 token，总共使用了 2.5 万个 NVIDIA A100 GPU，每台服务器的功耗约为 6.5 kW。据 OpenAI 称，GPT-4 的训练耗时 100 天，消耗能源约 50 GWh，耗资 1 亿美元。　　在当前环境中，我们很难准确估计未来耗电情况，其中为支持人工智能而部署的 GPU 消耗了大部分电力。国际能源署保守预测，到 2026 年，数据中心的耗电量将至少达到 650 TWh，甚至可能超过 1,000 TWh。　　01、人工智能数据中心的架构演变　　早期数据中心将电网电压集中转换为 12V，然后通过总线将电力传输至服务器，再通过逻辑电平转换器将电压转换为 3.3/5V。然而功率需求不断提升，这种供电方法的电能损耗变得不可接受。因此，母线电压被提高到 48V，电流减小到原来的 1/4，损耗降低到了原来的 1/16。　　而目前处理器电压进一步降低，从 3.3V 降到了低于 1V 的亚伏特级别，此时就需要使用多条功率相对较高的电压轨。这进而催生了两级电压转换方案。该方案使用 DC-DC 转换器作为中间总线转换器 (IBC)，先将 48V 电压转换为 12V 的局部总线电压，然后再将此转换为所需的低电压。　　02、人工智能数据中心需要高能效电源转换　　功率损耗带来了双重挑战，不仅会造成能源浪费、增加运营成本，而且会产生大量热量，进而需占用更大空间、消耗更多成本。运营超大规模人工智能数据中心时，机架功率需求为 120 kW。将电网电力转换为 GPU 所用电压的能效约为 88%，这意味着会产生大约 15 kW 废热，并需要通过液冷技术进行有效散热。　　在服务器电源设计中，能效和功率密度是两个重要概念，二者相辅相成。我们必须尽可能高效地将来自电网的能量转换为有用功率，减少损耗。为此，电源拓扑不断演变，业界开发了同步整流等技术，并在整流器中采用 MOSFET 取代了损耗较大的二极管。　　改进拓扑结构只成功了一半。为了优化能效，还必须尽可能提高所有元器件的能效，尤其是对转换过程至关重要的 MOSFET。　　MOSFET 并非无损耗器件，在导通和开关过程中也会产生损耗。随着服务器电源不断提高运行频率以缩小尺寸，开关损耗成为了优化的重点。　　03、高效 PowerTrench® MOSFET　　安森美的中低压 T10 PowerTrench® MOSFET 采用了新型屏蔽栅极沟槽技术，降低了开关损耗和导通损耗，并进而显著降低了其 Qg，RDS(ON) 也降至 1mOhm 以下。其中的先进软恢复体二极管缓解了振铃、过冲和噪声问题，同时降低了 Qrr 损耗，为快速开关应用找到了性能与恢复时间的平衡点。　　与早期器件相比，这些新型 MOSFET 可使开关损耗降低高达 50%，并使导通损耗降低 30% 以上。　　安森美新型 40V 和 80V T10 PowerTrench 器件的 RDS(on) 表现出色。NTMFWS1D5N08X(80 V、1.43 mΩ、5 mm x 6 mm SO8-FL 封装)和 NTTFSSCH1D3N04XL(40 V、1.3 mΩ、3.3 mm x 3.3 mm 源极向下双散热封装)具有优异的品质因数 (FOM)，是人工智能数据中心电源供应器(PSU) 和中间总线转换器应用的理想选择。T10 PowerTrench MOSFET 符合严格的 Open Rack V3 能效标准，即能效达到 97.5% 以上。
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发布时间：2024-07-01 11:38 阅读量：532 继续阅读>>
安森美推出提高<span style='color:red'>数据中心</span>能效的完整电源解决方案
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安森美推出提高数据中心能效的完整电源解决方案

　　随着数据中心为了满足人工智能计算的庞大处理需求而变得越来越耗电，提高能效变得至关重要。安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)最新一代T10 PowerTrench®系列和EliteSiC 650V MOSFET的强大组合为数据中心应用提供了一种完整解决方案，该方案在更小的封装尺寸下提供了无与伦比的能效和卓越的热性能。　　与一般的搜索引擎请求相比，搭载人工智能的引擎需要消耗超过10倍的电力，预计在未来不到两年的时间，全球数据中心的电力需求将达到约1,000太瓦时(TWh)。从电网到处理器，电力需要经过四次转换来为人工智能请求的处理提供电能，这可能导致约12%的电力损耗。　　通过使用T10 PowerTrench系列和EliteSiC 650V解决方案，数据中心能够减少约1%的电力损耗。如果在全球的数据中心实施这一解决方案，每年可以减少约10太瓦时的能源消耗，相当于每年为近百万户家庭提供全年的用电量。　　EliteSiC 650V MOSFET提供了卓越的开关性能和更低的器件电容，可在数据中心和储能系统中实现更高的效率。与上一代产品相比，新一代碳化硅(SiC) MOSFET的栅极电荷减半，并且将储存在输出电容(Eoss)和输出电荷(Qoss)中的能量均减少了44%。与超级结(SJ) MOSFET相比，它们在关断时没有拖尾电流，在高温下性能优越，能显著降低开关损耗。这使得客户能够在提高工作频率的同时减小系统元件的尺寸，从而全面降低系统成本。　　另外，T10 PowerTrench系列专为处理对DC-DC功率转换级至关重要的大电流而设计，以紧凑的封装尺寸提供了更高的功率密度和卓越的热性能。这是通过屏蔽栅极沟槽设计实现的，该设计具有超低栅极电荷和小于1毫欧的导通电阻RDS(on)。此外，软恢复体二极管和较低的Qrr有效地减少了振铃、过冲和电气噪声，从而确保了在压力下的最佳性能、可靠性和稳健性。T10 PowerTrench 系列还符合汽车应用所需的严格标准。　　该组合解决方案还符合超大规模运营商所需的严格的开放式机架V3 (ORV3) 基本规范，支持下一代大功率处理器。　　“"人工智能和电气化正在重塑我们的世界，并使电力需求激增。加快功率半导体的创新以改善能效是实现这些技术大趋势的关键，这也正是安森美负责任地为未来赋能的方式。"安森美电源方案分部总裁Simon Keeton表示，“我们的最新解决方案可以显著降低能量转换过程中的功率损耗，将对下一代数据中心的需求产生积极的影响。
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发布时间：2024-06-06 11:44 阅读量：850 继续阅读>>
英特尔发布新一代<span style='color:red'>数据中心</span>处理器
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英特尔发布新一代数据中心处理器

　　著名的半导体公司英特尔正式发布了备受期待的第六代至强服务器处理器，旨在 reconquer 数据中心市场份额。同时，公司还透露，其新推出的 Gaudi 3 人工智能加速器芯片价格将明显低于竞争对手的产品。　　据行业分析机构Mercury Research的数据显示，英特尔在x86芯片数据中心市场的份额在过去一年中下滑了5.6个百分点，降至76.4%，而其主要竞争对手超微半导体公司(AMD)的市场份额则上升至23.6%。这一趋势对英特尔来说无疑是一个严峻的挑战，因此，第六代至强芯片的发布被看作是英特尔重振数据中心业务的关键一步。　　新一代至强处理器分为两种主要型号：一种是高性能版本，旨在处理复杂的人工智能模型和对计算能力要求极高的任务;另一种是“效率”型号，该型号被设计为老一代芯片的替代品，专注于服务媒体、网站和数据库计算等应用。英特尔首席执行官帕特·基辛格介绍称，新款处理器实现了“性能提升，功耗降低”的目标。　　此外，英特尔还宣布了其新一代笔记本电脑芯片Lunar Lake的相关信息。据称，该芯片在功耗上降低了40%，并集成了更强大的AI处理器，计划于今年第三季度出货。　　在AI加速器方面，英特尔表示，包含八块AI芯片的Gaudi 3加速器套件售价大约为12.5万美元，相较于上一代Gaudi 2的6.5万美元标价有所上升，但英特尔强调，与竞争对手的产品相比，其价格仍然具有显著优势。根据供应商Thinkmate的估算，配备八个Nvidia H100 AI芯片的同类服务器系统成本可能超过30万美元。
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发布时间：2024-06-06 10:10 阅读量：663 继续阅读>>
佰维存储RAID固件优化，助力<span style='color:red'>数据中心</span>强化效能与安全
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佰维存储RAID固件优化，助力数据中心强化效能与安全

　　人工智能和物联网等先进技术的普及将推动对数据存储的需求升级，企业将需要更快、更安全、更密集的SSD，以实现各种高性能计算。随着固态硬盘技术的发展，使用固态硬盘的RAID配置逐渐成为高性能、高安全性存储解决方案的基石。佰维存储依托在固件算法开发领域的优势，针对企业级SSD展开RAID固件优化，赋能企业级SSD RAID应用，实现数据保护与存储效率的双重提升，助力企业在数据海洋中稳驾云帆，畅享数据价值。　　RAID(Redundant Array of Independent Disks，独立冗余磁盘阵列)模式，即通过将多个存储单元进行数据的组合管理，相较于将数据单独存放于一个存储单元，进一步提升存储单元间的数据保护和备份能力。然而，主流的企业级SSD所支持的RAID实施方案将奇偶数据保存在固定的plane(面)位置，使所有的校验数据压力集中在固定的plane区域，从而对SSD的使用寿命产生不良影响。　　佰维存储创新性地提出了优化的RAID校验数据分布策略，通过预先设定校验规则，按固定间隔精确计算并确定每条带上的校验位置，从而确保校验数据能够均匀地分布在各个plane上，有效避免了校验压力过分集中于某个特定区域，实现了读写压力的均衡分布，进而提高SSD的整体寿命。　　读写性能提升： 校验数据的分散化使得读写操作不再局限于有限的存储面，而是能够在所有面上并行执行，显著提高了SSD的读写性能，降低延迟，满足了对高I/O性能需求的应用场景。　　确保数据完整，延长SSD使用寿命：通过将读写压力均匀分散至所有存储面，佰维RAID技术有助于防止因局部存储区域过度使用导致的早期磨损，从而显著延长了SSD的整体使用寿命，提高了存储系统的稳定性与可靠性。　　降低长期运营成本：佰维SSD RAID解决方案可改善数据负载不均匀现象，延缓产品损耗进程，从而降低了企业的运维成本，同时SSD RAID的冗余备份机制也避免了数据丢失带来的潜在经济损失，助力企业数据中心的可持续发展。　　此外，固件是固态硬盘产品的灵魂，对于存储器的性能发挥具有重要影响。依托于公司的存储解决方案研发能力，佰维为其企业级产品开启了固件备份，即在存储产品不同的Flash位置备份2~3个固件版本，当其中某个固件损坏之后，系统将自动识别并启动备份固件，从而大幅提升硬盘的稳定性和安全性。公司推出的2.5”SATA SSD产品，可满足数据中心对高性能、高安全存储解决方案的需求。　　企业级SS621 2.5”SATA SSD产品　　优越性能：公司SS621系列企业级2.5”SATA SSD产品，基于2.5”SATA接口，采用SATA 6Gbps接口规范搭载DDR4外置缓存，最大顺序读取速度、写入速度分别达到560MB/s、535MB/s，4K随机写入最高可达45KIOPS。　　多种容量等级，应用广泛：提供480GB~7680GB多种容量规格选择，全面覆盖企业级客户的广泛需求，无论是构建强大企业级数据中心，还是进行云服务、物联网(IoT)、人工智能(AI)、机器学习等关键业务，都能游刃有余;可广泛应用于在金融、运营商、企业数据中心等多个行业领域。　　数据保护与管理：公司SS621系列企业级2.5”SATA SSD产品， 支持固件备份、Internal Die RAID功能，以及异常掉电保护、E2E、Data Path Protection、Thermal Throttling、动态和静态磨损平衡、电源动态管理、S.M.A.R.T、垃圾回收和TRIM等特点，保障数据完整性和私密性。　　佰维存储通过不断优化、创新固件算法等存储解决方案，打造高性能、高可靠性的企业级存储方案，支持复杂的高容量工作负载，助力企业在数智化时代从容应对海量数据挑战，保障数据资产的安全且高效地存储与调用。未来，公司以存储赋能万物智联为使命，坚持以技术创新为引擎，持续突破存储技术的边界，驱动千行百业的智慧化升级与持续发展。
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发布时间：2024-04-17 09:16 阅读量：487 继续阅读>>
英飞凌推出高密度功率模块降低AI<span style='color:red'>数据中心</span>成本
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英飞凌推出高密度功率模块降低AI数据中心成本

　　人工智能(AI)正推动全球数据生成量成倍增长，促使支持这一数据增长的芯片对能源的需求日益增加。英飞凌科技股份公司近日推出TDM2254xD系列双相功率模块，为AI数据中心提供更佳的功率密度、质量和总体成本(TCO)。TDM2254xD系列产品融合了强大的OptiMOSTM MOSFET技术创新与新型封装和专有磁性结构，通过稳健的机械设计提供业界领先的电气和热性能。它能提高数据中心的运行效率，在满足AI GPU(图形处理器单元)平台高功率需求的同时，显著降低总体拥有成本。　　鉴于AI服务器的能耗比传统服务器高出3倍，而且数据中心的能耗已超过全球能源供应量的 2%，因此需要找到创新的功率解决方案和架构设计来进一步推动低碳化。英飞凌的TDM2254xD双相功率模块结合XDPTM控制器技术，具有卓越电气、散热和机械运行性能的高性能计算平台带来高效的电压调节，为绿色AI工厂奠定了基础。　　英飞凌在美国国际电力电子应用展览会(APEC)上正式推出TDM2254xD系列。该系列模块设计独到，可通过专为传递电流和热量而优化的新型电感器设计，实现从功率级到散热器的高效热量传递，从而使模块在满载时的效率较行业平均水平高出 2%。提高GPU核心的能效可以实现规模化的显著节能效果。这将为计算生成式AI的数据中心节省数兆瓦的电力，进而减少二氧化碳排放量并在整个系统生命周期内节省数百万美元的运营成本。　　英飞凌科技电源与传感系统事业部高级副总裁Athar Zaidi表示：“通过将这款独特的半导体产品到系统解决方案与我们的前沿制造技术相结合，英飞凌能够大规模提供具有差异化性能和质量的解决方案，大幅降低客户的总体拥有成本。我们很高兴推出这项解决方案，它将优化计算性能并进一步帮助我们完成数字化和低碳化的使命。"
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发布时间：2024-03-05 09:18 阅读量：1718 继续阅读>>
百度战略投资赛昉科技 RISC-V挺进<span style='color:red'>数据中心</span>大市场
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百度战略投资赛昉科技 RISC-V挺进数据中心大市场

　　2023年3月23日，赛昉科技正式宣布完成新一轮融资，由战略投资方百度独家投资。此前，赛昉科技已累计完成超过10亿元融资，融资总额为国内RISC-V领域第一。此次，凭借突出的综合实力，赛昉科技获得百度的战略投资。　　赛昉科技董事长兼CEO徐滔透露，除了战略投资之外，双方还将进一步在业务上展开合作，赛昉科技将与百度一起推进不同形态的高性能RISC-V产品在数据中心场景落地。　　实际上，赛昉科技的RISC-V产品和服务落地数据中心是公司战略精心布局及产品不断迭代的必然。赛昉科技成立于2018年，成立之初就定位于高性能RISC-V产品的研发、推广和应用落地：2021年，赛昉科技向客户交付了全球性能最高的RISC-V CPU Core IP——昉·天枢。这是一款64位超高性能商用RISC-V处理器内核，采用12级流水线设计，可实现超标量、深度乱序执行等，SPECint2006超过9.2/GHz。昉·天枢的交付，是赛昉产品落地数据中心的关键一步。进入2022年，围绕数据中心的需求，赛昉又先后自研了高拓展多核片内总线和LLC内存系统，储备了高性能同构、异构Chiplet技术，打通了RISC-V落地数据中心的最后节点，实现了解决方案的闭环。清晰的产品路线图、领先的技术研发实力吸引了百度的关注，双方经过战略、技术及商务的不断交流，达成了战略投资。　　RISC-V为中国芯片产业创新提供了历史机遇，在数据中心、人工智能、工业互联网等领域，RISC-V已经彰显了巨大潜能。赛昉科技是为数不多能提供高性能大小核及多核架构方案的RISC-V厂商。　　双方的紧密合作将推动RISC-V产业化的进程，加速数据中心的算力创新，为AI时代对算力的复杂、多变的需求提供新的可能。
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发布时间：2023-03-27 11:25 阅读量：1792 继续阅读>>
ROHM的SiC SBD成功应用于村田制作所集团旗下企业Murata Power Solutions的<span style='color:red'>数据中心</span>电源模块
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ROHM的SiC SBD成功应用于村田制作所集团旗下企业Murata Power Solutions的数据中心电源模块

　　ROHM罗姆开发的第3代SiC肖特基二极管（以下简称“SBD”）成功应用于Murata Power Solutions的产品上。Murata Power Solutions是电子元器件、电池、电源领域的日本著名制造商——村田制作所集团旗下的一家企业。ROHM的高速开关SiC SBD产品“SCS308AH”此次成功应用于Murata Power Solutions的数据中心电源模块“D1U系列”，并且为该系列产品的性能提升和尺寸的小型化做出了贡献。　　近年来，随着以AI（人工智能）和AR（增强现实）等技术为代表的IoT领域的发展，全球数据通信量正在不断增长。特别是对于负责进行通信管理的数据中心而言，其服务器的小型化和效率提升已经成为困扰各制造商的技术难题。在这种背景下，SiC功率器件因其有助于实现电源部分的小型化和高效化而备受期待。　　Dr. Longcheng Tan, Senior Electrical Engineer and project leader, Murata Power Solutions表示：　　“通过使用SiC功率器件，可以开发出效率更高、功率密度更高的电源产品。同时，SiC功率器件还可以提高开关频率，因而可以减少无源元件和散热件的体积。村田制作所集团内部设有专门负责对SiC器件制造商及其产品进行评估的部门，我们此次之所以选择ROHM，除了ROHM产品的可靠性高以外，还在于ROHM的服务支持非常迅速，从试制阶段开始就能提供样品。此外，我们正在开发的三相逆变器中也使用了ROHM的SiC MOSFET，相关产品可以满足我们的性能要求。”　　Jay Barrus, President, ROHM Semiconductor U.S.A.,LLC表示：　　“能够为电源系统等工业设备领域的领军企业——Murata Power Solutions提供支持，我由衷地感到高兴。ROHM是SiC功率元器件的领军企业，在业内率先提供先进的元器件技术和驱动IC等产品相结合的电源解决方案，并取得了骄人的业绩。今后，ROHM将继续与Murata Power Solutions携手，通过面向工业以及数据基础设施领域尽可能地深挖SiC技术潜力，从而进一步提升电源系统的能效。”　　关于Murata Power Solutions　　Murata Power Solutions是一家设计、制造和销售DC-DC电源、AC-DC电源、磁性器件、数字式面板仪表、数据中心解决方案的企业。产品阵容涵盖标准品、半定制品和定制品。Murata Power Solutions的产品广泛应用于通信、计算机、工业控制设备、医疗保健、能源管理系统等全球主要市场领域的电子设备。　　关于Murata Power Solutions的数据中心电源模块　　Murata Power Solutions的AC-DC电源“1U前端”系列产品阵容中新增了高效率功率因数校正型前端电源模块“D1U54P-W-2000-12-HB3C”和“D1U54P-W-1200-12-HC4PC”等产品，可以实现多个电源模块并联工作。另外，“1U前端”系列还支持热插拔，具有过热、过电流、过电压等异常检测和保护功能。该系列产品不仅可以为服务器、工作站、存储系统等12V电源系统提供高可靠性、高效率的电源，而且产品还具有薄型尺寸（1U），有助于削减系统的安装面积。　　关于ROHM的SiC功率器件　　ROHM于2010年在全球开始SiC MOSFET的量产以来，作为SiC功率元器件领域的领军企业，一直在推动先进产品的技术开发。Murata Power Solutions所采用的第3代SiC SBD新产品具有总电荷量（QC）小、损耗低且开关速度高的特点。而且，与第2代SBD相比，其抗浪涌电流能力更出色，VF值更低。　　支持信息　　ROHM在官网特设网页中，介绍了SiC MOSFET、SiC SBD和SiC功率模块等SiC功率元器件的概况，同时，还发布了用于快速评估和引入第4代SiC MOSFET的各种支持资料，欢迎浏览。
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发布时间：2023-03-16 10:39 阅读量：2123 继续阅读>>

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AMEYA360商城(www.ameya360.com)上线于2011年，现有超过3500家优质供应商，收录600万种产品型号数据，100多万种元器件库存可供选购，产品覆盖MCU+存储器+电源芯 片+IGBT+MOS管+运放+射频蓝牙+传感器+电阻电容电感+连接器等多个领域,平台主营业务涵盖电子元器件现货销售、BOM配单及提供产品配套资料等，为广大客户提供一站式购销服务。