7月LCD面板价格<span style='color:red'>涨幅</span>将放缓
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7月LCD面板价格涨幅将放缓

据国外媒体报道，在需求强劲的推动下，全球 LCD 面板的价格在去年下半年开始上涨，产业链人士此前也曾预计，全球 LCD 面板的价格，在今年一季度将上涨 10%，二季度也会延续增长的势头。 业内人士称，7月LCD面板价格将继续上涨，但由于中国地区电视销售放缓，对面板需求减弱，因此上涨速度将放缓。 《电子时报》援引上述人士称，供应方面，相关面板制造商可能会提高产量，但也会调整策略，增加IT应用产能，减少电视产能。 据群智咨询最新报告，由于供需平衡，7月中小尺寸面板价格将持平。32英寸、34英寸、50英寸和55英寸电视面板的价格可能会维持在88美元、136美元、202美元和226美元。 同时，尽管幅度有所下降，但大尺寸应用的报价将继续上涨，65英寸和75英寸型号的7月价格将分别上涨4 美元至294美元和395美元。备注:图文源自网络，如有侵权请联系删除！
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发布时间：2021-06-30 00:00 阅读量：1775 继续阅读>>
电视面板价格涨势强劲，八月55吋与32吋<span style='color:red'>涨幅</span>可达10%
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电视面板价格涨势强劲，八月55吋与32吋涨幅可达10%

　　根据 TrendForce 集邦咨询旗下显示器研究处最新调查，八月电视面板价格仍维持大涨态势，55 寸与 32 寸涨幅可达 10%，IT 面板价格受惠于终端需求稳定的支撑，持续缓步向上，预期绝大多数面板厂在近两月都能脱离长达七季的亏损，顺利转亏为盈，推估 2020 年第三季的获利表现也将较上一季大幅改善。　　TrendForce 集邦咨询研究副总邱宇彬表示，目前面板厂几乎完全掌握电视报价的主导权，八月价格表现仍以 8.5 代为生产基地的 55 寸、32 寸最为出色，加上 43 寸的需求强劲，全月涨幅皆可达 10%;50 寸涨幅约 8 至 10%、65 寸等产品的涨幅也可望达到 5 至 7%，而 75 寸的大尺寸产品报价也因此上升 1 至 2%。　　品牌厂积极备货抢攻市占率，第三季电视面板供不应求愈趋鲜明　　第三季因电视面板供不应求造成近期面板价格涨势强劲，其中来自于需求端的原因有二。首先，为了弥补 2020 上半年低迷的出货表现，几乎所有电视品牌皆提升拉货动能，以冲刺下半年业绩，预估此波力道可延续至 10 月。另一方面，三星(Samsung)、TCL、海信(Hisense)等领导品牌对于扩大市占，以强化竞争优势的想法日益坚定，透过更积极的出货手段抢食并接收其他品牌的市占，因此大幅带动面板购买力。　　供给端方面，由于 IT 面板需求持续维持高档，在整体产能吃紧的情况下，让面板厂得以采取「先价后量」的策略，做为电视面板供给的指标，透过缓慢的增量步调拉抬报价。TrendForce 集邦咨询根据长期统计电视面板与整机的出货数据，第三季两者的供需比仅 11%，除远低于平衡水平 20%，也是自 2017 年初以来供需比最低的一季，该数据更充分显示因供不应求导致面板价格反弹的情况。　　IT 面板方面，显示器面板走势大致为持平至小涨，但因曲面显示器 open cell(面板半成品)消费性市场需求畅旺，且今年底主力供应商 Samsung Display 将退出市场，使八月报价回弹 4 至 8%，为显示器品项内价格表现最突出类别。笔电面板则持续受惠于疫情衍生的远端工作与教育需求，维持价格缓升的态势，全系列产品在八月的涨幅落在 1 至 3%。
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发布时间：2020-08-21 00:00 阅读量：1547 继续阅读>>
MOSFET,IGBT晶圆代工第三季确定涨价,<span style='color:red'>涨幅</span>最高20％
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MOSFET,IGBT晶圆代工第三季确定涨价,涨幅最高20％

IDM厂及IC设计厂均大动作争抢晶圆代工产能，包括茂矽、汉磊、世界先进、新唐等MOSFET或IGBT订单满到年底，第三季6吋晶圆代工价格大涨10～20％，8吋晶圆代工价格亦调涨5～10％。金氧半场效电晶体（MOSFET）及绝缘闸双极电晶体（IGBT）等功率半导体下半年恐现缺货潮，IDM厂及IC设计厂均大动作争抢晶圆代工产能，包括茂矽、汉磊、世界先进、新唐等MOSFET或IGBT订单满到年底，第三季已确定涨价，其中6吋晶圆代工价格大涨10～20％，8吋晶圆代工价格亦调涨5～10％。受惠于MOSFET价格调涨，带动功率半导体晶圆代工涨价效应，茂矽及汉磊股价昨（11）日攻上涨停，世界先进及新唐亦同步大涨。法人表示，MOSFET及IGBT需求强劲，6吋及8吋晶圆代工第三季涨价，将带动业者下半年获利表现。茂矽近期已发函通知客户涨价，预计7月起依产品别调涨晶圆代工价格15～20％，高单价客户及高售价产品优先投片，6月底未投产完毕的订单退回并请客户重新评估需求，重新来单则适用7月起已调涨后的晶圆代工价格。据业界消息，茂矽通知至8月底前暂停工程实验及新产品试产，未满25片的非完整批暂缓投片，未满150片的炉管最小片数亦暂时降低生产排货等级，交期将延长。同时，茂矽亦要求客户配合提供EPI硅晶圆且抵达厂内确定时间才开单。汉磊昨日召开股东常会，董事长徐建华表示，人工智能、汽车电子及电动车、物联网等都带动功率半导体需求，汉磊旗下硅晶圆厂嘉晶产能满到年底，旗下晶圆代工事业同样接单满到年底。汉磊将逐调整产品结构，扩大利基产品量产规模与提高宽能隙产品的比重，希望今年能达全年获利的目标。虽然徐建华不愿多谈硅晶圆及晶圆代工是否涨价，仅强调涨价要考虑市场及客户关系。但业界指出，EPI硅晶圆今年已确定逐季涨价，加上上游客户积极争取晶圆代工产能，在订单满到年底情况下，预期汉磊5吋及6吋晶圆代工价格下半年将同步涨价1成以上。再者，新唐及世界先进亦传出调涨第三季晶圆代工价格消息。在MOSFET订单大举涌入情况下，新唐6吋晶圆代工产能自去年满载到现在，目前在手订单也已经排单到年底，第三季价格传出调涨1成消息。
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发布时间：2018-06-13 00:00 阅读量：2052 继续阅读>>
旺诠,厚声调涨厚膜电阻 最高<span style='color:red'>涨幅</span>达50%
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旺诠,厚声调涨厚膜电阻 最高涨幅达50%

电阻缺货涨价形势加剧，近日，旺诠和厚声今年以来第三次调价，其中，旺诠发出涨价通知称，由于原材料供应吃紧，公司库存不足，供需严重失衡，旺诠厚膜系列电阻单价调涨50%以上，6月1日起生效.5月22日，电阻厂商旺诠发出涨价通知称：鉴于原材料供应吃紧，公司库存水位持续降低，造成供需严重失衡，旺诠厚膜系列电阻单价调涨50%以上，6月1日起生效。（另有个别合金电阻也有调整）5月24日，电阻厂商厚声发出涨价通知称：鉴于目前原材料持续上涨，特对厚膜系列作出价格调整，部分规格涨幅达到50%以上，具体调整比例以报价单为准，6月1号起执行电阻缺货涨价形势加剧，这已是旺诠和厚声今年以来第三次调价，旺诠今年1月将部分贴片电阻上调15%，3月将部分厚膜电阻调涨25%；厚声今年1月将0402~2512封装芯片电阻和所有规格Array芯片排阻调涨15-20%，3月将0402-2512封装晶片电阻和所有规格Array晶片排阻调涨25~30%。业内人士表示，消费电子等市场需求持续拉升，而电阻厂商新增产能放量不易。电阻产能供应趋紧，加上环保等因素影响，造成如今的严重短缺。另一方面，电阻上游原材料油墨、包材、陶瓷基板自去年下半年开始就已涨价，原材料的短缺及涨价给电阻厂商带来巨大的成本压力。电阻、电容等被动元器件景气度有望持续，涨价趋势或延续至今年三季度。为应对市场需求及大陆环保政策，旺诠自去年一边移动产能，一边扩产，目前旺诠昆山厂月产能约140亿颗，马来西亚厂约110亿颗，在昆山限排下，公司已将前段电镀制程50%转移到马来西亚，其余50%今年可能转移至湖南，公司亦在马来西亚扩产，预计湖南沅陵厂亦计画今年第3季增加月产能20亿颗，总产能将达350亿颗。仅在4月就有多家电阻厂涨价4月8日丽智电子公布了再次调价的通知，由于产品需求量过大，部分产品的交易周期超过了16周，基于原材料大幅涨价，供应量吃紧的现实状况，决定对厚膜晶片电阻价格上调20%~30%，对二极管系列，保护元件价格上调15%。4月23日，光颉科技再发出涨价通知，称由于厚膜电阻材料成本（包材、浆料、电镀材料、陶瓷基板）大幅上涨，对部分产品的价格再次进行调整，这是今年来光颉科技第四次调涨电阻价格，电阻再迎新一轮涨价。4月13日，风华高科称由于国际大宗商品及贵金属价格持续上涨，人工成本逐年增加，公司运营成本压力进一步加重，故要对片式电阻器价格调涨又一次发布了元器件的调价通知，这一次的涨价对象是片式电阻，上调幅度在25%~30%。目前电阻厂商接单情况确实火爆，产品供应缺口范围已从一般型电阻向高精密电阻蔓延，交货周期变长，部分厂商已在新增产能以应需求。供不应求的电阻市场迎上环保关停、原材料上涨等环境，价格更是呈现暴涨之势，电阻厂商在涨价通知上称原因在于原材料价格上涨，需求量过大产能不足及环保力度加强。第一电阻业务行销协理傅世强早前接受国际电子商情采访时指出，此波涨价确实有些许跟风现象，毕竟这是被动组件十年来得来不易之荣景，大部份厂商都希望可以趁此大赚一笔，但归咎原因还是供需平衡失调。目前电阻厂商已在积极扩产，他认为电阻供应紧张情势或在2018年第四季度以后会有所缓解。
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发布时间：2018-05-25 00:00 阅读量：1532 继续阅读>>
智能手机买气低迷,行动式内存Q1合约价<span style='color:red'>涨幅</span>收敛为3%
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智能手机买气低迷,行动式内存Q1合约价涨幅收敛为3%

自去年第四季中开始，品牌大厂即着手调整生产计划并推迟拉料，由于包含行动式内存在内等部分零部件库存水位升高，因应第一季的传统淡季，制造商开始减缓备货力道，使得第一季行动式内存平均合约价涨幅收敛为3%......集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)指出，由于全球智能手机市场趋于饱和，各品牌大厂纷纷于2017年第四季积极推出全屏幕新机以期带动民众换机意愿，但实际上渠道买气并不如预期，加上全年内存价格涨幅已高，厂商获利遭压缩，因此，自去年第四季中开始，品牌大厂即着手调整生产计划并推迟拉料，由于包含行动式内存在内等部分零部件库存水位升高，因应第一季的传统淡季，制造商开始减缓备货力道，使得第一季行动式内存平均合约价涨幅收敛为3%。DRAMeXchange指出，智能手机品牌大厂从去年第四季中开始的生产计划急速下修，造成包含行动式内存在内交期长且高单价零部件库存水位飙升，部分品牌的零部件库存水位相较以往，甚至高达1倍以上。因而导致第一季拉货动能走弱，使得供给端、需求端对于第一季合约价格几度僵持不下，预计要到1月下旬市场才会完全定价。第一季行动式内存受智能手机市场的低迷买气以及NAND Flash价格走跌等因素影响下，价格涨幅较先前收敛，平均合约价格由原先的5%季成长缩小为3%。展望第二季，在Android阵营推出新款旗舰机的带动下，预计市场需求将开始回温并重启拉货动能；在价格表现上，行动式内存将持续受惠NAND Flash价格的走跌，以及原厂急欲推销搭载大容量NAND Flash的eMCP策略影响，预估第二季合约价格将与第一季合约价持平，或有机会小幅调涨价格。观察2018年上半年行动式内存供需与价格趋势，由于三星平泽厂的实质产能开出将落于下半年，上半年供给仍然受限。此外，中国发改委约谈三星消息传出后，尽管行动式内存的涨幅出现较为收敛态势，但预估上半年价格呈将持续上扬，影响有限。
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发布时间：2018-01-26 00:00 阅读量：1439 继续阅读>>
硅晶圆明年<span style='color:red'>涨幅</span>30%,昆山限排再引担忧?
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硅晶圆明年涨幅30%,昆山限排再引担忧?

明年硅晶圆预估仍将供不应求，价格持续看涨。目前硅晶圆需求畅旺，各家供应商向客户调涨明年报价势在必行，预估涨价幅度上看30%；供应商则指出，客户签长约达8成，签约年限长达3到5年，显示台积电、联电等晶圆代工大厂客户担心硅晶圆缺货将持续，提早签长约以巩固货源，而近日昆山的限排停工令名单中有环球晶圆的重要生产据点昆山中辰，更引起了业者对硅晶圆的缺货恐慌...... 硅晶圆2018年涨3成，客户签长约达8成 智能手机市场成长虽趋缓，但终端市场的需求却越来越多元化，包括能源车、无人驾驶、人工智能（AI）、云端相关的资料运算中心等应用，未来半导体仍是成长走势，晶圆厂投资扩产持续，硅晶圆却无相对投资建新厂，因此供不应求将持续，明年价格仍将维持涨价，预估各产品别的涨幅约10%到30%不等。 代理全球第一大硅晶圆厂日本信越半导体的崇越上周法说会指出，目前该公司皆已与大客户签下长约，估计约占7到8成，年限从3到5年皆有，原厂虽多少有去瓶颈化等扩产行动，但终端市场需求成长仍将造成硅晶圆缺货，预期明年供不应求情况将持续，销售金额也会比今年为高。 半导体相关材料包括石英、光阻、硅晶圆等，今年前3季占崇越营收比重达82%，就出货地区而言，台湾地区占64%营收比、大陆占34%。业界指出，台积电、联电等晶圆代工厂均是崇越长期往来的主要客户。 环球晶圆日前指出，该公司12英寸硅晶圆到2019年底的产能已被客户抢订一空，8英寸硅晶圆订单能见度也已达2019年上半年，最近与一家客户签订长期供货合约，约期到2020年以后，也就是3年以上，主要是客户持续扩产，担心2020年后拿不到硅晶圆，提早抢料才签订长约，以确保料源。环球晶圆没有透露客户的合约时间、价格等细节，因双方签有保密合约，不过，业界推测可能为韩系大厂。 昆山限排停工令再引缺料恐慌 此外，昆山政府26日晚间宣布未实施限排停工令，但业者认为昆山早晚会实施，由于当地是目前严重缺货的半导体硅晶圆生产重镇之一，一旦昆山限排，恐掀起半导体业大风暴，启动新一波硅晶圆抢料大战。 先前昆山官方行文要求停工名单，市场目光集中耗水量大的PCB等产业时，却没留意到隶属中美晶集团旗下、全球第三大半导体硅晶圆厂环球晶圆位于大陆重要生产据点昆山中辰也在当地。 中美晶集团表示，昆山生产运作未受影响，正思考提升排污标准，避免未来遭到限制。环球晶圆也强调，子公司昆山中辰硅晶的污水处理无任何问题，完全符合当地的法规标准，生产运作未受昆山限排令事件影响。 但业界认为，大陆环保法规日益严格，在法规变量下，对于在昆山当地设厂的硅晶圆等缺货中的产品，可能造成客户紧张心理，必须寻找替代来源，合晶等业者可望有转单效应。昆山是台厂大本营之一，虽然当地官方昨天宣布“未实施”相关规范，但“未实施”不代表“不会实施”，无疑是预告政策趋势，已在台厂心中留下阴影。 业者分析，这几年大陆环保意识抬头，陆续整顿不少高污染产业，像是近期缺货严重的被动组件铝质电解电容上游材料铝箔，就是因为大陆新疆地区今年大动作清理违规工厂，不仅兴建中的工厂立即停建，已完成的工厂也要立刻停产，“说关就关”，让原本供过于求的铝箔，一口气转为缺货。未来昆山当地是否也会有类似作为，导致半导体硅晶圆供应更紧，值得关注。 业界分析，中辰主要生产4至8吋硅晶圆，是目前相当缺的产品线，由于生产4至8吋晶圆的厂商仅剩合晶等业者，在目前全球供应吃紧，昆山排污限令仍有可能落时下，势必再度掀起抢料风暴，合晶等厂商可望获得更多客户青睐。
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发布时间：2017-12-28 00:00 阅读量：1408 继续阅读>>
DRAM产业第三季营收增16.2%创新高,第四季价格平均<span style='color:red'>涨幅</span>10%
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DRAM产业第三季营收增16.2%创新高,第四季价格平均涨幅10%

根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查显示，2017年第三季度的DRAM产业营收表现又再度创下历史新高，受惠于传统销售旺季加上供给端成长有限，各类DRAM产品合约价普遍较前一季再上涨约5%。从市场面观察，第三季度DRAM总营收较上季再成长16.2%，整体产业仍处于供货吃紧的状态。 展望下一个季度，DRAMeXchange研究协理吴雅婷指出，整体而言，第四季DRAM价格平均涨幅将落在10%。其中，PC-OEM厂已议定第四季度合约价格，就一线大厂定价来看，均价已正式突破30美元，落在30.5美元，较上一季平均涨幅约达7%；从市场面来观察，此波涨幅主要受到行动式内存接棒涨价带动，配合DRAM供给吃紧的状况延续，以及智能手机旗舰机种的旺季效应，以三星为首的DRAM厂决定调升行动式内存报价，而手机客户为了备有足够库存也只能接受，因此行动式内存在第四季涨幅约有10-20%(取决于不同的容量)；而服务器内存拉货动能亦十分强劲，第四季度合约价继续上涨6-10%。 两大韩厂第三季合并市占率达74.5%，美光第四季可望缩小市占差距 综观第三季营收表现，三星依然稳坐DRAM产业的龙头，营收来到88亿美元，较第二季成长15.2%，再度创下历史新高；而SK海力士营收金额来到55亿美元，较前一季成长22.5%，成长动能显著，两大韩厂的市占各为45.8%与28.7%，合计已囊括74.5%的市占率。美光集团仍旧维持第三，营收金额为40亿美元，季增13.0%，市占21.0%。由于SK海力士本季平均销售单价高于美光，导致两者三季的市占差距持续扩张；展望第四季，由于美光逆势成为价格领导者，价格涨幅超越两大韩系厂，预计将缩减与第二名的市占差距。 受到价格持续上涨以及制程微缩所带来的成本效益，三星第三季度营业利益率冲破60%大关，来到62%历史新高；SK海力士亦从第二季度的54%再提升至56%；美光在17nm良率逐渐稳定下，营业利益率从44%来到50%，成长最为显著。展望第四季，受惠于DRAM价格持续上涨，各家获利可望进一步提升。 三星正思索扩产计划，SK海力士与美光专注良率与制程转进 观察各厂技术与产能布局，三星今年的目标除了专注于18nm制程的持续转进外，近几季DRAM同业的高获利，亦刺激三星开始思索可能的DRAM扩产计划，一方面应对供给吃紧状况，另一方面则期望提高DRAM产出量，压抑DRAM价格上涨幅度。三星此举将可巩固领先地位，维持与其他DRAM大厂1-2年以上的技术差距。 反观SK海力士今年目标还是着重于21nm的良率提升与该制程占比，18nm制程产品则预计年底会有小量出货；至于扩厂计划，SK海力士在中国无锡新建的第二座12英寸厂最快要到2019年才会有产能开出；而美光方面，台湾美光内存(原瑞晶)目前仍致力于改善17nm产品的稳定度，预期到年底良率可达80%以上，而台湾美光晶圆科技(原华亚科)今年仍以20nm制程良率的提升为主，明年将可望有一半产能转往17nm生产。 台系厂商部分，南亚科第三季营收较前一季小幅成长5.3%，主要因为该公司以利基型产品为主，价格上扬幅度不及国际大厂较完整的产品线。展望未来，由于该公司20nm良率继续提升，将会持续改善成本结构，增加南亚科的获利空间。力晶科技方面，DRAM季营收下滑3.6%，主因是替晶豪科、爱普等代工的获利佳，排挤部分DRAM产能；华邦方面营收则成长8.7%，但由于后续制程转进状况不明，未来获利状况将完全受内存平均销售单价提升的牵动。
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发布时间：2017-11-15 00:00 阅读量：1676 继续阅读>>
wafer原材料<span style='color:red'>涨幅</span>达40% 工厂扎堆抢购,台积电也怕缺货
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wafer原材料涨幅达40% 工厂扎堆抢购,台积电也怕缺货

硅晶圆是生产IC不可或缺的重要材料，目前供不应求，今年逐季价格上涨。各大晶圆代工厂商扎堆抢购，台积电也怕缺货。 过去8年，半导体硅晶圆生产过剩，市场长期属买方市场，今年以来，随着需求攀升，供应增加有限，供给不足，硅晶圆摇身一变为卖方市场，连龙头厂台积电也深怕会没货生产，愿被供货商涨价，硅晶圆“风水轮流转”，变为大厂竞抢的热门货。 今年以来，半导体硅晶圆因供给吃紧而出现8年来首见涨价好景，逐季调涨价格，连向来对供货商有议价主导权的台积电，在年初法说会也承认硅晶圆确实调涨价格。 台积电今年规划年产出约1100万片约当12寸晶圆，硅晶圆虽约仅占晶圆代工厂成本5-6%，但硅晶圆材料就像有米才能煮成饭的关系，若没有了硅晶圆，台积电也“巧妇难为无米之炊”，难帮客户代工生产各样IC产品，赚取毛利达5成的生意了。 业界估算，今年以来，硅晶圆涨幅约达40%，其中，环球晶圆与Ferrotec合作的8吋硅晶圆厂目前已送样客户，预计第4季可望量产出货，初期月产能将约15万片，明年将视情况进一步扩增至45万片。
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发布时间：2017-09-05 00:00 阅读量：1640 继续阅读>>
DRAM和NAND Flash 价格<span style='color:red'>涨幅</span>齐创新高,东芝真的表现不佳?
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DRAM和NAND Flash 价格涨幅齐创新高,东芝真的表现不佳?

由于云端应用带动数据中心建设、智能手机追求更大容量和更快运算，以及 4K 电视等高性能电视需要更多存储器等因素，数据暂存处理用的 DRAM，以及数据存储用的 NAND Flash，市场成长速度均高于电脑与智能手机市场的成长率。 根据 IC Insights 数据显示，从 2016 年 Q3 到 2017 年 Q2，DRAM 价格季度平均增长率为 16.8%，NAND Flash 价格季度平均增长率为 11.6%。据 IC Insights 预测，今年 DRAM 价格的全年涨幅将创 1993年 以来新高，达到 63%，NAND Flash 价格涨幅也将创纪录地达到 33%。 受益于此，同时生产 DRAM 与 NAND Flash 的厂商，如三星电子(Samsung Electronics)、SK 海力士(SK Hynix)、以及美光，在第二季度均取得了亮眼的业绩表现。 从已公布的第二季度财报来看，三星在截至6月底的三个月内，营业收入为 61 万亿韩元 （约 548．19 亿美元），同比增长 19．7％；营业利润达 14．07 万亿韩元（约 126．44 亿美元），同比增长 72．9％。其中，半导体项目贡献了 150 亿美元的营业收入和 71.9 亿美元的利润。 SK 海力士第二季度的营业收入也增长 70%，达 6.7 万亿韩元（约 405.37 亿人民币）;营业利润更较上年同期飙升 574%，达 3.1 万亿韩元（约 187.56 亿人民币），创历史新高。其中，DRAM 芯片出货量较第一季度增长 3%，平均售价上涨 11%；NAND 芯片出货量下降 6%，均价增长 8%。 美光第二季度的财报显示,公司当季实现营收 46.5 亿美元,同比暴涨 58%；盈利情况从第一季度的 25.5% 提升到 36.7%；净利润达到了 8.94 亿美元，而第一季度只有 1.8 亿美元，去年同期则净亏损 9700 万美元。其中，公司 DRAM 平均售价涨了 21%，而 NAND 的销量也提升了18%。 此外，西部数据( WD )的 NAND Flash 事业，是 2016 年 5 月购并闪迪( SanDisk )之后才取得，2017 年第二季度还没有足以比较的 2016 年数据；不过该厂因新增的存储器事业带动，第二季度营收成长 39%，营益率为 25%，2016 年第二季度的营益率只有 5.9%。 全球存储器五大厂中，目前唯一表现不佳的厂，是困于核能事业带来财务危机的东芝(Toshiba)，其存储器事业为了筹资出售，现在正与西部数据进行国际仲裁；且因负责东芝会计监督的会计师事务所普华永道(PwC)，正与东芝对立，东芝从 2016 年 10~12 月开始的财报，仍未经会计师事务所签证，所以没有可信的财报数据参考。 媒体援引消息人士的说法称，日本政府正进一步参与东芝以180亿美元出售存储芯片业务的交易。此前，这笔交易的推进速度很慢，引发了投资者对东芝管理层的失望情绪。
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发布时间：2017-08-08 00:00 阅读量：1482 继续阅读>>
下半年存储器涨势迎拐点,但2017全年价格<span style='color:red'>涨幅</span>仍十分可观
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下半年存储器涨势迎拐点,但2017全年价格涨幅仍十分可观

市场调研机构IC Insights表示，2017年DRAM和NAND型闪存销售额都将创出历史新高，而DRAM和NAND闪存创新高的原因都是由于价格疯涨。该机构预计，2017年DRAM出货量同比下降，而NAND闪存也仅增长2%，闪存出货量增长对存储器销售额创新高虽然是正面作用，但并非主要原因。 存储器价格上涨始于2016年第二季度，到2017年上半年为止，每季度价格都持续向上走。如图所示，从2016年第三季度，到2017年第二季度，DRAM价格季度平均增长率为16.8%，NAND闪存价格季度平均增长率为11.6%。 从2016年第三季度DRAM平均售价疯涨开始，DRAM制造商又开始步入加码投资周期，不过这一轮DRAM厂商投资大部分都花在了升级技术方面，并没有盲目扩充产能。 IC Insights判断，2017年闪存厂商绝大部分资本支出都投入在3D NAND工艺技术上。为提升其位于韩国平泽市巨型新工厂的产能，2017年三星在NAND闪存上的资本支出将同比大幅上升。 从历史数据来看，价格上涨周期带来的投资扩产冲动，通常会造成产能过剩，产能过剩程度越高，将来价格下跌也会越猛烈。三星、SK海力士、美光、英特尔、东芝/闪迪、武汉新芯/长江存储，以及可能出现的中国资本支持的新玩家，都提出了雄心勃勃的3D NAND生产计划，未来几年3D NAND闪存产能出现过剩的概率非常高。 IC Insights收集的数据显示，DRAM的平均售价增长率峰值出现在2016年第四季度，但直到2017年第二季度，涨势都很强劲。该机构预测，2017年第三季度DRAM价格还能维持些许涨势，但第四季度将出现微跌，标志这轮涨价周期即将终结。 虽然2017年下半年DRAM涨势趋缓，但IC Insights预计全年涨幅仍将达63%，这是自该机构从1993年开始追踪DRAM市场数据以来的最高涨幅，此前记录是1997年的57%。 NAND闪存2017年价格涨幅也将创纪录地达到33%。不过，在2000年，NOR型闪存还主导市场时，其平均售价一年涨幅达到了52%。
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发布时间：2017-07-20 00:00 阅读量：1599 继续阅读>>

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