罗姆2024年将首次在日本生产碳化<span style='color:red'>硅晶圆</span>
瑞萨电子与Wolfspeed签署10年碳化<span style='color:red'>硅晶圆</span>供应协议
英飞凌碳化<span style='color:red'>硅晶圆</span>处理黑科技——冷切割
  近两年新能源汽车和光伏储能市场的火热,让半导体供应上升到了很多公司战略层面的考虑因素。特别是SiC的供应更加紧俏。最近几年用户对SiC的使用更有经验,逐渐发挥出了其高效率高功率密度的优点,正在SiC使用量增大的阶段,却面临了整个市场的缺货的状态。碳化硅功率器件缺货有很多因素,目前前道是最大的瓶颈,特别是前道的“最前端” ,SiC衬底片和外延片是目前缺货最严重的材料。  面对这种问题,作为功率半导体的领头羊英飞凌又有哪些举措呢?一方面,英飞凌与多家晶圆厂签订长期供货协议推动其碳化硅(SiC)供应商体系多元化,保证晶圆供应。就在本月,英飞凌与中国碳化硅供应商北京天科合达半导体股份有限公司和山东天岳先进科技股份有限公司分别签订了长期协议,以确保获得更多而且具有竞争力的碳化硅材料供应。协议将为英飞凌供应高质量并且有竞争力的150毫米碳化硅晶圆和晶锭,以及助力英飞凌向200毫米直径碳化硅晶圆的过渡。其供应量预计将占到英飞凌长期需求量的两位数份额。另一方面,英飞凌继续在欧洲和亚洲扩产,增加碳化硅产能。  除此之外,英飞凌还有一个增加晶圆利用率的独门黑科技:冷切割(cold split)技术。几年前英飞凌收购了一家名为SILTECTRA的科技公司,其核心技术“冷切割”,是一种高效的晶体材料加工工艺,能够将材料损失降到最低。英飞凌目前已经开始将这项技术用于SiC晶锭的切割上,从而让单个晶锭可出产的芯片数量翻番。在未来,这项技术还可以用于晶圆制作过程中的切割,进一步提高芯片产量。  冷切割技术  传统的芯片制作过程包括晶圆切片,外延生长,芯片正面工艺和背部减薄等。其中晶锭的切片和背部减薄工序对SiC材料的“浪费”最多,几乎可以达到四分之三。  晶圆切割工艺包括锯切割和研磨,其中锯切割通常采用金刚石线切割碳化硅的晶锭,效率低而且碳化硅晶锭和金刚石线的损耗也很高。不仅如此,锯切割的晶圆片切割面平整度比较差,这对后续SiC芯片的制作良率也造成一定的障碍。研磨除了在晶圆处理过程中需要使用之外,在芯片最后的背部减薄工艺中也经常会用到,这一步对于原材料的损耗也很大。针对传统的处理方式,冷切割技术则可以大大的提高晶圆利用率,并改进切面的平整度和良率。  那么冷切割技术又是如何进行的呢?首先在碳化硅晶锭切片过程中,采用低温和激光技术切出晶圆片Wafer,这一步相比于锯切割对于材料的损耗几乎可以忽略不计。  在芯片工艺的最后,冷切割技术又可以替代背部减薄工艺,将本来需要磨掉的材料切下完整的一片晶圆片。更重要的是,这一片晶圆还可以再次利用,回到之前的工艺继续生产芯片。  通过晶锭的切片和背部减薄的切割方法,冷切割技术理论上可以达到传统晶圆处理方法4倍的利用率。不仅如此,冷切割技术还可以用于GaN晶锭的生产过程中。英飞凌目前已经在晶锭的切片过程中开始试产冷切割技术,未来两年会继续把冷切割技术用到背部减薄工艺中去。  英飞凌正着力提升碳化硅产能,以实现在2030年之前占据全球30%市场份额的目标。预计到2027年,英飞凌的碳化硅产能将增长10倍。英飞凌位于马来西亚居林的新工厂计划于2024年投产,届时将补充奥地利菲拉赫工厂的产能。迄今为止,英飞凌已向全球3,600多家汽车和工业客户提供碳化硅半导体产品。
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发布时间:2023-06-27 09:41 阅读量:1568 继续阅读>>
英飞凌碳化<span style='color:red'>硅晶圆</span>处理黑科技:冷切割 ​
  面对这种问题,作为功率半导体的领头羊英飞凌又有哪些举措呢?一方面,英飞凌与多家晶圆厂签订长期供货协议推动其碳化硅(SiC)供应商体系多元化,保证晶圆供应。就在本月,英飞凌与中国碳化硅供应商北京天科合达半导体股份有限公司和山东天岳先进科技股份有限公司分别签订了长期协议,以确保获得更多而且具有竞争力的碳化硅材料供应。协议将为英飞凌供应高质量并且有竞争力的150毫米碳化硅晶圆和晶锭,以及助力英飞凌向200毫米直径碳化硅晶圆的过渡。其供应量预计将占到英飞凌长期需求量的两位数份额。另一方面,英飞凌继续在欧洲和亚洲扩产,增加碳化硅产能。  除此之外,英飞凌还有一个增加晶圆利用率的独门黑科技:冷切割(cold split)技术。几年前英飞凌收购了一家名为SILTECTRA的科技公司,其核心技术“冷切割”,是一种高效的晶体材料加工工艺,能够将材料损失降到最低。英飞凌目前已经开始将这项技术用于SiC晶锭的切割上,从而让单个晶锭可出产的芯片数量翻番。在未来,这项技术还可以用于晶圆制作过程中的切割,进一步提高芯片产量。  冷切割技术  传统的芯片制作过程包括晶圆切片,外延生长,芯片正面工艺和背部减薄等。其中晶锭的切片和背部减薄工序对SiC材料的“浪费”最多,几乎可以达到四分之三。  晶圆切割工艺包括锯切割和研磨,其中锯切割通常采用金刚石线切割碳化硅的晶锭,效率低而且碳化硅晶锭和金刚石线的损耗也很高。不仅如此,锯切割的晶圆片切割面平整度比较差,这对后续SiC芯片的制作良率也造成一定的障碍。研磨除了在晶圆处理过程中需要使用之外,在芯片最后的背部减薄工艺中也经常会用到,这一步对于原材料的损耗也很大。针对传统的处理方式,冷切割技术则可以大大的提高晶圆利用率,并改进切面的平整度和良率。  那么冷切割技术又是如何进行的呢?首先在碳化硅晶锭切片过程中,采用低温和激光技术切出晶圆片Wafer,这一步相比于锯切割对于材料的损耗几乎可以忽略不计。  在芯片工艺的最后,冷切割技术又可以替代背部减薄工艺,将本来需要磨掉的材料切下完整的一片晶圆片。更重要的是,这一片晶圆还可以再次利用,回到之前的工艺继续生产芯片。  通过晶锭的切片和背部减薄的切割方法,冷切割技术理论上可以达到传统晶圆处理方法4倍的利用率。不仅如此,冷切割技术还可以用于GaN晶锭的生产过程中。英飞凌目前已经在晶锭的切片过程中开始试产冷切割技术,未来两年会继续把冷切割技术用到背部减薄工艺中去。  英飞凌正着力提升碳化硅产能,以实现在2030年之前占据全球30%市场份额的目标。预计到2027年,英飞凌的碳化硅产能将增长10倍。英飞凌位于马来西亚居林的新工厂计划于2024年投产,届时将补充奥地利菲拉赫工厂的产能。迄今为止,英飞凌已向全球3,600多家汽车和工业客户提供碳化硅半导体产品。
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发布时间:2023-05-24 09:46 阅读量:2370 继续阅读>>
Q2全球<span style='color:red'>硅晶圆</span>出货面积再创历史新高
8英寸<span style='color:red'>硅晶圆</span>下半年看涨10%
因需求强劲但库存过低,8英寸硅晶圆合约价在暌违近两年半后,终于要在第三季度调涨,下半年涨幅约达5-10%。 中国台湾《工商时报》文章指出,8英寸晶圆代工产能自去年下半年以来就供不应求,但之前8英寸硅晶圆仍处于去库存阶段,直至今年第二季度才开始出现供应吃紧的状况,现货价也止跌回稳。 随着车用芯片及功率半导体、电源管理IC、显示驱动IC、3D感测元件等8英寸晶圆代工需求下半年持续转强,并且IDM厂及晶圆代工厂手中的硅晶圆库存明显降低,下半年8英寸硅晶圆市场供不应求态势确立。 在供应商几乎没有扩充产能情况下,业内预期8英寸硅晶圆下半年现货价将逐季上涨,以长约为主的合约价在暌违近两年半后有望调涨,下半年价格涨幅介于5-10%。 产能方面,包括环球晶、合晶、嘉晶、台胜科等硅晶圆供应商,现阶段产能利用率均达满载,对于下半年市况持乐观态度,并且预期8英寸及12英寸硅晶圆都供不应求。 此外,近期全球前三大硅晶圆厂日本信越、日本胜高、环球晶除了透露12英寸硅晶圆供应吃紧外,也透露8英寸硅晶圆订单已明显超过产能,已着手评估兴建全新的硅晶圆厂及调涨价格。 下游客户端,由于晶圆代工厂、IDM厂、存储器厂对明年展望乐观,新增产能逐步开出,并预期硅晶圆供货将更为吃紧,所以签订长约意愿明显提高,对于明年8英寸硅晶圆价格持续调涨也有高度共识。备注:图文源自网络,如有侵权请联系删除!
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发布时间:2021-06-29 00:00 阅读量:1485 继续阅读>>
疫情之下,全球<span style='color:red'>硅晶圆</span>市场走势判断两极分化
2020年下半年晶圆市场会有两种可能的情况:一是新型冠状病毒(COVID-19 )疫情造成的市场不确定性持续发酵,全球硅晶圆市场销售下滑;或因芯片销售反弹力道强劲,呈上升态势...国际半导体产业协会(SEMI)在近日发布的最新硅晶圆市场报告(Silicon Wafer Market Monitor)中指出,2020年下半年晶圆市场会有两种可能的情况:一是新型冠状病毒(COVID-19 )疫情造成的市场不确定性持续发酵,全球硅晶圆市场销售下滑;或因芯片销售反弹力道强劲,呈上升态势。随着世界各国忙于新冠病毒防疫工作,SEMI预估2020年下半年硅晶圆销售走跌,其效应可能连带影响2021年的价格谈判结果。此最新季度报告追踪多种晶圆出货指标,包括晶圆出货量、供需变化、供应商动态,以及价格趋势和预测,SEMI从中分享市场预测趋势。然而,关键仍在于因疫情产生的不确定性是否会导致硅晶圆需求下降,抑或对市场的重大冲击可以控制在几个月的短期以内。为了将损失降至最低,2020年第二季将可看到芯片制造商增加硅晶圆订单,建立安全库存以满足未来需求,此举可望减轻疫情对该季销售的影响。如若疫情持续肆虐,影响半导体市场需求至2020年下半年,硅晶圆的出货量成长预计只能延续到第二季为止,并于第三季开始下滑。这种不乐观的情况下,尽管第二季出现大幅增长,预估2020年12寸(300 mm)硅晶圆出货量将持平或略有下降,而8寸(200 mm)和6寸( 150mm)出货量将分别减少5%和13%。不过,如果2020年下半年开始出现产业强劲复苏的迹象,第二季的囤积库存将有助推动硅晶圆出货量的增长。在人们预期受压抑的需求将推动芯片产业反弹心理的推波助澜下,此一上升态势可能贯穿2020年接下来的大半年,持续走强。硅晶圆总面积2018年10月达到高峰后开始走下坡,去年全球整体晶圆出货量与2018年相比下滑了6.9%,与2017年相比,2019年则是仅成长0.4%。2019年硅晶圆出货量直到年底才逐渐稳定,而在爆发疫情之前,市场对2020年的态势相当乐观,主要是由于市场预期库存将会回归正常水平,也看好存储器市场改善、资料中心市场成长以及5G市场起飞。但疫情的爆发,正给本将复苏的市场埋下了不少变数。
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发布时间:2020-04-21 00:00 阅读量:1659 继续阅读>>
今年<span style='color:red'>硅晶圆</span>出货量将萎缩6%,到2022可望创新高
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发布时间:2019-10-09 00:00 阅读量:2217 继续阅读>>
<span style='color:red'>硅晶圆</span>市场大地震 台积电考虑与<span style='color:red'>硅晶圆</span>厂商重签合约
国产十大<span style='color:red'>硅晶圆</span>厂商都有哪家企业?
众所周知,硅晶圆市场长期被日本垄断。作为半导体产业的基础材料,我国的硅晶圆自给率极低。近来,上海新昇12英寸硅晶圆通过中芯国际的验证,这是国产硅晶圆厂商崛起的重要迹象。除了上海新昇之外,还有哪些国产硅晶圆厂商值得期待?我国硅片需求量巨大,但大多仰赖进口。目前,国内也仅仅对8英寸及以下的硅晶圆制造技术有所掌握,其中小尺寸4-6英寸硅晶圆基本已自给自足,而8英寸和12英寸的自给率仍很低。 近日,上海新昇传来捷报,12英寸硅晶圆如期通过中芯国际的验证,继华力微电子验证并采用之后,再度通过中芯国际的验证。虽然出片量仍不高,但官方表示已转亏为盈,这对中国半导体业算是相当大的鼓舞。 作为半导体产业的基础材料,硅晶圆被视为国家安全战略发展的关隘,发展硅晶圆产业迫不及待。作为一家2014年才成立的硅晶圆厂商,上海新昇起到了攻坚克难的排头兵作用。下面就跟随笔者,一起走进国产硅晶圆十大厂商(以下排名不分先后)。 1、上海新昇公司介绍: 上海新昇半导体由中芯国际创始人张汝京博士成立于 2014 年 6 月,座落于临港重装备区内,是中国 02 专项 300mm 大尺寸硅片项目的承担主体,总投资68亿元,占地面积150亩。 新昇半导体第一期目标致力于在我国研究、开发适用于40-28nm节点的300mm硅单晶生长、硅片加工、外延片制备、硅片分析检测等硅片产业化成套量产工艺;建设300毫米半导体硅片的生产基地,实现300毫米半导体硅片的国产化,充分满足我国极大规模集成电路产业对硅衬底基础材料的迫切要求。2018年底月产能达到10万片,2020年底前将实现月产30万片产能目标,最终将达到100万片的产能规模。 新昇半导体的成立翻开了中国大陆300mm半导体硅片产业化的新篇章,将彻底打破我国大尺寸硅材料基本依赖进口的局面,使我国基本形成完整的半导体产业链。带动全行业整体提升产品能级,同时也将带动国内硅材料配套产业的发展。主要产品:300mm外延片 (300mm Epitaxial Wafer):外延生长形成的具有单晶薄膜的衬底晶片通常被称为外延晶片。通过气相外延沉积的方法在衬底上进行长晶,与最下面的衬底结晶面整齐排列进行生长。外延硅晶片广泛使用在二极管,IGBT功率器件,低功 耗数字与模拟集成电路及移动计算通讯芯片等。新昇也按客户的要求提供不同类型的掺杂外延片,N型或P型等。300mm抛光片 (300mm Polished Wafer):300mm抛光片是属于高纯度的硅元素(Silicon)的晶圆片。单晶硅晶棒生产出来后, 从晶棒的圆柱状单晶硅切割成薄片而成。通常广泛用在功率器件,数字与模拟集成电路及存储器等芯片。公司也接纳客户的不同条件,制造出符合客户需要的优质硅晶圆片。 300mm 测试片(300mm Test Wafer):Test Wafer主要用于实验及检查等用途。 在制造设备投入使用初期,Test wafer也被大量使用以提高设备稳定性。由于使用目的不同于通常使用的晶圆片产品,因此Test Wafer中再生晶片被普遍使用。 2、浙江金瑞泓公司介绍: 浙江金瑞泓科技股份有限公司是一家致力于半导体材料研发与生产的高新技术企业,创建于2000年6月,位于宁波市保税区。2010年,牵头承担 “极大规模集成电路制造装备及成套工艺”国家科技重大专项,并于2017年5月通过国家验收,具备了8英寸硅片月产12万片的大规模产业化能力,掌握了12英寸硅片核心技术。 公司是中国大陆具有硅单晶锭、硅研磨片、硅抛光片、硅外延片、芯片制造的完整产业链的半导体企业。拥有完备的4英寸、5英寸、6英寸及8英寸硅片产品结构,形成了集成电路与分立器件、轻掺杂与重掺杂、抛光片与外延片并重的特色。硅片年产能达到近800万片,可以生产5000多种技术规格的硅片产品,是中国较大的半导体硅片生产基地。 金瑞泓是ONSEMI(安森美)、AOS(万代)、TOSHIBA(东芝)、NXP(恩智普)等国际知名半导体公司的稳定供应商,也是中芯国际、华虹宏力、华润上华、中航微电子、杭州士兰微等国内主要半导体企业的重要供应商。 3、北京有研集团公司介绍: 北京有研科技集团有限公司(简称有研集团)创建于1952年,是我国有色金属行业以创新为引领的综合性工程技术研究开发和高新技术产业培育实体,现为国务院国资委管理的中央企业,注册资金为30亿元。 公司主要从事微电子与光电子材料、新能源材料、有色金属特殊功能材料、有色金属结构材料与制备加工技术、有色金属粉末及粉末冶金、有色金属选矿冶金技术、特种装备研制、有色金属材料分析与测试、有色金属科技情报与软科学、材料计算与模拟仿真等领域的工程化技术研究开发、服务和产业化。在半导体材料、有色金属复合材料、稀土材料、生物冶金、材料制备加工、分析测试、新能源材料等领域拥有16个国家级研究中心和实验室,承担了一批国家重大科技专项研究课题和国家战略性新兴产业开发项目。 产品信息: 大直径单晶硅(片):有研总院拥有国内规模最大、技术水平最先进的集成电路用硅单晶生产能力,可生产直径200mm-450mm的系列大直径单晶硅棒、重掺硅抛光片和轻掺抛光片。产品得到了美国、日本和韩国等重要高端客户的高度评价,主要应用于大规模集成电路领域。区熔单晶硅:有研总院具备生产系列区熔硅单晶产品的能力,产品用于电力整流器、晶闸管、可关断门极晶闸管(GTO)、功率场效应管(MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、功率集成电路(PIC)等电力电子器件。4、洛阳麦斯克公司介绍: 洛阳麦斯克电子材料有限公司(简称:MCL)创建于1995年12月。主要产品是生产大规模集成电路级(IC级)4英寸、5英寸、6英寸和8英寸硅抛光片。 MCL是全球性硅片供应商之一。产品主要销往世界各地。如:美国、韩国、新加坡、日本、印度、中国香港等,同时保证国内外知名企业的产品供应。 为了使MCL成为世界上先进的硅片供应商,MCL在成立之初就按照ISO9002标准建立了比较完整的管理体系。并于1998年1月15日通过了SGS YARSHLEY和中国赛宝质量认证中心的管理体系认证。2001年5月通过了这两家公司的ISO9001:2000版的认证。2004年12月通过了SGS审核的TS16949认证,2007年2月又通过了ISO14001认证。 5、上海晶盟公司介绍: 上海晶盟硅材料有限公司隶属于合晶科技股份有限公司,合晶科技股份有限公司成立于1997年,创始团队来自美国硅谷及国内半导体产业,团队成员皆在半导体产业深耕已久。合晶目前已成为全球前十大半导体硅芯片材料供货商之一。主要产品为半导体级抛光硅芯片与半导体级外延片。 产品信息: 抛光片:合晶科技主要的抛光片为4~8吋低缺陷、高平坦度的硅芯片, 同时提供硼、磷、砷、锑等不同掺杂的硅芯片以供客户不同应用所需,并针对目前节能趋势提供低阻超重掺硅芯片技术以满足功率组件降低开路电阻(RDS(on))的需求。 外延片:除抛光片外,合晶科技亦提供高质量4"~8" 外延片及埋层外延代工以满足客户对CMOS与功率组件的需求, 以达成对客户one stop shopping的服务。6、申和热磁公司介绍: 上海申和热磁电子有限公司是由日本磁性流体技术株式会社投资于上海宝山城市工业园区的全资公司。公司创立于1995年5月,现投资总额175.8亿日元,注册资本90.8亿日元。 上海申和热磁电子有限公司下设TE事业部、新能源材料事业部、半导体硅片事业部、表面处理事业部、洗净事业部。主要产品包括8英寸(含8英寸)以下各种规格的太阳能级单、多晶硅锭和单、多晶硅片, 4”-6”MOS、微波电路、存储器电路及大功率器件使用的外延衬底重掺的半导体研磨片和抛光片,半导体热电材料,覆铜陶瓷基板,精密零部件洗净再生和电镀服务。产品涉及电子、半导体、太阳能发电等产业领域。产品受到国内外客户的认可好评。 产品信息:半导体硅片:2002年,上海申和半导体硅片事业部从日本东芝陶瓷引进先进的4~6inch硅片生产线,采用日本先进的生产工艺技术和生产管理模式,主要生产4”-6”MOS、微波电路、存储器电路及大功率器件使用的外延衬底重掺的半导体研磨片和抛光片。年生产能力达500万片,产业规模和产品质量水平位居中国前列。7、中环环欧公司介绍: 天津市环欧半导体材料技术有限公司成立于2000年,国有控股企业,前身为天津半导体材料厂,是我国最早的半导体材料专业生产厂家之一,拥有50余年的半导体晶体生产历史和专业经验。公司经营的产品全部由公司独立开发和生产,拥有多项国家授权发明专利,形成了直拉单晶硅、区熔单晶硅、直拉硅片、区熔硅片四大产品系列。环欧区熔硅单晶/片的国内市场占有率超过75%以上,全球市场占有率超过18%,成为中国最大、全球第三的经销商。 2008年开始环欧公司先后投资成立了天津中环领先材料技术有限公司(主要产品:抛光片)、内蒙古中环光伏材料有限公司(主要产品:太阳能硅片)、内蒙古欧晶石英有限公司(主要产品:石英埚)、天津环欧国际硅材料有限公司(贸易公司)、呼和浩特市欧通能源科技有限公司(主要 产品:再生砂)。各子公司的组建延伸了环欧公司的产业链,拓展了产品应用领域,为进一步拓展国内外市场提供了强有力的保障。 产品信息: 本征及超高阻区熔硅单晶(FZ-Silicon):通过区熔工艺拉制的低杂质含量、低缺陷密度,晶格结构完美的硅单晶,晶体生长过程中不引入任何杂质,其电阻率通常在1000Ω•cm 以上,主要用于制作高反压器件和光电子器件。中子辐照区熔硅单晶(NTDFZ-Silicon):本征区熔硅单晶通过中子辐照可获得高电阻率均匀性的硅单晶,保证了器件制作的成品率和一致性。主要用于制作硅整流器(SR)、可控硅(SCR)、巨型晶体管(GTR)、晶闸管(GRO)、静电感应晶闸管(SITH)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)、超高压二极管(PIN)、 智能功率器件(SMART POWER)、功率集成器件(POWER IC)等,是各类变频器、整流器、大功率控制器件、新型电力电子器件的主体功能材料,也是多种探测器、传感器、光电子器件和特殊功率器件等的主体功能材料。 气相掺杂区熔硅单晶(GDFZ-Silicon):利用杂质的扩散机理,在用区熔工艺拉制硅单晶的过程中加入气相杂质,从根本上解决了区熔工艺掺杂困难的问题,可得到任意导电型号、宽电阻率范围、电阻率均匀性与中子辐照相当的大直径低成本区熔气掺硅单晶,其电阻率在0.01-200Ω.cm,少子寿命达500-2000s,径向电阻率不均匀性≤10%,。适用于制作各类半导体功率器件、绝缘栅双极晶体管(IGBT)、高效太阳能电池等。直拉区熔硅单晶(CFZ-Silicon):采用直拉与区熔两种工艺相结合的方式拉制硅单晶,产品质量介于直拉单晶和区熔单晶之间。可掺入特殊元素例如镓(Ga)、锗(Ge)等。采用直拉区熔法制备的新一代CFZ太阳能硅片,其各项性能指标均远优于当前全球光伏产业使用的各类硅片,太阳能电池转换效率高达24-26%。产品主要应用于特殊结构、背接触、HIT等特殊工艺制作的高效太阳能电池上,并更为广泛的用于LED、功率器件、汽车、卫星等众多产品和领域中。8、安徽易芯半导体公司介绍: 安徽易芯半导体有限公司由安徽华芯集团投资,公司位于安徽省合肥市新站高新区。  公司秉承科技创新和知识管理的经营理念,以大尺寸(12英寸及以上)半导体单晶硅材料、晶体生长设备、智能控制系统的研发、生产、销售和技术服务为己任,以做中国半导体材料与装备领域最具创新力和最具竞争力的产品与技术服务商为目标;通过自主创新,开发出具有核心自主知识产权的、处于国际领先水平的大尺寸半导体单晶硅材料和全自动半导体装备。  2015年12月,公司自主研发的12英寸芯片级单晶硅片通过了国家有色金属及电子材料分析测试中心的检测,送样产品核心参数均通过测试,相关指标达到国际标准。项目产品的成功开发,实现了12英寸芯片级单晶硅片从单晶生长、到研磨抛光的全国产化过程,填补了国内空白。  9、郑州合晶公司介绍: 郑州合晶隶属合晶科技股份有限公司,为全球前十大半导体硅晶圆材料供货商,主要产品为抛光硅晶圆与磊晶硅晶圆;抛光硅晶圆客户包括台积电、联电、世界先进等晶圆代工厂,而磊晶硅晶圆客户则以电源管理与模拟IC厂为主,包括力士、大中、富鼎。 合晶拥有四~八吋硅晶圆,生产基地分别为八吋的龙潭厂、六吋的杨梅厂,上海合晶厂为四~六吋,上海晶盟厂则是大中华区最大半导体磊晶厂。 产品信息: 抛光片:合晶科技主要的抛光片为4~8吋低缺陷、高平坦度的硅芯片, 同时提供硼、磷、砷、锑等不同掺杂的硅芯片以供客户不同应用所需,并针对目前节能趋势提供低阻超重掺硅芯片技术以满足功率组件降低开路电阻(RDS(on))的需求。外延片:除抛光片外,合晶科技亦提供高质量4"~8" 外延片及埋层外延代工以满足客户对CMOS与功率组件的需求, 以达成对客户one stop shopping的服务。10、宁夏银和公司介绍: 宁夏银和半导体科技有限公司成立于2015年。公司主要经营半导体晶锭、硅片的生产、销售及进出口;半导体集成电路零部件生产、配套、销售及进出口;半导体材料的研发、咨询服务。 产品信息: 今年3月,总投资16亿元的宁夏银和半导体科技有限公司大尺寸半导体硅片项目在银川经济技术开发区开工。该项目建成后,可年产420万片8英寸半导体级单晶硅片和年产240万片12英寸半导体级单晶硅片。
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发布时间:2018-12-28 00:00 阅读量:1738 继续阅读>>

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