<span style='color:red'>ARK(方舟微)</span>:耗尽型MOSFET在稳压及过压保护应用中的优势
  耗尽型MOSFET的基本特性:  耗尽型MOSFET,与常见的增强型MOSFET不同,它在栅极电压为零时就已经处于导通状态,即沟道已经存在。耗尽型MOSFET在电路设计中具有独特的优势,包括高输入阻抗、低漏电流、可调性和高速性。其工作原理主要基于电场效应,通过改变栅极电压来控制沟道的导电性,从而实现对电流的精确调控。在稳压及过压保护中主要利用耗尽型MOSFET的亚阈值特性。  稳压应用中的优势  简化电路设计  图一:耗尽型MOSFET在供电电路中的应用  耗尽型MOSFET在栅极电压为零即导通,这意味着在某些应用中可以省去额外的驱动电路,从而简化电路设计。例如,在实现PWM IC的VCC供电电路中,传统方法使用三极管、功率电阻和齐纳二极管等多颗器件,但这会导致PCB上的热量过高且效率低下。而采用耗尽型MOSFET的方法,可以用一颗器件代替,节省空间,简化电路,减小功耗。  宽泛的直流工作电压范围  图二:LDO应用电路  图三:搭配耗尽型MOSFET应用电路  耗尽型MOSFET具有宽泛的直流工作电压范围(Vin),这使其在稳压应用中更加灵活。如图二中在线性电压调节器中,输入电压可能来自母线电压,存在较大的电压变化,包括电压尖峰。如图三所示耗尽型MOSFET(DMZ6012E)可以通过源极跟随器配置连接,减少电压瞬变,直至达到器件额定电压VDS的耐受能力。这种配置不仅保护了电路免受浪涌电压的影响,还通过低静态电流实现了最小功耗。  过压保护应用中的优势:  耗尽型MOSFET在过压保护应用中表现出色。如图四所示,在这种电路中,耗尽型MOSFET与电阻和稳压二极管相结合,利用耗尽型MOSFET的亚阈值特性,通过选择合适的稳压二极管,可以设定一个稳定的输出电压值。当输入电压超过该值时,稳压二极管开始工作,将栅极电压钳制在一定水平,从而限制漏极电流,防止过压对后续电路造成损害。这种电路结构简单,成本低廉,适用于需要过压保护的多种场合。  图四:过压保护电路  某些耗尽型MOSFET产品具有超高的阈值电压参数,如ARK(方舟微)的UltraVt®系列,这些产品非常适合直接用于各类PWM IC的供电方案中。UltraVt®超高阈值耗尽型MOSFET系列产品的主要参数如下:  它们既能实现PWM IC在宽电压范围输入下的供电需求,又能有效抑制电路浪涌,为PWM IC提供过压保护。这种高阈值电压特性使得耗尽型MOSFET在高压及宽电压输出条件下具有更高的可靠性和稳定性。典型应用电路 (以 DMZ1015E 为例)如图五:  图五:耗尽型MOSFET稳压应用典型电路
关键词:
发布时间:2024-08-05 11:31 阅读量:563 继续阅读>>
新品发布 I <span style='color:red'>ARK(方舟微)</span>电路保护专家
  过压过流保护器  过压过流保护器(30V/30mA)  外形图  AKF30V30MPD为ARK(方舟微)研发的30V/30mA集成功率保护器件,特别适合应用于工业领域(如4~20mA电流环)的过流过压保护方案,产品响应速度快,以集成控制的方式,提供更高的稳定性及便捷性,使被保护的器件或电路的工作电压不超过30V,电流不超过30mA,能有效避免瞬态浪涌造成损伤,同时可以简化电路,节省空间,减低成本。  应用示意图如下:  Form B 固态继电器  100V / 400V Form B 固态继电器  外形图  ARK(方舟微)依据自身多年来在MOSFET研发与制造领域的独特优势,开发出了100V、400V等不同耐压等级的Form-B系列光MOSFET固态继电器,产品可靠性高,性能优异,封装类型包含SOP-4、SOP-6等通用形式,非常适合应用于需要使用高端继电器产品的设备。  专用于射频领域的LDMOS  130V N沟道耗尽型 LDMOS  外形图  DLZ1304E系列产品是ARK(方舟微)最新研发的N沟道耗尽型LDMOS,产品采用平面工艺,性能优良,可靠性高。该系列产品的耐压值为130V,相较于JFET或射频功率MOSFET,具有更高的耐压值和更低的泄漏电流,同时具有很低的阈值电压及输入电容,非常适合用于高频率的射频应用,以及气体传感器的放电回路。产品封装类型为SOT-23。  有源钳位MOSFET  小型有源钳位MOSFET  外形图  AKZSS04R06A是ARK(方舟微)研发的小型有源钳位MOSFET,器件采用平面工艺,可靠性高,稳定性好,其内部采用有源钳位结构,封装类型为SOT-23,特别适合用于驱动机械继电器等电感负载。  集成高阈值双芯MOSFETs  集成高阈值双芯MOSFETs  外形图  ARK(方舟微)研发的N沟道、P沟道增强型集成高阈值双芯MOSFETs,产品采用PDFN3*3封装,特别适合用于四线制PCB测试机等设备,能有效提高测试机测试精度。如图所示,M1为高压MOSFET,M2为低压、高阈值MOSFET,在如下图所示的应用电路中,当G、S短接时,M2在其漏极电压达到其阈值电压时才会开通,因此在接触电阻Rl有所增大的情况下,M2依然能够限制通过的电流大小,可有效提高测试机的测试精度。  M1为高压MOSFET,M2为低压、高阈值MOSFET,在应用电路中,当G、S短接时,M2在其漏极电压达到其阈值电压时才会开通,因此在接触电阻Rl有所增大的情况下,M2依然能够限制通过的电流大小,可有效提高测试机的测试精度。
关键词:
发布时间:2023-07-12 10:50 阅读量:1303 继续阅读>>
<span style='color:red'>ARK(方舟微)</span>简化PD3.1快充设计——增强型MOS篇
关键词:
发布时间:2023-01-18 14:40 阅读量:2327 继续阅读>>

跳转至

/ 1

  • 一周热料
  • 紧缺物料秒杀
型号 品牌 询价
BD71847AMWV-E2 ROHM Semiconductor
RB751G-40T2R ROHM Semiconductor
CDZVT2R20B ROHM Semiconductor
TL431ACLPR Texas Instruments
MC33074DR2G onsemi
型号 品牌 抢购
TPS63050YFFR Texas Instruments
STM32F429IGT6 STMicroelectronics
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 Infineon Technologies
ESR03EZPJ151 ROHM Semiconductor
BU33JA2MNVX-CTL ROHM Semiconductor
BP3621 ROHM Semiconductor
热门标签
ROHM
Aavid
Averlogic
开发板
SUSUMU
NXP
PCB
传感器
半导体
关于我们
AMEYA360商城(www.ameya360.com)上线于2011年,现有超过3500家优质供应商,收录600万种产品型号数据,100多万种元器件库存可供选购,产品覆盖MCU+存储器+电源芯 片+IGBT+MOS管+运放+射频蓝牙+传感器+电阻电容电感+连接器等多个领域,平台主营业务涵盖电子元器件现货销售、BOM配单及提供产品配套资料等,为广大客户提供一站式购销服务。