搭载瑞萨GreenPAK™,加速产品应用开发,村田发布新款Picoleaf™评估板
  株式会社村田制作所研发了用于村田压电薄膜传感器Picoleaf™的评估板“EVK-v2”。相较以前的评估板,通过添加瑞萨电子的可编程混合信号集成电路IC GreenPAK™以及可直观操作的GUI(Graphical User Interface,用户界面),允许用户通过鼠标或触摸面板等直观地向电脑发出指令,使得本评估板可更简单地实现Picoleaf验证功能,助力产品高效开发。本评估板将从2024年10月开始提供。  村田的压电薄膜传感器Picoleaf是一款厚度低于0.2mm的薄型传感器,可高灵敏度地进行按压检测、体征信号检测和动作检测。旧评估板的输出模拟信号放大倍率是固定的,且在更改on/off判定阈值时需要改写源代码。因此,如果客户需要调整灵敏度,会使功能验证过程变得复杂。  鉴于此,村田开发了本评估板,它能够改变picoleaf传感器输出模拟信号的放大倍率,并将其转换为微处理器可识别的数字信号通过采用瑞萨公司的GreenPAK IC,该评估板可同时连接4ch传感器。并且通过追加GUI功能,可以动态切换放大倍率、变更on/off判定输出的阈值、显示输出的模拟信号等。本评估板可更方便地进行Picoleaf评估,有助于产品的高效开发。      主要规格  主要特点  Picoleaf™是一款利用村田制作所专有的压电技术实现的柔性薄型压电薄膜传感器,使用聚乳酸(PLA)材料制成,可以检测“弯曲”、“扭转”、“压力”和“振动”。  该新型传感器,厚度小于或等于0.2mm,即使与显示器或触摸屏组合使用也能节省空间;柔性结构,即使在带有曲面的高设计性设备上也能沿曲面粘贴。此外,还能用于包裹在圆柱体上那样的特别形状;另外,还可用于用水的场所(比附卫生间、厨房等)或水下检测压力,使用在洗衣机等使用水的设备;picoleaf还可在金属外壳上使用,创建无缝按钮。  该传感器具有高灵敏度,可以检测1µm量级的微小位移。单个传感器可以检测显示器整个表面上的压力。此外,还可用于检测无意识的肌肉颤抖、抓握和脉搏等生物信号。  该类传感器属于非热释电性,具有不因温度变化极化的物性,不存在因体温、日照或半导体等发热而引起的漂移,所以可遏制因热而产生的噪声。另外,传感器本身功耗为0,驱动放大电路也可以设计成低消耗电流(10uA左右)。而且,Picoleaf™属于环境友好材料,采用从植物中萃取的聚乳酸为原料的环境友好有机压电薄膜。它是一种碳中性材料,在它的制造、废弃和分解的生命周期中不会增加大气中的CO2,有助于实现SDGs。此外,它是符合欧洲RoHS指令的无铅产品。
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发布时间:2024-11-01 13:51 阅读量:173 继续阅读>>
科索3.5kW输出AC-DC电源单元“HFA/HCA系列”采用罗姆的EcoSiC™
  全球知名半导体制造商罗姆生产的EcoSiC™产品——SiC MOSFET和SiC肖特基势垒二极管(以下简称“SBD”),被日本先进电源制造商COSEL CO., LTD. (以下简称“科索”)生产的三相电源用3.5kW输出AC-DC电源单元“HFA/HCA系列”采用。强制风冷型“HFA系列”和传导散热型“HCA系列”均搭载了罗姆的SiC MOSFET和SiC SBD,从而实现了最大94%的工作效率。“HCA系列”于2023年开始量产和销售,“HFA系列”于2024年开始量产和销售。  在工业设备领域,有各种需要处理大功率的应用(如MRI和CO2激光器等)。这些应用使用的是与家用单相电源不同的三相电源。科索的三相电源用AC-DC电源单元搭载了在高温、高频、高电压环境下性能表现都非常优异的罗姆 EcoSiC™。产品支持200VAC~480VAC的世界各国三相电源,有助于提高各种工业设备的电源效率。  科索 新产品开发二部 部长 内田 润表示:“‘HFA/HCA系列’通过搭载罗姆的低损耗SiC功率器件,即使在3.5kW的大输出功率条件下也能高效率工作。为了使我们的产品在高输入电压条件下工作,降低高耐压功率器件的损耗一直是困扰我们的课题,但通过使用SiC功率器件,实现了低于传统功率器件的损耗,从而在大功率条件下也能实现高效率和高功率密度的电源。”  罗姆 功率元器件事业本部 SiC事业统括部 统括部长 日笠 旭纮表示:“我们很高兴通过提供SiC功率器件来支持电源行业的领军企业科索。罗姆是SiC功率元器件行业的领军企业,可提供与外围元器件相结合的电源解决方案。另外,在解决客户问题的过程中,我们会将相应的信息反馈到产品中,从而进一步提高产品的性能。未来,我们将通过与科索的持续合作,并通过提高大功率工业设备的效率,为实现可持续发展社会贡献力量。”  关于三相电源用的3.5kW输出AC-DC电源单元“HFA/HCA系列”“HFA/HCA系列”是符合世界各国电源需求的宽输入范围(200VAC~480VAC)、输出功率3.5kW的电源。在全世界任何国家均可使用,无需针对不同国家进行相应的电源设计变更,有助于应用产品采用标准化结构。另外,可根据使用环境自由选用的强制风冷型“HFA系列”和传导散热型“HCA系列”,均有输出电压48V和65V两款型号,可用作激光发生器、MRI等各种大功率应用的电源。  关于科索科索自1969年成立以来,一直通过“提供以直流稳压电源为主的产品和服务”,为客户和社会的发展贡献着力量。科索将继续以“功率转换技术”为核心,创造满足客户需求的价值,通过提供新产品和服务,实现进一步的发展。未来,对于不确定性的应对能力以及解决环境问题的要求会越来越高。在这种背景下,公司将秉承“以品质至上取信于社会”的经营理念,继续作为满足社会需求的企业,进一步深化核心竞争力,利用飞速发展的数字技术,敏锐而灵活地应对各种挑战。  如欲了解更多信息,请访问科索官网(https://www.coselasia.cn/)。   支持信息罗姆在官网页面中,概括介绍了SiC MOSFET、SiC SBD和SiC功率模块等碳化硅功率元器件,同时,还发布了用于快速评估和导入第4代SiC MOSFET的各种支持内容,供用户参考。  碳化硅功率元器件介绍页面:https://www.rohm.com.cn/products/sic-power-devices   关于罗姆的EcoSiC™EcoSiC™是采用了因性能优于硅(Si)而在功率元器件领域备受关注的碳化硅(SiC)的元器件品牌。从晶圆生产到制造工艺、封装和品质管理方法,罗姆一直在自主开发SiC产品升级所必需的技术。另外,罗姆在制造过程中采用的是一贯制生产体系,已经确立了SiC领域先进企业的地位。  ・EcoSiC™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。
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发布时间:2024-10-29 15:56 阅读量:297 继续阅读>>
德普微电子:BM<span style='color:red'>IC</span> 芯片-DP5201系列为智能穿戴设备续航与性能保驾护航
  以智能手环、智能手表、智能耳机为主要产品形态的智能可穿设备已经在我们的日常生活中随处可见,伴随技术的发展,智能穿戴设备的功能越来越强大,对电量的需求也越来越高。智能穿戴设备尺寸小,配置的电池容量相对较低。设备从生产完毕到消费者的手上需要经过长时间的组装,运输,存储周转等不确定因素,可能会引起电池处于长期馈电的情况,不仅会影响消费者的体验感,甚至还有可能会导致锂电池的永久失效。  德普微电子一直秉承着“于以创新引领行业发展,用技术推动社会进步”的企业使命,经过研发团队的不懈努力,全新一代智能穿戴锂电池管理芯片DP5201成功问世!全新的架构设计,实现了超低的待机功耗,新增船运模式,有效解决长途运输的难点,进一步将待机时间延长,提升用户的体验感。  在智能穿戴设备中,功耗主要由电芯自身功耗、锂电保护芯片功耗以及设备功耗组成。而船运功能的强大之处在于,它能够有效降低锂电保护芯片的功耗(使其进入休眠状态),同时让设备功耗接近 “0”。  DP5201 系列电池保护芯片,专为智能穿戴设备精心研发。其创新的电路架构,集成了低内阻功率 MOS,在支持丰富多样功能的同时,展现出卓越的低功耗特性。该芯片不仅支持近似零功耗的休眠功能,还具备海运模式,极大地满足了智能穿戴设备对长续航的需求。此外,其多样化的封装形式更为小巧,与智能穿戴设备电池及微型电池的应用场景完美契合。  方案示意图  DP5201系列产品进入船运模式方式简单,并且不需要外围电路,只需要MCU的I/O口向IC的SM端子加以高电平脉冲,延时不小于25ms,IC进入船运模式(休眠状态),此时芯片维持休眠功耗。退出船运模式,只需给电池充电即可恢复到正常模式。  产品特点:  内置功率:NMOS,内阻45mΩ;  低消耗电流:  -正常工作:0.6μA~1.0uA;  -休眠状态:30nA Max;  支持船运模式;  封装尺寸:DFN1*1、DFN1.8*1.4、DFN2*2;  产品种类:匹配4.2V、4.35V、4.4V、4.45V不同电压段  的锂电池需求;  可定制化:可以根据客户需求提供定制化服务;
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发布时间:2024-10-15 13:04 阅读量:417 继续阅读>>
村田电子:更适合薄型设计应用场景的3.3V输入、12A输出的DCDC转换<span style='color:red'>IC</span>
  株式会社村田制作所面向1.2mm以下的低矮应用,开发了可以3.3输入电压输出上限12A的高效率DC-DC转换器IC“FlexiBK系列(PE24110)”。本产品以4.0×3.2mm的QFN(Quad Flat No leaded package)封装提供,适合1.2mm以下的薄型应用。  近年来,在通信基础设施市场,ASIC/DSP的消耗电流持续增加,而核心电压呈下降的趋势。传统方式的DC-DC转换器的占空比(1)变窄,转换效率显著降低,因此要求不依赖于输入输出电位差,便可实现高效转换的DC-DC转换器。  为此,在薄型POL(2)稳压器及要求高密度安装的光传输模块、核心电源、ASIC/FGPA等对安装面积和高度进行限制的应用中,村田开发了大幅降低对电感器尺寸的依赖并实现高效率的本产品。除融合了自主研发的电荷泵技术(3)与传统DC-DC转换器电路的两级架构创新电路方式外,通过构成2相交错方式(4),实现了89%的高效率。输入电压范围为3.0V至3.45V,可提供每台设备12A的输出电流。可根据外部反馈电阻在0.35 V至0.7 V之间调整输出电压。  主要特点  输出电流上限12A  峰值转换效率89%(使用3.3V输入、0.5V输出、高度1.2mm电感器时)  采用交错方式,实现了极低的输入输出波纹和噪声特性  经由外部DAC的自适应电压调节(AVS)功能  至多可并列运行4台设备  内置FET开关  电源模块事业部 低功率商品部 部长 三上修司的评论:“为了解决客户面临的电力相关问题,我们开发了薄型高效率降压型DC-DC转换器。PE24110在峰值效率、输出电流和输出电压等方面都有非常出色的表现,为低输出电压应用提供了理想的电源解决方案。”  注释:  占空比:通电时间相对于总循环时间所占的比例。当为直流-直流(DC-DC)转换器时,由输入电压与输出电压比决定。  POL:Point of Load的缩写。作为专用电源电路配置在FPGA及ASIC等电子设备附近的DC-DC转换器。  电荷泵技术:由电容器和半导体开关构成的电压转换电路。  交错方式:让并联配置的相同电路网依次工作而不会重复的电路方式。  本产品以4.0×3.2 mm的QFN(Quad Flat No leaded package)封装提供。该产品现在还可获取样品,有关评估套件和量产部件,请咨询地区的销售负责人。
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发布时间:2024-09-19 17:20 阅读量:548 继续阅读>>
纳芯微电子:CAN S<span style='color:red'>IC</span>知多少——新一代车载网络协议你用了没?
  日前,纳芯微宣布推出基于其自研创新型振铃抑制专利的车规级CAN SIC(信号改善功能,Signal Improvement Capability)NCA1462-Q1。  NCA1462-Q1在满足ISO 11898-2:2016标准的前提下,进一步兼容CiA 601-4标准,可实现8Mbps的传输速率,比当前主流的CAN FD车载通信方案有着显著优势。  此次,趁纳芯微新品发布之际,我们邀请到了纳芯微技术市场经理陈章杰,围绕CAN SIC的相关话题进行了探讨。  为什么要开发CAN SIC?  随着自动驾驶和区域控制概念的兴起,ECU彼此间进行了大量的整合与集成,这意味着更高的集成度,更多的节点数,更复杂的星型拓扑,以及更高的传输速率。  这给CAN FD总线带来了巨大挑战——即在更复杂的星型拓扑网络中,由于高传输率及复杂的拓扑的转变下,会出现严重的振铃,从而带来误码率的提高,影响信号传输。  目前CAN FD标准号称定义到5Mbps,但在实际应用中很难达到2Mbps以上。尽管客户希望提速,但是为了信号完整性,往往要牺牲速率,缩小节点规模,以减少振铃带来的影响。  CAN SIC则可轻松解决这一矛盾。  CAN SIC如何降低振铃?  要看CAN SIC的原理,首先要看振铃的形成原因。  振铃是指在CAN总线的通信过程中,由于阻抗不匹配导致的信号反射等原因,使得信号在传输线上多次反射,进而产生的一种振荡现象。更高的通讯速率意味着更窄的位宽时间,当前CAN FD的2Mbps相比以前HS CAN的500kbps位宽时间由2000ns缩短为500ns。同样强度的振铃干扰,在更高的通讯速率下,由于位宽时间过短不足以使其衰减到隐性差分电压的判定阈值以下,从而更容易导致通讯错误。  为了解决这一问题,2019年,CAN FD SIC (Signal Improvement Capability)信号增强版标准CiA (CAN in Automation) 601-4发布,通过抑制振铃,从而匹配现代域控和高速通信系统的要求。  与CAN FD相比,CAN SIC的优化主要体现在驱动电路上,其增加了一个强驱电路。如上所述振铃往往发生在从显性到隐形状态,因此,可以在该转换过程中增加一个额外的强驱电路,以控制总线电平的切换斜率,从而确保数据不出错。  CAN SIC或将成为主流标准之一  “无论哪项标准的制定,都是为了符合当时的需求,每一代都有自己的使命,也都会在演进过程中不断完善。”陈章杰说道。  CAN总线经历了多个标准。最早由德国博世于1980年代发明,第一个使用CAN总线通讯协议的量产车型是1991年的奔驰S级轿车,至今CAN总线依旧是车内主要的通讯总线。随着汽车电子智能化加速,CAN总线也进一步升级,2003年CAN总线升级为HS CAN,但还是基于第一代技术。2011年第二代CAN总线CAN FD开始研发,2015年CAN FD标准即ISO11898发布,2019年,CAN FD SIC (Signal Improvement Capability)信号增强版标准CiA (CAN in Automation)601-4发布,2021年CAN FD的轻量级版本CAN FD Light 标准CiA 604-1发布。2021年12月,第三代CAN总线即CAN XL标准CiA 610-1发布,但还未完全落地。  陈章杰表示:“在当年情况下,对于CAN总线的需求是提速,并没有太多的复杂拓扑需求,因此并不存在振铃问题。而随着复杂拓扑与高速率的需求增长,CAN FD无法满足,因此CiA 601-4孕育而生。”  另外,对于下一代CAN XL而言,依然需要解决振铃问题,CAN SIC也可以为提速和多节点复杂通信做好提前铺垫。  CAN SIC除了要解决CAN FD目前的问题之外,还有一大使命,就是要应对以太网的竞争。如今车载骨干网络已经以太网化,但是控制端目前还没有落地,考虑到其成本和厂商在软件或其他方面的适配,CAN依然是未来的主导之一。  陈章杰强调,CAN SIC的演变比预想的还要快,“随着域控和区域架构概念的普及,CAN SIC的认可度不断提升,越来越多的主机厂开始逐渐接纳这一技术。相信在未来,CAN SIC将大有可为。”  纳芯微如何开发的CAN SIC  纳芯微的CAN SIC实测传输速率可达10Mbps,已经完全满足CiA 8Mbps的规范要求。  陈章杰表示,CAN SIC开发最大的挑战其实是驱动架构和EMI架构的兼容,单纯做好驱动电路并不难,但是会牺牲其他方面的性能,尤其是EMI这种非线性关系的处理。  “芯片设计本身就是一个权衡取舍的问题。”陈章杰补充道,除了要关注EMI之外,成本也是一大考量。纳芯微的产品性能不输于国外厂商,同时还要更有性价比,因此还需要在设计上不断优化,从而用更小的面积(更低的成本)实现更高的性能。“另外,产品本身是一方面,更重要的是应该从系统角度出发开发产品。”包括EMI、ESD等约束,以及成本的优化等等方方面面。  陈章杰还强调,纳芯微一直以来深耕IP的开发,在CAN SIC开发过程中诞生了诸多发明专利,并将其IP化,与其他产品组合共享,打通了底层研发的平台。“对于芯片而言,核心竞争力之一就是IP,纳芯微也正围绕这些核心IP进行持续开发与优化打磨,形成一套完整的路线图。”陈章杰补充道。  详解纳芯微的CAN SIC新品  纳芯微NCA1462-Q1基于创新的专利架构对EMI进行了优化设计,依照IEC62228-3标准进行测试,完全符合要求。  NCA1462-Q1通过优化电路结构及版图面积实现了超±8kV ESD性能,既能从容应对在汽车行驶过程中突发的静电放电威胁,提供更可靠的电路保护,又能实现器件成本的优化。凭借超高的EMC/ESD性能,NCA1462-Q1还可在部分设计中帮助工程师省去外围电路中的共模电感或TVS管。此外,更加灵活、低至1.8V的VIO设计可进一步节省系统中LDO或者电平转换的使用,帮助工程师降低整体成本。  NCA1462-Q1的总线故障保护电压在CAN Low和CAN High中都可以达到±58V,真正做到了高耐压,从而帮助客户降低击穿风险。  另外,值得一提的是,在CAN SIC中,EMI可以细分为显性EMI和隐性EMI,比如某些产品显性EMI做得好,某些产品的隐性EMI好,纳芯微则是通过取长补短的手段,实现了显性和隐性EMI的全面优化。  提前布局,做市场的引领者  CAN SIC市场前景相对明朗,但截止目前,无论是国际还是国内厂商,能够提供CAN SIC芯片的供应商都不多。  “就目前时间点而言,虽然CAN SIC的需求比较明确,但产品也不可能突然遍地开花,需要一个循序渐进的过程。”陈章杰说道。  陈章杰同时表示,无论是CAN收发器还是CAN SIC,纳芯微一直都是根据市场需求与预判进行提前布局,定义完整的产品及路线图。也正因此,纳芯微成为了最早一批量产CAN SIC的厂商。  另一方面,尽管CAN SIC还处于“蓝海”市场,但是前一代CAN收发器的市场竞争已经相当激烈,纳芯微为何还要杀入这一市场呢?陈章杰表示,作为汽车主要的总线技术,其市场容量非常之大,每辆车上就需要数十颗之多,市场始终处于高需求状态。而且,陈章杰说道:“CAN接口貌似简单,但是要做好确实有一定的门槛,作为通用物料而言,最能考验公司的能力,这其中会包括成本控制,市场覆盖,研发实力,供应链等等。”  也正因此,CAN接口是非常适合切入汽车市场的产品之一。“所以我们看到越来越多的友商进入这一市场,但是说实话如果要做到各方面性能指标都高标准,还是有一定门槛的。”陈章杰表示。  陈章杰表示,纳芯微既立足本土,同时也是面向全球的芯片供应商,随着国产芯片实力的加强,很多海外客户也在看中国的供应商,纳芯微的产品无论在性能、性价比、技术支持等方面都已经获得了全球主要客户的认可和采用。“我们既然面向全球市场,就必须要以更高的标准定义产品。”  面对激烈的市场竞争,“短期而言,价格决定一切,而从长远来看,客户更在乎的是合作伙伴持续降本,以及持续优化运营的能力,并不能单纯靠价格战取胜。”陈章杰强调道。  面向未来的CAN XL  作为CAN CiA的成员之一,纳芯微也在积极评估CAN XL的发展。但陈章杰也坦言,CAN XL还在规划中,尚无明确的时间节点,并且也依赖于目前CAN SIC的市场普及和认可度。  “一旦客户和市场完全认可CAN SIC的价值,并逐步应用于复杂星型拓扑与高速率场景中,一定会打消客户升级换代的顾虑。”陈章杰乐观地表示。
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发布时间:2024-09-19 09:24 阅读量:642 继续阅读>>
罗姆与联合汽车电子签署SiC功率元器件长期供货协议
  全球知名半导体厂商罗姆(ROHM Co., Ltd.,以下简称“罗姆”)于近日与中国汽车行业一级综合性供应商——联合汽车电子有限公司(United Automotive Electronic Systems Co., Ltd. ,以下简称“UAES”)签署了SiC功率元器件的长期供货协议。  UAES副总经理 郭晓潞(图右)、  ROHM Co., Ltd. 执行官 功率元器件事业本部 本部长 野间 亚树(图左)  UAES和罗姆自2015年开展技术交流以来,双方在搭载SiC功率元器件的车载应用产品开发方面建立了合作伙伴关系。  2020年,双方在位于中国上海的UAES总部成立了“SiC技术联合实验室”,加强了SiC电源解决方案开发的合作关系。2021年,罗姆的电源解决方案(包括具备业内先进性能的SiC功率元器件和外围部件)得到UAES的高度好评,并被选为优先型供应商。  经过多年来密切的技术合作,例如用于电动汽车的车载充电器等、搭载了罗姆SiC的车载产品已得到大量量产和采用。  目前,为了进一步提高电动汽车的效率,搭载罗姆SiC芯片的先进逆变器模块的开发也在加速,并且为满足不断扩大的需求,双方达成了此次长期供货合同。另外,搭载SiC的逆变器模块已于2023年11月份交付第一批客户。  在电动汽车逆变器的开发中,SiC功率元器件是非常重要的部件,由于可以进行高效率的电力电子设计,因此非常有助于例如延长续航距离和削减电池尺寸等电动汽车的技术革新。根据此次的长期供货协议,UAES公司将确保在电动汽车产品开发方面的重要部件——SiC功率元器件的产能。  今后,双方将继续深化合作,加快以SiC为中心的创新型电源解决方案的开发,为汽车的技术革新做出贡献。  UAES副总经理 郭晓潞表示:“随着电动汽车在中国车载市场蓬勃发展,SiC为首的功率半导体使用、交付会显得越来越重要。罗姆是全球知名半导体企业,特别在SiC高功率器件上有很深造诣。从2015年以来,我们与罗姆持续进行技术交流,对其提案的元器件以及周边部件解决方案有着很高的评价。此次,我们选择罗姆作为SiC芯片的长期供应商,对于今后项目量产供货得以很好保障,对此我们非常高兴。感谢罗姆一直以来的大力支持,与此同时,我们期待以此为新的起点来构筑长期的合作关系。”  ROHM Co., Ltd. 执行官 功率器件事业本部 本部长 野间 亚树表示:“非常荣幸能够与多年建立合作关系的UAES公司签署长期供货合同。UAES公司是中国汽车行业一级综合性供应商,致力于先进的车载应用开发。在持续高速增长的电动汽车市场中,SiC功率元器件是实现高效率化的重要技术,罗姆在SiC市场构筑了业界先进的开发和制造体制。双方的合作能够为市场带来更高性能、更佳品质的先进车载应用。未来,罗姆将通过提供以SiC为中心的电源解决方案,与UAES公司一道为电动汽车的技术革新做出贡献。”  UAES与罗姆的技术合作沿革  2015年 开始技术交流  2020年 开设“SiC技术联合实验室”。搭载了罗姆SiC功率元器件的车载产品实现量产  2021年 罗姆被UAES选为“SiC电源解决方案的优先型供应商”  2024年 签署SiC功率元器件长期供货协议(本次发布)  关于UAES  联合汽车电子有限公司(简称UAES)成立于1995年,是中联汽车电子有限公司和德国罗伯特•博世有限公司在中国的合资企业。公司拥有汽油发动机管理系统、变速箱控制系统、先进网联和电力驱动系统四大业务板块,以及悬架控制、热管理系统、软件与服务、智能传感器四小业务。公司总部位于上海市浦东新区,在上海、无锡、西安、芜湖、柳州和太仓设有生产基地,并在上海、重庆、芜湖、苏州和柳州设有技术中心。2023年,公司实现销售收入370.88亿元,员工人数超过10000人。凭借扎实的本地研发和生产能力,公司致力于为国内各汽车厂商提供从零部件到系统的多样化、定制化完整解决方案,以优质的产品和服务为汽车产业的高质量发展和转型做出积极贡献。  如欲进一步了解详情,请访问UAES官网:http://www.uaes.com/servlet/portal/index.html
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发布时间:2024-09-10 11:33 阅读量:507 继续阅读>>
前7月中国<span style='color:red'>IC</span>产量同比增长29%!
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发布时间:2024-09-02 17:55 阅读量:417 继续阅读>>
罗姆第4代SiC MOSFET裸芯片批量应用于吉利集团电动汽车品牌“极氪”3种主力车型
  日前,搭载了罗姆(总部位于日本京都市)第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模块成功应用于浙江吉利控股集团(以下简称“吉利”)的电动汽车(以下称“EV”)品牌“极氪”的“X”、 “009”、 “001”3种车型的主机逆变器上。自2023财年起,这款功率模块经由罗姆和正海集团的合资公司—上海海姆希科半导体有限公司批量供货给吉利旗下Tier1厂商——宁波威睿电动汽车技术有限公司。  吉利和罗姆自2018年以来持续开展技术交流,并于2021年缔结了以SiC功率器件为核心的战略伙伴关系,合作至今。这次,作为合作成果,上述3种车型的主机逆变器搭载了罗姆的SiC MOSFET。无论哪种车型,以SiC MOSFET为核心的罗姆电源解决方案都将有助于延长车辆续航距离以及提高性能。  罗姆正在推进SiC器件的开发,计划于2025年推出第5代SiC MOSFET,同时也提前了第6代及第7代产品的市场投入计划。并且,通过构筑SiC供应体制,实现以裸芯片、分立器件和模块等各种形态供货,从而促进SiC的普及,为实现可持续发展社会做出贡献。  关于采用了罗姆“EcoSiC™”的极氪车型     极氪的“X”车型虽然是小型SUV,但最大输出功率300kW以上,续航距离400km以上,性价比高,在中国以外的地区也受到关注。另外,小型货车类型的“009”除了智能驾驶舱之外,还搭载了140kWh的大容量电池,最大续航距离达822km。并且,作为旗舰车型的运动旅行车类型的“001”,由于双电动机最大输出达400kW以上,续航距离超580km,拥有4轮独立控制机构等,作为高性能EV被广泛关注。  关于极氪      极氪是浙江吉利控股集团有限公司旗下高端智能电动品牌,2021年3月,浙江极氪智能科技有限公司成立。极氪是一家以智能化、数字化、数据驱动的智能出行科技公司,秉承用户型企业理念,聚焦智能电动出行前瞻技术的研发,构建科技生态圈与用户生态圈,以“共创极致体验的出行生活”为使命,从产品创新、用户体验创新到商业模式创新,致力于为用户带来极致的出行体验。极氪的诞生区别于传统造车与新势力模式,实现智能纯电的快速进化,开拓纯电发展第三赛道的“极氪模式”。极氪致力于建立新型用户关系,实现与用户共创,根据用户需求与创造力得以持续进化,实现企业与用户平等融合。  更多信息请访问网站:https://www.zeekrlife.com/  关于罗姆  罗姆是成立于1958年的半导体电子元器件制造商。通过铺设到全球的开发与销售网络,为汽车和工业设备市场以及消费电子、通信器等的众多市场提供高品质和高可靠性的IC、分立半导体和电子元器件产品。在罗姆自身擅长的功率电子领域和模拟领域,罗姆的优势是提供包括SiC功率元器件及充分地发挥其性能的驱动IC、以及晶体管、二极管、电阻器等外围元器件在内的系统整体的优化解决方案。欲了解更多信息,请访问罗姆官网(https://www.rohm.com.cn/)  市场背景与第4代SiC MOSFET     近年来,为了实现“碳中和”和其他减轻环境负荷的目标,就需要进一步普及下一代电动汽车(xEV),这就推动了更高效、更小型、更轻量的电动系统的开发。尤其是在电动汽车(EV)领域,为了延长续航里程并减小车载电池的尺寸,提高发挥驱动核心作用的主驱逆变器的效率已成为一个重要课题,业内对SiC功率元器件寄予厚望。  罗姆于2010年在全球开始SiC MOSFET的量产以来,作为SiC元器件领域的领军企业,一直在推动先进产品的技术开发。目前,罗姆将这些SiC元器件命名为“EcoSiC™”品牌,并正在不断扩展其产品群。目前不仅可提供裸芯片,还可提供分立封装和模块等多种形态产品。欲了解更多信息,请访问罗姆官网上的SiC介绍页面(https://www.rohm.com.cn/products/sic-power-devices)。  关于罗姆的EcoSiC™      EcoSiC™是采用了因性能优于硅(Si)而在功率元器件领域备受关注的碳化硅(SiC)的元器件品牌。从晶圆生产到制造工艺、封装和品质管理方法,罗姆一直在自主开发SiC产品升级所必需的技术。另外,罗姆在制造过程中采用的是一贯制生产体系,目前已经确立了SiC领域先进企业的地位。  ・EcoSiC™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。  支持信息     罗姆拥有在公司内部进行电机测试的设备,可在应用层面提供强力支持。此外,为了加快第4代SiC MOSFET的评估和应用普及,罗姆官网上还提供各种支持资源。通过下面的链接,可以查看SPICE模型等各种设计模型、主要应用的仿真电路(ROHM Solution Simulator)和评估板(Evaluation Board)等信息。  https://www.rohm.com.cn/products/sic-power-devices/sic-mosfet#supportInfo
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发布时间:2024-08-30 11:34 阅读量:489 继续阅读>>
ROHM发售4款非常适用于工业电源的SOP封装通用AC-DC控制器<span style='color:red'>IC</span>
  全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出PWM控制方式*1FET外置型通用控制器IC,非常适用于工业设备的AC-DC电源。目前已有支持各种功率晶体管的4款新产品投入量产,包括低耐压MOSFET驱动用的“BD28C55FJ-LB”、中高耐压MOSFET驱动用的“BD28C54FJ-LB”、IGBT驱动用的“BD28C57LFJ-LB”以及SiC MOSFET驱动用的“BD28C57HFJ-LB”。  尽管全球半导体产品短缺的问题已逐步得到缓解,但工业设备等所用的电源产品仍然处于供不应求的状态。尤其是AC-DC控制器IC,由于制造商较少,半导体短缺已成为长期问题,产品开发的需求不断增加。在这种背景下,ROHM通过推出可满足工业设备应用中需求较大的封装和性能要求的PWM控制方式AC-DC控制器IC,助力解决供应短缺问题。  此次新产品的输入电压范围为6.9V~28.0V,最大电路电流为2.0mA,最大启动电流为75μA,最大占空比*2为50%,采用标准的SOP-J8(相当于JEDEC标准的SOIC8)封装形式。引脚排列与工业设备电源中常用的通用产品相同,有助于缩短电路变更和新设计的设计周期。新产品的所有型号都支持具有电压滞回的自恢复型低电压误动作防止功能(UVLO)*3。与普通产品±10%左右的阈值电压误差相比,新产品的阈值电压误差更小,仅为±5%,实现了高精度的自恢复启动,有助于提高应用产品的可靠性。  不仅如此,新产品还属于长期供货对象产品,可长期稳定供应,有助于寿命长的工业设备持续运行。  新产品已于2024年7月开始暂以月产10万个的规模投入量产(样品价格180日元/个,不含税)。前道工序的生产基地为ROHM Hamamatsu Co., Ltd.(日本滨松市),后道工序的生产基地为ROHM Electronics Philippines, Inc.(菲律宾)。另外,相应的产品也已开始电商销售,在电商平台Ameya360处可购买。  未来,ROHM将在产品阵容中逐步新增支持高耐压MOSFET和GaN器件的产品。另外还计划推出支持100%最大占空比的产品。  <产品阵容>  <应用示例>  工业设备:AC-DC电源、电机驱动用的逆变器以及其他通过电源插座供电的应用  <电商销售信息>  开始销售时间:2024年7月起  电商平台:Ameya360  新产品在其他电商平台也将逐步发售。  ・产品信息  产品型号:BD28C54FJ-LB、BD28C55FJ-LB、BD28C57HFJ-LB、BD28C57LFJ-LB  <术语解说>  *1) PWM控制方式  PWM(Pulse Width Modulation,脉冲宽度调制)是一种使用了半导体的功率控制方式。通过改变一定周期内的导通时间和关断时间比例来控制输出功率。  *2) 占空比  一定周期内连续脉冲波处于导通状态或关断状态的时间比率。导通状态的比例称为“导通占空比”,关断状态的比例称为“关断占空比”。通常占空比是指处于导通状态的时间比例。  占空比(%)=脉冲宽度(t) ÷ 周期 (T)  *3) 具有滞回特性的自恢复型欠压保护功能(UVLO)  UVLO是“Under Voltage Lock Out”的首字母缩写。当输入电压下降到阈值范围之外时,在IC内部电路出现异常之前安全停止IC工作的功能。自恢复型欠压保护功能由于电压接近阈值电压时,IC会反复停止和重启,变得不稳定,因此通过采用具有滞回特性的保护电路,在IC停止时和重启提供一定范围的电压。
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发布时间:2024-08-26 13:11 阅读量:471 继续阅读>>
ROHM:支持PSIM™的第4代SiC MOSFET仿真模型

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