<span style='color:red'>STMicroelectronics</span>汽车级器件具有更高的功率密度
  据Ameya360电子元器件采购网报导:STMicroelectronics推出了五款采用流行配置的功率半导体桥,采用其先进的ACEPACK SMIT封装,与传统TO型封装相比,简化了组装并提高了功率密度。  工程师可以从两个STPOWER 650V MOSFET半桥、一个600V超快二极管桥、一个1.2kV半控全波整流器和一个1.2kV晶闸管控制桥臂中进行选择。所有器件均符合汽车行业要求,适用于电动汽车车载充电器(OBC)和DC/DC转换器,以及工业电源转换。  ST的ACEPACK SMIT表面贴装封装提供易于处理的绝缘封装以及外露漏极的热效率。它允许直接键合铜(DBC)芯片连接以实现高效的顶部冷却。ACEPACKSMIT的4.6cm2外露金属顶面允许轻松连接平面散热器。这创造了一种节省空间的薄型设计,可最大限度地提高散热性,从而在高功率下实现更高的可靠性。模块和散热器可以使用自动化在线设备放置,从而节省手动流程并提高生产率。  在最小化堆叠高度和提高功率密度的同时,顶部冷却设计和32.7x22.5mm的封装尺寸允许6.6mm的引线间爬电距离。接头对引线的绝缘为4.5kVrms。该封装还具有低寄生电感和电容。  ACEPACK SMIT现在提供的SH68N65DM6AG和SH32N65DM6AG 650V-MDmesh DM6 MOSFET半桥符合AQG-324标准。它们的Rds(on)(最大值)在SH68N65DM6AG中为41mΩ,在SH32N65DM6AG中为97mΩ,可确保高电效率和低热耗散。它们可用于OBC和高压到低压部分的DC/DC转换器。他们的多角色灵活性有助于简化库存和简化采购。  STTH60RQ06-M2Y 600V、60A全波桥式整流器包含具有软恢复特性的超快二极管,PPAP能够用于汽车应用。  STTD6050H-12M2Y 1.2kV、60A半控单相交流/直流桥式整流器符合AEC-Q101标准,具有高抗噪性,dV/dt为1kV/μs。  STTN6050H-12M1Y是一款1.2kV、60A半桥,包含两个内部连接的晶闸管(可控硅整流器-SCR)。符合AEC-Q101标准,可用于汽车OBC和充电站以及电机驱动和电源中的AC/DC转换、单相和三相可控整流桥、图腾柱功率因数校正等工业应用,以及固态继电器。
发布时间:2023-01-12 11:11 阅读量:2351 继续阅读>>
<span style='color:red'>STMicroelectronics</span>和eYs3D Microelectronics将在CES 2023上重点展示3D立体视觉相机
  STMicroelectronics和eYs3D Microelectronics将在CES2023上重点展示3D立体视觉相机STMicroelectronics和eYs3D Microelectronics将在CES2023上展示他们在高质量机器视觉方面的合作成果。  STMicroelectronics和eYs3D Microelectronics将于1月5日至8日在拉斯维加斯举行的CES2023上展示他们在高质量机器视觉方面的合作成果。通过现场演示,两家公司将重点介绍由先进的主动编码红外技术制成的立体视频和深度摄像头如何增强中长工作范围内的特征识别和自主引导等能力。  eYs3D Microelectronics首席战略与销售官JamesWang表示:“STMicroelectronics的高级图像传感器采用专有工艺技术,提供一流的像素尺寸,同时具有高灵敏度和低串扰。”“这种价格具有竞争力的高性能图像传感器使我们能够实现极其紧凑的系统尺寸,同时确保出色的机器视觉性能。我们与ST建立的紧密联系增强了我们开发引领机器视觉市场新产品的信心。”  “与eYs3D Microelectronics的合作,通过他们在捕获、感知理解和3D融合方面的专业知识,为ST提供了更多的商业机会、用例和生态系统,以满足机器人、家庭自动化、家用电器等应用中对立体视觉的需求,以及许多其他公司,”意法半导体成像分部业务线经理David Maucotel说。“虽然在CES上展示的参考设计使用的是单色传感器,但我们已经可以预见使用我们传感器的RGB和RGB-IR版本的令人兴奋的增强功能和更多用例。”  CES演示突出了两个联合开发的参考设计,Ref-B6和Ref-B3ASV(主动立体视觉)视频和深度相机。两者都将eYs3DCV处理器和eSP876立体3D深度图芯片组与ST的全局快门图像传感器相结合,可提供增强的近红外(NIR)灵敏度。嵌入式eYs3D芯片组增强了物体边缘检测,优化了深度去噪,并输出高达60fps帧速率的高清质量3D深度数据。ST的图像传感器使相机能够以视频/深度分辨率和帧速率的各种组合输出数据流,以实现最佳质量的深度感测和点云创建。  此外,经过优化的镜头、滤光片和VCSEL主动红外投影仪源优化了红外光路并最大限度地提高了对环境光噪声的免疫力。专门开发的控制算法交替打开和关闭红外投影仪,以捕获无伪影的灰度图像。利用这种先进的硬件设计,Ref-B6立体摄像机实现了6厘米基线和85度(水平)x70度(垂直)深度视野。
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发布时间:2023-01-05 13:17 阅读量:2261 继续阅读>>
<span style='color:red'>STMicroelectronics</span>和Soitec合作开发SiC衬底制造技术
  合作的目标是 ST 在其未来的200mm基板制造中采用Soitec的SmartSiC技术。  STMicroelectronics和Soitec宣布了他们在碳化硅 (SiC) 衬底方面的下一阶段合作,计划在未来18个月内通过ST对Soitec的SiC衬底技术进行鉴定。此次合作的目标是ST在其未来的200mm基板制造中采用Soitec的SmartSiC技术,为其器件和模块制造业务提供支持,并有望在中期实现量产。  “向200mm SiC晶圆的过渡将为我们的汽车和工业客户带来巨大优势,因为他们会加速向其系统和产品的电气化过渡。随着产品产量的增加,这对于推动规模经济非常重要,”意法半导体汽车和分立器件事业部总裁Marco Monti说。“我们选择了一种垂直整合的模式,以最大限度地利用我们在整个制造链中的专业知识,从高质量的基板到大规模的前端和后端生产。与Soitec技术合作的目标是继续提高我们的制造产量和质量。”  “随着电动汽车的出现,汽车行业正面临重大颠覆。我们尖端的SmartSiC技术将我们独特的SmartCut™工艺应用于碳化硅半导体,将在加速其采用方面发挥关键作用,”Soitec首席运营官Bernard Aspar表示。“Soitec的SmartSiC™基板与 STMicroelectronics行业领先的碳化硅技术和专业知识的结合将改变汽车芯片制造的游戏规则,并将树立新的标准。”  SiC是一种颠覆性的化合物半导体材料,具有固有特性,在电动汽车和工业过程等关键的高增长功率应用中提供优于硅的性能和效率。它可以实现更高效的电源转换、更轻和更紧凑的设计以及整体系统设计成本的节省——所有这些都是汽车和工业系统成功的关键参数和因素。从150mm晶圆过渡到200mm晶圆将使产能大幅增加,制造集成电路的有用面积几乎增加一倍,每个晶圆可提供1.8-1.9倍的工作芯片。  SmartSi™是Soitec的专有技术,它使用Soitec专有的SmartCut™技术,将高质量 SiC“供体”晶圆的薄层分开,并将其键合在低电阻率“处理”多晶硅晶圆的顶部。然后,工程化基板可提高设备性能和制造产量。优质SiC“供体”晶圆可以多次重复使用,显着降低生产它所需的总能耗。KK签订了晶圆供应协议,以继续在现场进行现有的晶圆制造。
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发布时间:2023-01-04 10:02 阅读量:2501 继续阅读>>
<span style='color:red'>STMicroelectronics</span> 数字电源组合控制器增强过载管理
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发布时间:2022-12-26 14:44 阅读量:2132 继续阅读>>

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