广和通丨凭小见大，以简驭繁：MagiCore 2.0凭硬核实力，领跑2025 AI+应用创新榜
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广和通丨凭小见大，以简驭繁：MagiCore 2.0凭硬核实力，领跑2025 AI+应用创新榜

　　近日，在ICT行业权威全媒体平台C114通信网发起的“2025年度AI+‘硬核’榜单”征集活动中，广和通凭借融合4G蜂窝连接和AI交互算法、Agent定制的MagiCore 2.0机芯盒，在众多参选产品中脱颖而出，成功入选该榜单。　　本次“2025年度AI+‘硬核’榜单”以“融合创新·智领变革”为主题，旨在发掘并表彰在人工智能与信息通信产业深度融合中表现卓越的标杆产品与企业。广和通此次获奖，再次彰显了其在智能终端领域的深厚技术积淀与敏锐的市场洞察力。　　MagiCore 2.0的核心竞争优势在于它并非简单的硬件堆叠，而是实现了4G全网通能力与AI语音算法、AI Agent定制的深度融合。MagiCore 2.0机芯盒具备精巧尺寸、便携易用、低功耗及IP Agent定制等优势，为AI毛绒包挂等端侧AI场景带来全新的个性化交互体验。极致尺寸设计极大降低了终端集成的难度，使便携式、小型化AI设备的开发变得更加高效。针对移动端应用痛点，该产品在保持强大算力的同时实现了卓越的功耗控制，确保了终端设备的长效续航。　　在IP Agent深度定制方面，MagiCore 2.0通过支持IP Agent定制化功能，MagiCore 2.0赋予了终端产品独特的“灵魂”。例如，在AI毛绒玩具、智能包挂等潮玩领域，它能够支撑起复杂的情感交互与个性化对话，让静态产品跃升为具备智能交互能力的数字化伴侣。　　作为新质生产力的典型代表，广和通正持续通过创新的无线通信和AI计算能力，助力千行百业实现数智化转型。此次获得C114“2025年度AI+‘硬核’榜单”表彰，不仅是对MagiCore 2.0产品力的认可，更是对广和通深耕AI生态、不断突破行业边界的肯定。未来，广和通将继续携手全球合作伙伴，探索更多“AI+”可能，为用户创造更智慧、更丰富的交互生活。
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发布时间：2026-02-02 11:18 阅读量：198 继续阅读>>
英飞凌新品 | 碳化硅SiC 5.5kW三相交错并联LLC谐振变换器评估板
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英飞凌新品 | 碳化硅SiC 5.5kW三相交错并联LLC谐振变换器评估板

　　英飞凌推出新品：碳化硅SiC 5.5kW三相交错并联LLC谐振变换器评估板　　EVAL_5K5W_3PH_LLC_SiC 5.5kW三相交错并联LLC谐振变换器，能将400V直流输入电压转换为稳定的50V直流输出电压。得益于CoolSiC™器件的卓越性能与顶部散热封装方案，该板实现了接近99% 的效率与170W/in³的超高功率密度。　　产品型号：　　■ EVAL_5K5W_3PH_LLC_SiC2　　框图　　　　产品特性　　半载(50%负载)效率达98.95%　　满载(100%负载)效率达98.48%　　谐振频率为200 kHz　　采用三相交错并联LLC拓扑　　应用价值　　采用TOLT封装的高性能CoolSiC™ 650V器件　　顶部散热设计　　超高效率与功率密度　　数字化控制　　应用领域　　电信基础设施用DC-DC电源转换　　功率变换　　服务器电源供应单元
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发布时间：2026-01-27 10:15 阅读量：337 继续阅读>>
Microchip推出新型600V栅极驱动器
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Microchip推出新型600V栅极驱动器

　　Microchip Technology宣布推出其600V栅驱动器系列，包含12款器件，提供半桥、高侧/低侧和三相驱动配置。基于Microchip的电源管理解决方案，这些高压栅极驱动器旨在促进工业和消费应用的电机控制和功率转换系统的开发。　　600V门极驱动器实现快速切换和高效性能，当前驱动功率范围从600mA到4.5A不等。它们支持3.3V逻辑，实现与微控制器的无缝集成。这些栅极驱动器设计具有增强的抗噪能力、施密特触发输入和内部死区以保护MOSFET，能够在高噪声环境中实现可靠的性能。　　Microchip模拟电源与接口部门副总裁Rudy Jaramillo表示：“Microchip的600V门极驱动器为我们的客户提供了应对复杂电机控制和电力转换挑战所需的可靠性和效率。这些器件帮助工程师更快、更有信心地将功率系统推向市场。”　　为了实现全面的系统解决方案，Microchip的电机控制和功率转换产品可以与公司的MCU和MOSFET一起使用。这些门极驱动力支持工业系统电气化、可再生能源增长以及对紧凑高效电机控制解决方案需求的增长等行业趋势。　　Microchip提供多种栅极驱动器产品，支持从直流-直流电源到多种电机应用的广泛应用，同时促进高设计灵活性、系统效率和稳健运行。　　Microchip Technology Inc 开发嵌入式控制与处理解决方案，旨在实现安全、互联和智能应用。凭借广泛的产品组合和简化的开发工具，公司支持高效的系统设计，旨在降低开发风险、成本和部署时间。Microchip 服务全球超过 10 万客户，其技术应用于工业、汽车、消费电子、航空航天与国防、通信及计算机等多个领域。公司总部位于亚利桑那州钱德勒，专注于可靠的产品交付、高质量的制造质量和强大的技术支持。
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发布时间：2026-01-27 10:08 阅读量：303 继续阅读>>
以小搏大，以硅基成本享碳化硅性能：森国科微型化750V SiC MOSFET晶圆的破局之道
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以小搏大，以硅基成本享碳化硅性能：森国科微型化750V SiC MOSFET晶圆的破局之道

　　在功率半导体领域，碳化硅(SiC)技术以其卓越的电气性能已成为不争的未来趋势。然而，市场普及始终面临一个核心挑战：如何在不牺牲性能的前提下，将成本降至可与成熟硅基产品正面竞争的水平?森国科最新推出的KWM2000065PM(750V/2Ω)与 KWM1000065PM(750V/1Ω)两款SiC MOSFET产品，以其革命性的微型化芯片设计，给出了一个强有力的答案——通过极致缩小的Die Size，实现系统级成本与性能的双重优势，直指高压平面MOSFET与SJ MOSFET的替代市场。　　01技术深潜：微型化Die引发的性能与成本革命　　这两颗晶圆最引人注目的特点，是其极其紧凑的尺寸。KWM2000065PM的芯片面积(不含划片道)仅为0.314 mm²(0.560 * 0.560mm)，而KWM1000065PM也仅为0.372 mm²(0.560 * 0.665mm)。这一尺寸远小于同规格的硅基器件，奠定了其颠覆性优势的基础。　　热性能的先天优势：更稳定，更高效　　与传统硅基MOSFET相比，SiC材料本身拥有高出三倍的热导率。这意味着，在同等体积下，SiC芯片内部的热量能更快速地传导至外壳。结合森国科这两款产品的微型化设计，其热阻(RthJC)具备先天的稳定性优势。　　--热阻稳定性：硅器件在高温下导通电阻(RDS(on))会急剧增大，而SiC的RDS(on)随温度变化率远低于硅。规格书显示，即使在175°C的高结温下，KWM1000065PM的导通电阻典型值仅从25°C时的1.0Ω升至1.6Ω，变化幅度远优于同级硅器件。这带来了更可预测的功耗和更稳定的高温运行表现。　　--高效散热：小尺寸Die允许采用成本更低、体积更小的封装(如DFN5x6, TO-252等)。由于芯片热点与封装外壳的热路径极短，热量能更高效地散发，从而允许器件在更高的功率密度下运行，或减少散热系统的体积与成本。　　电气性能的极致化：支持高频、高可靠性应用　　高开关速度与低损耗：两款产品均具备极低的电容(Ciss/Coss/Crss)，例如KWM2000065PM的Crss典型值低至1.0pF。这直接转化为更快的开关速度、更低的开关损耗(Eon/Eoff)和更小的栅极振荡，为高频开关电源提升效率、缩小无源元件体积奠定了基础。　　--750V耐压的可靠性裕量：相较于传统的600V-650V硅基MOSFET，750V的额定电压提供了更强的抗电压冲击和浪涌能力，在PFC电路、反激式拓扑等应用中，系统可靠性得到显著提升。　　--快速体二极管：内置的体二极管具有快速反向恢复特性(Qrr低)，在桥式电路或硬开关条件下，能有效降低反向恢复损耗，提升整体效率。　　成本结构的颠覆：从“芯片成本”到“系统成本”的胜利　　这才是森国科此次产品的核心破局点。微型化Die的直接优势是：　　单颗芯片成本大幅降低：在同等晶圆上，更小的尺寸意味着可切割的芯片数量呈指数级增长，直接摊薄了单片晶圆的制造成本。　　--封装成本显著下降：小芯片可采用更小、更简单的封装，封装材料(塑封料、引线框)和工艺成本随之降低。　　--系统级成本优化：由于SiC的高频、高效特性，电源系统中的散热器、磁性元件(电感、变压器)和滤波电容都可以做得更小、更轻，从而在整体系统层面实现显著的体积缩减和成本节约。　　02应用蓝图：灵活封装策略覆盖广阔市场　　森国科此次提供晶圆形态的产品，赋予了下游客户极大的设计灵活性，精准瞄准两大应用方向：　　合封(Chip-in-Package)：赋能超紧凑电源　　对于追求极致功率密度的应用，如氮化镓快充充电器、服务器AC/DC电源模块、通信电源模块等，这两颗小尺寸Die可与控制器、驱动IC等合封在一个多芯片模块(MCPM)内。这种“All-in-One”的方案能最大限度地减少寄生参数，提升频率和效率，是实现拇指大小百瓦级快充的理想选择。　　独立封装：替代传统硅基MOSFET　　对于工业电源、光伏逆变器辅助电源、电机驱动、LED照明驱动等需要独立器件的应用，这两颗晶圆可被封装为成本极具竞争力的分立器件。其目标正是直接替代目前市场中广泛使用的750V-800V高压平面MOSFET和超结MOSFET(SJ-MOSFET)，让终端产品在几乎不增加成本的情况下，轻松获得效率提升、体积缩小和可靠性增强的优势。　　03市场展望：开启“硅基成本，碳化硅性能”的新纪元　　森国科KWM2000065PM与KWM1000065PM的推出，具有深远的市场意义。它标志着SiC技术不再仅仅是高端应用的奢侈品，而是可以通过创新的设计与制造工艺，下沉到主流功率市场，成为替代硅基产品的“性价比之选”。　　森国科的这两款微型化750V SiC MOSFET晶圆，是一次精妙的“四两拨千斤”。它们没有盲目追求极致的单一性能参数，而是通过芯片尺寸的微型化革命，巧妙地平衡了性能、可靠性与成本，精准击中了市场普及的痛点。这不仅是两款优秀的产品，更代表了一种清晰的市场战略：让碳化硅的强大性能，以客户乐于接受的成本，渗透到每一个可能的电力电子角落，加速全球电气化的高效与节能进程。对于所有寻求产品升级换代的电源工程师而言，这无疑是一个值得密切关注的技术风向标。
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发布时间：2026-01-26 17:43 阅读量：333 继续阅读>>
森国科发布创新TOLL+Cu-Clip封装SiC MOSFET，重新定义功率密度与散热新标准
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森国科发布创新TOLL+Cu-Clip封装SiC MOSFET，重新定义功率密度与散热新标准

　　在追求更高效率、更高功率密度的电力电子领域，碳化硅(SiC)功率器件的性能优势已得到广泛认可。然而，传统的封装技术正成为限制其潜能全面释放的关键瓶颈。森国科(SGKS)近日创新性地推出KM025065K1(650V/25mΩ)与 KM040120K1(1200V/40mΩ)两款SiC MOSFET产品，率先将TOLL封装与铜夹片(Cu-Clip)技术深度融合，为下一代高性能电源方案树立了新标杆。　　01 技术基石：为何选择TOLL封装?　　TOLL(TO-Leaded，L-type)封装是一种专为大电流、高散热需求设计的表面贴装(SMD)封装。其外形与标准的TO-LL规范兼容，具备以下核心优势：　　低外形与高功率密度：　　TOLL封装的高度通常极低(如规格书中标注的典型值为2.30mm)，非常适合在空间受限的应用中实现高功率密度布局。　　出色的散热能力：　　封装底部具有大面积的可焊接散热焊盘，为芯片到PCB(或散热器)提供了极低的热阻路径。规格书中KM025065K1的结壳热阻(RθJC)低至0.46°C/W，KM040120K1更是达到0.42°C/W，为高效散热奠定了基础。　　低寄生电感：　　多个开尔文源极引脚和功率引脚的优化布局，有助于减小开关回路中的寄生电感，这对于发挥SiC高频开关优势、抑制电压过冲和振铃至关重要。　　02 性能跃迁：Cu-Clip技术如何赋能TOLL封装?　　森国科的创新之处在于，在TOLL封装内部，用铜夹片(Cu-Clip) 替代了传统的铝键合线(Bonding Wires)。　　彻底告别键合线瓶颈：　　传统键合线存在寄生电感较大、载流能力有限、热机械可靠性等问题。Cu-Clip通过一块扁平的铜片直接连接芯片源极和引线框架，实现了面接触。　　实现“三位一体”的性能提升：　　超低导通电阻：　　铜的导电性远优于铝，Clip结构提供了更广阔的电流通道，显著降低了封装内部的导通电阻。　　极致散热性能：　　铜片成为高效的导热桥梁，将芯片产生的热量快速、均匀地传导至整个引线框架和封装外壳，这正是实现超低RθJC的关键。　　更高的可靠性与电流能力：　　消除了键合线可能因热疲劳而脱落的风险，载流能力大幅提升，规格书中KM025065K1的连续漏极电流在Tc=25°C时高达91A。　　03 强强联合：TOLL+Cu-Clip与SiC晶圆的完美协同　　当优化的TOLL封装、先进的Cu-Clip互联技术与高性能SiC晶圆相结合，产生了“1+1+1>3”的协同效应：　　充分发挥SiC高频特性：　　低寄生电感的封装允许SiC芯片以更快的速度开关(如KM025065K1的上升时间tr=28ns)，从而显著降低开关损耗，提升系统频率和效率。　　最大化功率密度：　　优异的散热能力使得器件能在更高结温(Tj=175°C)下持续输出大电流，允许使用更小的散热器，最终实现系统体积和重量的大幅缩减。　　提升系统鲁棒性：　　KM040120K1规格书中特别提到“带有单独驱动源引脚的优化封装”，这有助于进一步改善开关性能，减少栅极振荡，使系统运行更稳定可靠。　　04 应用场景：为高效能源未来而生　　这款创新封装的SiC MOSFET非常适合对效率、功率密度和可靠性有严苛要求的应用：　　光伏/储能逆变器：　　高开关频率可减小无源元件体积，高效率直接提升发电收益。　　电动汽车车载电源(OBC/DCDC)与电机驱动：　　高功率密度和卓越散热是满足紧凑空间和高温环境要求的关键。　　服务器电源/通信电源：　　助力打造效率超过80 Plus钛金标准的高密度电源模块。　　工业电机驱动与不间断电源(UPS)：　　高可靠性和高频特性满足工业环境的严苛需求。　　森国科KM025065K1与KM040120K1的推出，不仅是两款新产品的面世，更是一次针对功率封装瓶颈的精准突破。它证明了通过封装-互联-芯片的协同设计与创新，能够充分释放第三代半导体的巨大潜力。这为设计工程师在面对未来能源挑战时，提供了一把兼具高性能、高可靠性与高功率密度的利器，必将加速光伏、电动汽车、数据中心等关键领域的技术革新。
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发布时间：2026-01-26 17:39 阅读量：333 继续阅读>>
森国科SiC MOSFET产品矩阵再扩容：三款PDFN8 * 8 + Cu-Clip封装新品引领高功率密度革命
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森国科SiC MOSFET产品矩阵再扩容：三款PDFN8 * 8 + Cu-Clip封装新品引领高功率密度革命

　　在小体积、高功率密度、高效散热成为行业刚需的今天，　　森国科通过创新的封装技术给出了自己的解决方案。　　继成功推出PDFN8 * 8+Cu-Clip封装的SiC二极管后，森国科正式发布三款同封装类型的SiC MOSFET产品——KM025065P1、KM040120P1和KM065065P1，形成了完整的650V-1200V电压覆盖，为高功率密度应用提供了更为丰富的选择。　　这一系列新品基于森国科自主研发的第三代平面栅SiC MOSFET芯片技术，通过创新的铜夹片封装技术和优化的内部结构设计，在保持高性能的同时显著提升了散热效率和功率密度。　　PART01 三款新品核心参数解析：满足不同功率等级需求　　KM025065P1：650V/25mΩ高电流型号　　这款产品在25℃条件下连续漏极电流高达91A，脉冲电流能力达到261A，特别适合大电流应用场景。其低导通电阻(典型值25mΩ)确保在高电流下仍保持较低的导通损耗。　　该器件结壳热阻低至0.49°C/W，配合Cu-Clip技术，能够将芯片产生的热量快速传导至PCB板，保证在高功率运行时的稳定性。　　KM040120P1：1200V/40mΩ高压应用优选　　针对光伏逆变器、工业电机驱动等高压应用，KM040120P1提供了1200V的耐压能力，同时在15V驱动电压下导通电阻典型值为40mΩ。该产品静态栅源电压为-5/+15V，适用于严苛的工业环境。　　值得一提的是，这款产品特别优化了开关特性，在800V/33A测试条件下，开关能量表现优异(Eon典型值530μJ，Eoff典型值32.1μJ)，有效降低系统开关损耗。　　KM065065P1：650V/65mΩ性价比之选　　对于成本敏感型应用，KM065065P1提供了平衡的性能与价格。其导通电阻典型值为65mΩ，连续漏极电流38A，适合中小功率场景。该产品输入电容仅为977pF，栅极总电荷41nC，便于驱动电路设计。　　三款产品均支持-55℃至+175℃的工作结温范围，满足汽车电子、工业控制等严苛环境要求。　　PART02 PDFN8 * 8+Cu-Clip封装技术深度解读　　PDFN8 * 8+Cu-Clip封装是森国科为应对高功率密度挑战而推出的先进封装解决方案。与传统的引线键合技术不同，Cu-Clip(铜夹片)技术采用扁平铜桥连接芯片表面和外部引脚，有效降低封装电阻和热阻。　　这种封装结构的优势显而易见：更低的寄生参数、更好的热性能以及更高的电流承载能力。实测数据显示，与传统封装相比，Cu-Clip技术能够降低约35%的封装电阻，同时提升约20%的电流能力。　　热性能是功率器件的关键指标。PDFN8 * 8+Cu-Clip封装通过优化设计，实现了从芯片到PCB的高效热管理路径。三款新品的结壳热阻均在0.46-0.81°C/W范围内，大幅提升了整体散热能力。　　封装尺寸方面，PDFN8 * 8保持了8mm×8mm的紧凑外形，引脚间距为2.0mm典型值，厚度控制在0.95mm典型值。这种紧凑设计使得器件在空间受限的应用中具有明显优势。　　PART03 电气性能优势：低损耗与高可靠性兼备　　开关损耗是影响功率转换效率的关键因素。三款新品在开关特性方面表现出色：　　优化的开关速度:　　由于减少了栅极回路的寄生电感，新品的开关速度得到显著提升。以KM025065P1为例，其开启延迟时间仅12ns，上升时间28ns，下降时间22ns，支持更高频率的运行。　　低栅极电荷：　　KM065065P1的栅极总电荷仅为41nC，KM040120P1为84nC，降低驱动电路的设计难度和功率需求。　　优异的体二极管特性：　　内置的快恢复体二极管具有低反向恢复电荷(Qrr)，KM065065P1的Qrr典型值仅为67nC，减少反向恢复损耗。　　可靠性方面，所有产品均通过严格的可靠性测试，包括高温反偏(HTRB)、高低温循环等测试，确保在恶劣环境下长期稳定运行。　　PART04 应用场景全覆盖：从消费电子到工业驱动　　新能源汽车领域　　在车载充电机(OBC)和直流-直流转换器中，KM025065P1的高电流能力(91A连续电流)可直接替代多个并联的传统器件，简化系统设计。KM040120P1的1200V耐压适合800V电池系统应用。　　可再生能源系统　　光伏逆变器是SiC MOSFET的重要应用领域。KM040120P1的高耐压和低导通损耗可有效提升系统效率，配合其优异的开关特性，助力实现99%以上的转换效率。　　工业电源与电机驱动　　服务器电源、通信电源等场景中，KM065065P1的平衡性能和成本优势明显。其紧凑的封装尺寸有助于提升功率密度，满足现代数据中心对高密度电源的需求。　　消费类电子　　大功率快充电源适配器、便携式充电站等应用中，KM025065P1的高功率密度特性可在有限空间内实现更大的功率输出。　　PART05 设计与应用支持：助力客户快速量产　　针对不同的应用场景，森国科技术团队可提供定制化的解决方案，帮助客户优化系统性能，缩短产品上市时间。　　在驱动设计方面，由于三款产品的阈值电压(VGS(th))在2.7-3.2V范围内，建议驱动电压在15-18V之间，以确保充分导通的同时避免过驱动。　　散热设计建议　　虽然Cu-Clip封装具有良好的散热性能，但在大功率应用中仍需注意PCB的热设计。建议使用2盎司及以上铜厚的PCB，并合理设计散热过孔和散热焊盘。　　森国科此次推出的三款PDFN8 * 8+Cu-Clip封装SiC MOSFET产品，与先前发布的同封装SiC二极管共同构成了完整的功率半导体解决方案。这一产品组合体现了森国科在碳化硅技术领域的深厚积累和对市场需求的精准把握。　　随着新能源、电动汽车等行业的快速发展，对功率器件的功率密度、效率、可靠性要求不断提高。森国科通过持续的技术创新和产品优化，为行业客户提供更具竞争力的解决方案。　　未来，森国科将继续扩展Cu-Clip封装的碳化硅功率器件产品线，包括2200V及更高电压等级的器件，为全球绿色能源转型提供核心半导体支撑。　　以下是三款产品的规格：
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发布时间：2026-01-23 11:02 阅读量：369 继续阅读>>
森国科丨破局“SiC封装瓶颈”：PCB嵌入式3D封装如何引领SiC进入系统集成新时代
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森国科丨破局“SiC封装瓶颈”：PCB嵌入式3D封装如何引领SiC进入系统集成新时代

　　在碳化硅(SiC)技术飞速发展的今天，我们正面临一个关键的转折点：芯片本身的卓越性能，正日益被传统封装的寄生参数和热管理瓶颈所制约。要实现电力电子系统在效率、功率密度和可靠性上的再一次飞跃，必须从“封装”这一基础环节进行革命。PCB嵌入式3D封装技术，正是破局的关键。而森国科最新量产出货的KC027Z07E1M2(SiC S-Cell)，作为该技术的成熟载体，标志着我们正从简单的“器件替换”迈入深度的“系统重构”时代。　　01 技术基石：为何PCB嵌入式3D封装是必然趋势?　　PCB嵌入式3D封装，是一种将半导体裸芯片(Bare Die)直接埋入印制电路板(PCB)内部的先进集成技术。它不同于将封装好的器件焊接在板卡表面，而是让芯片成为PCB的一个“内部层”，从而实现系统级的性能优化。　　其核心优势体现在三个根本性突破上：　　电气性能的跃迁：实现“最短”功率回路　　通过芯片与PCB内部铜层的直接三维互连，彻底消除了传统封装中键合线(Bonding Wire)和长距离引线带来的寄生电感和电阻。这使得开关过程中的电压过冲和能量损耗(EON, EOFF)大幅降低，允许系统工作在更高的频率，同时显著改善电磁干扰(EMI)性能。这对于追求极致效率的应用至关重要。　　热管理的革命：从“点”散热到“面”散热　　传统封装热量只能通过芯片底部单一路径传导。嵌入式封装实现了双面甚至多面散热，芯片产生的热量可以通过上下方大量的导热过孔(Thermal Vias)迅速传导至PCB大面积铜层，再高效散出。这带来了极高的散热效率，直接提升了系统的长期可靠性和峰值功率输出能力。　　系统架构的重构：迈向高度集成化与小型化　　此技术为一个集成平台，而非单一器件。它允许将直流母排、驱动电路、无源元件乃至电流采样单元(如嵌入式分流器)与功率芯片共同集成于同一基板。这极大简化了系统结构，减少了互联接口，提升了生产一致性与功率密度，为终极的轻量化、小型化设计奠定了基础。　　02 广阔前景：嵌入式SiC将赋能哪些前沿领域?　　上述技术优势，精准命中了下游高端应用对电源系统的核心诉求，市场前景极为广阔。　　新能源汽车与泛新能源领域：　　在电动汽车的主驱逆变器、车载充电机(OBC)中，嵌入式SiC能进一步提升效率，延长续航，同时减小系统体积和重量。在光伏逆变器、储能变流器中，其高可靠性和高效率是提升发电效益的　　AI服务器与算力中心：　　单机柜功率密度持续攀升，对供电单元(PSU)和散热提出极致要求。嵌入式SiC的高频、高效和高功率密度特性，是构建下一代超高效、高密度服务器电源和GPU加速卡直接供电(Point-of-Load)方案的基石。　　低空飞行器(eVTOL)与航空航天：　　重量即生命线。嵌入式SiC的轻量化和小型化优势直接转化为更长的航程和更高的载重。其卓越的散热能力和在极端温度下的稳定性(如规格书中Tvjop max=175℃)，是飞行安全与可靠性的根本保障。　　智能充电网络：　　直流快充桩对功率密度和效率的追求永无止境。利用该技术可打造更紧凑、更高效的充电模块，缩短充电时间，提升运营效益。　　03 森国科推出的KC027Z07E1M2 SiC S-Cell，正是上述技术理念的成功实践。它并非一个抽象概念，而是一款已经量产的、具备优异性能的已经用于PCB 嵌入式3D封装的650V/27mΩ SiC MOSFET：　　卓越的芯片性能：　　其芯片本身具备低栅极电荷(Qg=120nC)和快速开关特性(tr=28ns, tf=22ns)，为高频高效运行提供了基础。其体二极管也具有快速反向恢复特性(trr=17ns)，适用于桥式电路;　　量化封装优势：　　规格书中0.36°C/W的极低结壳热阻(RthJC)是其双面散热能力的直接证明，确保了在高负载下的稳定输出(如Tc=100°C时Id达64A)。板上集成母排和逻辑的设计，使其实现了“易于互连、改善回路电阻、小型化”的系统级优势。　　森国科SiC S-Cell的量产，标志着PCB嵌入式3D封装技术已从实验室走向产业化。它解决了SiC技术向更高阶应用发展时的核心瓶颈，为新能源汽车、算力基建、低空经济等前沿领域提供了实现其苛刻目标的钥匙。随着这种系统级集成理念的普及，我们有理由相信，电力电子技术将进入一个性能飙升、形态重构的新纪元，而森国科已通过SiC S-Cell在此赛道上占据了有利位置。
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发布时间：2026-01-23 10:58 阅读量：365 继续阅读>>
ROHM课堂 | ROHM LogiCoA™为50W~1kW电源转换器领域开创模数混合控制新技术
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ROHM课堂 | ROHM LogiCoA™为50W~1kW电源转换器领域开创模数混合控制新技术

　　传统的微控制器，受成本和功耗等因素的限制，很难在50W~1kW级电源中实际应用数字控制技术。ROHM的LogiCoA™通过采用混合型且基于事件驱动的设计，成功攻克了这一难题。而且，该产品还具备校准功能、日志采集功能及软件灵活性，可实现高效且可扩展的电源解决方案。　　前言　　电力电子领域正经历着日新月异的发展，对更智能、更高效且可扩展的电源解决方案的需求与日俱增。数字控制是满足这些需求的有效手段，但传统的微控制器因成本和功耗等方面的问题，一直很难在50W~1kW的中小功率范围得到广泛应用。因此，这一范围仍以模拟控制为主，这虽然有成本低、功耗低的优点，但在功能方面还存在局限性。　　本文将介绍ROHM的Logic and Control Architecture(LogiCoA™)是如何攻克这一长期存在的技术难题的。通过将模拟技术的高效性与数字技术的灵活性融合在一起，LogiCoA™使得在工业设备主流市场实现高级数字控制成为现实。在接下来的内容中，我们将详细阐述现有解决方案的局限性、LogiCoA™混合方案及其在成本效益、性能表现及设计灵活性方面开创的新可能性。　　在50W~1kW电源转换器中应用数字控制所面临的挑战　　数字控制电源用的微控制器本身并非新技术，很多半导体制造商早已开始提供相关解决方案，并已应用在各种应用场景中。然而，LogiCoA™之所以与众不同，在于它针对传统微控制器无法解决的根本问题采取了创新性的解决方法。 一直以来的课题是现有的数字控制微控制器不仅价格高，功耗也很大。因此，目前其主要用途仅限于超过1kW的大功率工业电源系统领域，而在50W~1kW的中小功率范围(主流市场)仍难以普及。　　工业设备电源系统中的功率控制方式细分　　在中小功率电源系统中，对数字控制电源特有的高级功能的应用需求非常强烈。然而，受成本和功耗等问题的影响，数字控制电源的导入仍处于审慎推进阶段。　　PWM控制回路的结构创新　　针对传统数字控制电源用的微控制器在成本和功耗方面存在的课题，LogiCoA™通过采用模数混合技术成功解决了这一课题。　　在常规的数字控制电源中，通常采用A-D转换器和CPU/DSP来构建PWM控制回路。为将该控制回路内的延迟时间控制得更小，高速A-D转换器及高性能CPU/DSP是必不可少的器件。 然而，这正是导致成本高和功耗大的主要原因。采用了LogiCoA™的电源系统的结构
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发布时间：2026-01-22 17:39 阅读量：347 继续阅读>>
高性价比低功耗高性能线性充电<span style='color:red'>IC</span> | 力芯微推出系列性高性价比线性充电<span style='color:red'>IC</span>
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高性价比低功耗高性能线性充电IC | 力芯微推出系列性高性价比线性充电IC

　　产品概述　　随着现代化电子产品的大量普及，更多便携式产品也进入了人们的生活，为了方便日常的携带和使用，这一类的产品通常对体积有较高的要求，为此力芯微推出了外围简单且封装较小的一系列线性充电产品。　　此系列产品最大输入耐压36V，输入端集成7V过压保护，充电电流可以通过外部电阻进行配置，部分产品最大充电电流可以达到1A，BAT端口具有防反插保护功能(-5V至17V)，在没有适配器时芯片自身功耗最低可低至5nA，有助于提高产品电池的续航;另外还集成了输入欠压保护，热调整保护，充电状态指示以及自动复充等功能。　　产品特点　　输入电压范围：4.5V~6V(耐压36V)　　电池端口耐压:-5V~17V　　超低电池功耗5nA　　具有充电以及充满状态指示功能　　可选电池充满电压：4.2V 或 4.35V　　部分产品支持可配置充电电流最高至1A　　具有热调整功能　　产品矩阵　　典型应用　　管脚定义    
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发布时间：2026-01-16 15:33 阅读量：411 继续阅读>>
永铭丨AI服务器机柜BBU的毫秒级瞬态功率缺口：为什么“混合型超级电容（L<span style='color:red'>IC</span>）+BBU”更合适？
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永铭丨AI服务器机柜BBU的毫秒级瞬态功率缺口：为什么“混合型超级电容（LIC）+BBU”更合适？

　　AI服务器机柜在训练/推理负载快速切换时，会出现毫秒级(典型1–50 ms)的功率突变与直流母线(DC Bus)掉压风险。NVIDIA在介绍 GB300 NVL72 电源架设计时提到，其电源架内集成能量存储元件并配合控制器，实现机柜级的快速瞬态功率平滑(见参考资料[1])。　　工程实践中，用“混合型超级电容(LIC)+BBU(Battery Backup Unit，备用电源单元)”构成就近缓冲层，可把“瞬态响应”和“短时备电”分工解耦：LIC负责毫秒级补偿，BBU负责秒级到分钟级接管。本文给出工程师可复现的选型思路、关键指标清单与验证项，并以永铭SLF 4.0V 4500F(单体ESR≤0.8mΩ，持续放电电流200A，参数应引用规格书[3])为例给出配置建议与对比数据支撑。　　机柜BBU电源正在把“瞬态功率平滑”前置到近端　　随着单柜功耗走向百千瓦级，AI工作负载会在短时间内造成电流阶跃。若母线掉压超过系统阈值，可能触发主板保护、GPU错误或重启。为降低对上游供电与电网侧的峰值冲击，一些架构开始在机柜电源架内部引入能量缓冲与控制策略，使功率尖峰在机柜内被“就地吸收与释放”。这类设计的核心启示是：瞬态问题优先在离负载最近的位置解决。　　在搭载英伟达GB200/GB300等超高功率(千瓦级)GPU的服务器中，电源系统面临的核心挑战已从传统的备电，转变为应对毫秒级、数百千瓦级的瞬态功率冲击。传统以铅酸电池为核心的BBU备用电源方案，因其固有的化学反应延迟、高内阻及有限的动态电荷接受能力，在响应速度与功率密度上存在瓶颈，已成为制约单机柜算力提升与系统可靠性的关键因素。　　表1：三级混合储能模式在机柜BBU中的位置示意(表格框图)　　架构演进，从“电池备电”到“三级混合储能模式”　　传统BBU多以电池为核心储能。面对毫秒级功率缺口，电池受限于化学反应动力学与等效内阻，响应往往不如电容类储能敏捷。因此，机柜侧开始采用“LIC(瞬态)+BBU(短时)+UPS/HVDC(长时)”的分级策略：　　LIC并联于DC Bus近端：承担毫秒级功率补偿与电压支撑(高倍率充放电)　　BBU(电池或其他储能)：承担秒级到分钟级接管(系统按备电时长设计)　　机房级UPS/HVDC：承担更长时长的不间断供电与电网侧调节　　这种分工把“快变量”和“慢变量”解耦：既稳住母线，又降低储能单元长期应力与维护压力。　　深度解析：为何是永铭混合型超级电容?　　永铭混合型超级电容LIC(Lithium-ion Capacitor，锂离子电容)在结构上结合了电容的高功率特性与电化学体系的较高能量密度。在瞬态补偿场景中，决定能否“顶住”的关键是：在目标Δt内输出所需能量，并且在允许的温升与电压跌落范围内通过足够大的脉冲电流。　　高功率输出：在GPU负载突变、电网波动时，传统铅酸电池由于化学反应速度慢、内阻高，其动态电荷接受能力会迅速恶化，导致在毫秒时间内无法及时响应。混合型超级电容能够在1-50ms内完成瞬时补偿，随后BBU备用电源提供分钟级备电，保障母线电压平稳，显著降低主板和GPU死机风险。　　体积与重量优化：体积与重量优化：在以“同等可用能量(由 V_hi→V_lo 电压窗口决定)+相同瞬态窗口(Δt)”为对比口径时，LIC 缓冲层方案相较传统电池备电通常可显著降低体积与重量(体积可减少约 50%～70%，重量可减轻约 50%～60%，典型值无公开出处，需项目验证)，释放机柜空间与风道资源。(具体比例取决于对比对象规格、结构件与散热方案，建议在项目口径下对比验证。)　　充电速度提升：LIC具备高倍率充放电能力，回充速度通常高于电池方案(速度提升5倍以上，可实现接近十分钟快充，来源：混合型超级电容对比铅酸电池典型值)。回充时间由系统功率余量、充电策略与热设计共同决定，建议以“回充到 V_hi 所需时间”作为验收指标，并结合重复脉冲温升进行评估。　　循环寿命长：LIC 在高频充放电工况下通常具备更高循环寿命与更低维护压力(100万次循环寿命，6年以上寿命，是传统铅酸电池方案的约200倍，来源：混合型超级电容对比铅酸电池典型值)。循环寿命与温升极限请以具体规格与测试条件为准，从全生命周期角度有助于降低运维与故障成本。　　图2：混合储能系统示意：　　锂电池(秒–分钟级)+ 锂离子电容LIC(毫秒级缓冲)　　以英伟达GB300参考设计的日本武藏CCP3300SC(3.8V 3000F)为对标，在公开规格参数维度具备更高容量密度、更高电压以及更高容量：4.0V的工作电压与4500F的容量，带来了更高的单体能存储能量，在相同模组体积下提供更强的缓冲能力，确保毫秒级响应能力不打折扣。永铭SLF系列混合型超级电容关键参数：额定电压：4.0V;标称容量：4500FDC内阻/ESR：≤0.8mΩ持续放电电流：200A工作电压范围：4.0–2.5V　　采用永铭混合型超级电容的 BBU 就近缓冲方案，可在毫秒级窗口内对直流母线(DC Bus) 提供大电流补偿，提升母线电压稳定性;在同等可用能量与瞬态窗口的对比口径下，缓冲层通常更有利于降低空间占用并释放机柜资源;同时更适配高频充放电与快速恢复需求，降低维护压力。具体效果请以项目口径验证为准。　　选型指南：场景精准匹配　　面对AI算力极限挑战，供电系统的创新至关重要。永铭SLF 4.0V 4500F混合型超级电容，以扎实的自主技术，提供了高性能、高可靠的国产化BBU缓冲层解决方案，为AI数据中心实现稳定、高效、集约化的持续进化提供了核心支撑。　　如您需要获取详细技术资料，我们可提供：规格书、测试数据、应用选型表、样品等支持。同时请您提供：母线电压、ΔP/Δt、空间尺寸、环境温度、寿命口径等关键信息，以便我们快速给出配置建议。　　Q&A板块　　Q：AI服务器的GPU负载可能在毫秒内飙升150%，传统铅酸电池响应跟不上。永铭锂离子超级电容具体的响应时间是多少，如何实现这种快速支撑?　　A：永铭混合型超级电容(SLF 4.0V 4500F)依托于物理储能原理，内阻极低(≤0.8mΩ)，能够实现1-50毫秒级别的瞬时高倍率放电。当GPU负载突变导致直流母线电压骤降时，它可以近乎无延迟地释放大电流，直接对母线进行功率补偿，从而为后端BBU电源的唤醒与接管争取时间，确保电压平滑过渡，避免因电压跌落引发的运算错误或硬件死机。　　文末摘要　　适用场景：AI 服务器机柜级 BBU(备用电源单元)，直流母线(DC Bus)存在毫秒级瞬态功率冲击/电压跌落风险的场景;适用于“混合型超级电容 + BBU”的就近缓冲架构，用于短时断电、电网波动、GPU 负载突变下的母线稳压与瞬态补偿。　　核心优势：毫秒级快速响应(补偿1-50ms 瞬态窗口);低内阻/大电流能力，提升母线电压稳定性并降低意外重启风险;支持高倍率充放电与快速回充，缩短备电恢复时间;相较传统电池方案更适合高频充放电工况，有助于降低维护压力与全生命周期成本。　　推荐型号：永铭方形混合型超级电容SLF 4.0V 4500F
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发布时间：2026-01-15 14:28 阅读量：356 继续阅读>>

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